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公开(公告)号：CN110069750A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910293672.9
申请日：2019-04-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F17/18
摘要： 本发明公开一种基于四参数威布尔分布的非精确分析方法，应用于元件可靠性评估领域，针对现有的精确概率理论，因样本数据的缺乏造成认知的不确定性，从而产生非精确性的问题；本发明基于四参数威布尔分布非精确分析方法，利用贝叶斯公式，对未知参数服从伽马分布，累积分布函数为四参数威布尔分布的寿命随机变量进行非精确概率推断，得出了元件在已知样本数据条件下的寿命分布函数族、可靠度函数族以及故障率函数族的区间值上下界表达式，为元件及系统的非精确可靠性评估和预测提供了依据。
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公开(公告)号：CN108718000A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810534249.9
申请日：2018-05-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种双频双极化电磁带隙结构，属于无线通信领域。该电磁带隙结构包括介质基板，设置于介质基板背面的金属地板，设置于介质基板正面的变型“耶路撒冷”交叉型元胞、以及四个T型元胞。本发明可广泛运用于无线通信领域中，可将其应用在双频双极化的天线设计中以改善天线的性能。这种结构不但具有两个“同相反射相位”频段，而且还具有两个“表面波抑制”频段。不仅具有较宽的频率比调节范围，还具有紧凑的尺寸结构。
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公开(公告)号：CN106531822B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201611075272.3
申请日：2016-11-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/11
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；其中，钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用；而且，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
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公开(公告)号：CN107064609A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710201879.X
申请日：2017-03-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R19/165
CPC分类号： G01R19/16523
摘要： 一种变电站雷电冲击预警装置属于电气工程应用技术领域，目的是针对现有技术的不足而提供一种变电站雷电预警装置。本发明公开了一种变电站雷电冲击预警装置，该装置由其雷电电流检测单元(1)、光纤传输单元(2)、信号处理单元(3)和预警指示单元(4)组成。发明构造了一种雷电冲击预警装置，完成雷电对电气设备的冲击危害程度预警，即为变电站的电气设备及运检人员的安全防雷提供快速预警。
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公开(公告)号：CN107063452A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710223480.1
申请日：2017-04-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01J1/44
CPC分类号： G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/4466
摘要： 一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，属于半导体光电技术领域。本发明利用单光子雪崩光电二极管SPAD结电容与第一NMOS管M1的漏极寄生电容、第二NMOS管M2和第一PMOS管M3的栅极寄生电容充当负载电容感应雪崩电流，替代了大电阻的引入，节省了版图面积、提高像素单元填充系数，有效提高探测阵列的探测像素；本发明的电路结构简单，不存在无源器件，仅利用单光子雪崩光电二极管SPAD阳极点处的寄生负载电容感应雪崩电流并进行I‑Q‑V积分转换，将电流转换为电压信号，经反相器处理后输出脉冲信号，此结构一方面可以降低电路瞬态功耗，另一方面可以加快检测速率，缩短淬灭时间，减少流过单光子雪崩光电二极管SPAD的电荷数量，且电路结构简单，有利于大规模阵列集成。
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公开(公告)号：CN105870176A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610353260.6
申请日：2016-05-25
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： H01L29/73 , H01L29/0684 , H01L29/24
摘要： 本发明属于高功率半导体技术领域，具体的说涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明主要通过在BJT的发射极1边缘与基极欧姆接触之间的外基区设置第二P+层9，第二P+层9为P型重掺杂层，可通过离子注入工艺形成，因为P性基区4位P型轻掺杂层，第二P+层9与P型基区4之间会形成一个由轻掺杂层指向重掺杂层的电场，该电场会阻止基区少子(电子)向外基区表面扩散，减小了外基区表面的电子浓度，降低了电子与空穴的复合率，减小界面态所导致的复合电流，从而提高器件的电流增益。
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公开(公告)号：CN105742397A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610145011.8
申请日：2016-03-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/105
摘要： 本发明涉及的光电二极管，可以扩展光的吸收波段，完成从可见光到红外光波段(400nm～1350nm)的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。其结构包括：含一个开口的重掺杂N型Si衬底，N型Si衬底上依次层叠有轻掺杂N型Si外延层、重掺杂P型Si、以及由本征Ge缓冲层和在其之上的重掺杂P型Ge构成的台面结构，台面上依次层叠有二氧化硅介质层和钝化层。在N型Si衬底背面设置有金属接触阴极VR，在重掺杂P型Si上设置有第一金属接触阳极VAF，在重掺杂P型Ge上设置有第二金属接触阳极VAS，轻掺杂N型Si外延层背面设置有抗反射层。
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公开(公告)号：CN102833006B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210331231.1
申请日：2012-09-10
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种光接收机，具体包括：第一PIN型光电探测器、第二PIN型光电探测器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器、一电阻装置、一电容装置、一金属氧化物半导体场效应晶体管、初始增益电路以及限幅放大器，其中的第二跨阻放大器、电阻装置和电容装置构成检测电路，第二PIN型光电探测器、检测电路和初始增益电路构成自动增益控制电路；通过引进第二光电探测器和第二跨阻放大器使得原本增益控制电路和跨阻放大器电路在部分性能指标上的牵制得到了有效的缓解，降低了AGC的稳定时间，降低了输入到AGC电路中的噪声，从而提高了控制精度。
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公开(公告)号：CN103594468A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310633691.4
申请日：2013-11-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L31/0232 , H01L31/103
摘要： 本发明涉及电子元器件技术，具体的说是涉及一种快速光电探测器。本发明所述的快速光电探测器，包括相连接的光电二极管和放大电路，所述光电二极管包括N+衬底101、N-外延层102、阳极金属电极105和阴极金属电极106，所述N-外延层102设在N+衬底101的上端面，所述N-外延层102中设有P+注入区103，所述P+注入区103的上端面设有抗反射膜104和阳极金属电极105，所述放大电路由多个NMOS管108和PMOS管109组成，其特征在于，所述光电二极管与放大电路之间设置有遮光层，所述遮光层用于对非光敏区进行光屏蔽。本发明的有益效果为从根本上消除了慢光生载流子的产生条件，从而大大提升了光电探测器的响应速度。本发明尤其适用于光电探测器。
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公开(公告)号：CN103401548A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310322828.4
申请日：2013-07-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/785 , H01L27/142
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的光MOS固体继电器。该光MOS固体继电器包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件，所述光电池阵列由若干个单晶硅光伏电池以及若干个多晶硅光伏电池串联而成，所述单晶硅光伏电池与多晶硅光伏电池交错排列，所述每个单晶硅光伏电池单独处于衬底的一个V型槽内，所述每个多晶硅光伏电池处于相邻的两个V型槽之间的衬底上。该光MOS固体继电器通过对光电池阵列进行重新设计，在V型槽之间的间隔制作多晶硅光伏电池，充分利用了版图空间，提高了集成度，而且集成功率器件的光MOS固体继电器减小了封装的难度和寄生效应，有效地提高了继电器的可靠性，适合在电力电子技术领域推广应用。
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