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公开(公告)号：CN119450254A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411578699.X
申请日：2024-11-07
Applicant: 安徽大学
IPC: H04N25/78 , H04N25/772 , H04N25/616
Abstract: 本申请涉及一种余差脉冲展宽插值量化型列级ADC、CMOS图像传感器，其中，该余差脉冲展宽插值量化型列级ADC包括：比较器、余差提取电路、脉冲展宽电路、粗量化计数器、细量化计数器和误差校正电路；比较器用于比较斜坡信号和像素信号，比较器的输出端通过第一与门连接余差提取电路的输入端以及粗量化计数器的输入端；余差提取电路用于提取第一与门的输出下降沿与自身之后的首个时钟上升沿之间的时间差，余差提取电路的输出端连接脉冲展宽电路的输入端以及误差校正电路的输入端；脉冲展宽电路用于对余差提取电路的输出进行展宽，脉冲展宽电路的输出端连接细量化计数器的输入端。解决了目前SSADC的量化速度较慢、时间精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN119066018B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411569955.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F15/163 , G06F9/50 , G06F9/52
Abstract: 本发明涉及数据访问技术领域，具体涉及用于异构多核处理器的数据访问系统、方法、程序产品。本发明提供了用于异构多核处理器的数据访问系统，包括：异构多核处理器、目标存储块、寄存器模块。本发明引入了包含计数部、寄存部、锁状态部的寄存器模块，为异构多核处理器对目标存储块的访问提供了硬件基础，能够支持锁操作的快速响应和原子性。本发明考虑到处理核心可能存在的数据竞争以及数据之间的依赖性，通过对处理核心赋予线程序号的方式，并结合寄存器模块设计了管理逻辑，能够有效适应数据竞争、数据依赖的情况，避免不必要的耗时，保证处理核心高效地完成数据访问。
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公开(公告)号：CN119311635A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411864014.8
申请日：2024-12-18
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F15/78
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T1C‑SRAM存内计算单元及存算电路。本发明在经典的6T‑SRAM的基础上增设了4个NMOS晶体管N4~N7和1个电容C，设计出一种新的10T1C‑SRAM存内计算单元，其继承了6T‑SRAM的数据存储及读写功能，又可以利用N4、N5、N6、N7和C构成计算部来实现存内AND计算和存内XNOR计算。本发明还基于新设计的10T1C‑SRAM存内计算单元，构建出存内计算电路，还可以进行存内1b‑AND MAC计算和存内BNN计算，功能性强、灵活性大。
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公开(公告)号：CN119045778A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411143115.6
申请日：2024-08-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种指数和归一化电路、最大值搜索电路、MAC电路及芯片，以及集成有浮点型MAC电路的CIM芯片。其中，最大值搜索电路由按列排布的多个比较单元构成，每个比较单元包含3个NMOS管N1～N3，1个PMOS管P1，1个与门AND1，1个或门OR1，一个反相器INV1。该电路采用交叉结构设计，电路更简单，识别速度更快。指数和归一化电路则包括：加法阵列、数据传输模块、最大值搜索电路和输出模块，该电路可以将运算过程的多个工序采用流水线的策略依次完成，并对部分工序进行并行处理，缩短整个任务中的延迟，更高效的处理指数归一化任务，并降低电路的面积开销和功耗水平。本发明解决了现有技术缺乏指数和归一化的专用电路的问题。
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公开(公告)号：CN118711630A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410826278.8
申请日：2024-06-25
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C11/4074
Abstract: 本申请涉及一种基于14T‑TFET‑SRAM单元电路的带符号乘法与乘累加运算电路，单元电路包括NTFET管N0‑N6以及PTFET管P0‑P6；P0的源极、漏极和栅极分别与P4的漏极、N0的漏极和栅极电连接，P0的漏极设置有存储节点Q；P1的源极、漏极和栅极分别与电源VDD、N1的漏极和栅极电连接，P1的漏极设置有存储节点QB；P2的源极、漏极和栅极分别与P3的漏极、N2的漏极和N4的栅极电连接；P3的源极和栅极分别与电源VDD和写控制信号线WLB电连接；P4的源极和栅极分别与电源VDD和N2的栅极电连接；P5的源极、漏极和栅极分别与P6的漏极、位线RBLB和N1的漏极电连接；P6的源极和栅极分别与电源VDD和输入字线INWLB电连接；N0的源极与N4的漏极电连接；N1的源极与地线VSS电连接；N2的源极和栅极分别与N3的漏极和写控制信号BLB电连接；N3的源极和栅极分别与地线VSS和写控制信号线WL电连接；N4的源极和栅极分别与地线VSS和写控制信号线BL电连接；N5的源极、漏极和栅极分别与地线VSS、N6的源极和N2的漏极电连接；N6的漏极和栅极分别与位线RBL和输入字线INWL电连接。解决了现有的TFET‑SRAM单元电路的静态功耗大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118248193B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410659565.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/419 , G11C7/10 , G11C7/24
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种基于参考电路动态匹配的高可靠性存内计算电路、芯片。该电路包括基于SRAM单元构成的存算阵列以及各种外围电路。存算阵列中的各个SRAM单元采用具有双字线的SRAM单元；按奇数行和偶数行将存算阵列中的SRAM单元分为两类，一类全作为计算单元，另一类全作为量化单元。存算阵列中每列的两条位线连接在一个SA上。按列运算过程中，各计算单元的计算电压输出到一侧位线，量化阶段选择与计算行临界的量化行，参考电压输出到另一侧位线。该方案可以克服位线寄生因素的影响，进而提高电路的可靠性。此外，本发明还特别选择7T‑SRAM单元构成存算阵列，以克服电路读破坏的问题。
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公开(公告)号：CN118280408A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410706157.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明属于静态随机存储器领域，具体涉及一种具有施密特结构的混合型14T‑SRAM单元及其对应的SRAM电路和存储芯片。14T‑SRAM单元由4个P型TFET晶体管，8个N型TFET晶体管，以及2个NMOS管构成。其中，本发明通过8个TFET晶体管构成施密特反相器，两个反相器构成存储单元中的锁存结构。由于锁存结构采用施密特反相器设计，可以提高单元的保持和读噪声容限。方案中采用了打断锁存结构的方式，提高了单元的写速度和写噪声容限；采用漏极电压始终不低于源极电压的NTFET作为传输控制管，消除TFET的正向偏置电流，降低电路的静态功耗。此外，本发明还对部分晶体管在单元内和阵列中进行复用，以提升电路集成度。
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公开(公告)号：CN118248193A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410659565.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/419 , G11C7/10 , G11C7/24
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种基于参考电路动态匹配的高可靠性存内计算电路、芯片。该电路包括基于SRAM单元构成的存算阵列以及各种外围电路。存算阵列中的各个SRAM单元采用具有双字线的SRAM单元；按奇数行和偶数行将存算阵列中的SRAM单元分为两类，一类全作为计算单元，另一类全作为量化单元。存算阵列中每列的两条位线连接在一个SA上。按列运算过程中，各计算单元的计算电压输出到一侧位线，量化阶段选择与计算行临界的量化行，参考电压输出到另一侧位线。该方案可以克服位线寄生因素的影响，进而提高电路的可靠性。此外，本发明还特别选择7T‑SRAM单元构成存算阵列，以克服电路读破坏的问题。
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公开(公告)号：CN118018028A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410157821.X
申请日：2024-02-04
Applicant: 安徽大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明涉及调制器设计技术领域，具体涉及具有共享运放与可平均积分电容的调制电路、及调制器。本发明的调制电路包括：可控开关部、电容部、全差分运算放大器OP。全差分运算放大器OP在可控开关部切换下作为二阶积分的共享运放使用。本发明通过设计的可控开关部，使采样电容、积分电容所在支路的前后都通过开关实现控制，进而切换全差分运算放大器OP与采样电容、积分电容的连接方式，实现对全差分运算放大器OP共享使用的效果，这样不仅可以克服工艺变化，还可以减少运算放大器的电容负载，从而能够实现低功耗。本发明还通过设计的可控开关部，还实现了正负积分电容的交换，利用平均效应克服积分电容的失配。
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公开(公告)号：CN117955463A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410129194.9
申请日：2024-01-30
Applicant: 安徽大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本申请涉及一种双向型动态比较器和电子设备，动态比较器包括：第一充电模块，包括第一充电单元和第二充电单元，第一充电单元和第二充电单元的输入端均连接电源，第一充电单元和第二充电单元的输出端通过第一开关模块分别连接预放大电路的第一输出端和第二输出端；第一放电模块，包括第一放电单元和第二放电单元，第一放电单元和第二放电单元的输入端通过第二开关模块分别连接预放大电路的第一输出端和第二输出端，第一放电单元和第二放电单元的输出端均接地。其预放大电路在预放大阶段对两个输出端进行充电，在锁存阶段对两个输出端进行放电，此阶段将不再消耗电能，进而降低了动态比较器的功耗，解决了现有的动态放大器具有较大功耗的问题。
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