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公开(公告)号：CN101706428B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910198964.0
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01N21/59
摘要： 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中，由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获，之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带，导致探测光子被大量吸收，使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度，造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形，其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化，体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。
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公开(公告)号：CN102226737A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110071290.5
申请日：2011-03-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由两段指数拟合该曲线来获得表征该发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的相关系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管一次散热性和二次散热性的好坏，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101231309B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810033719.X
申请日：2008-02-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种判断氮化镓基发光二极管非辐射复合中心浓度的方法，该方法是通过实测器件电致发光光谱随外注入电流的变化规律与理论计算的结果进行比对，来判断器件结构中非辐射复合中心浓度的大小。本发明方法操作简便，无破坏性；能快速对GaN基LED器件内非辐射复合中心浓度高低的相对状态进行检测，及时推进生产工艺的改进，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有明显作用。
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公开(公告)号：CN101846808A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010177518.4
申请日：2010-05-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种激光选择聚焦器件及其设计方法，激光选择聚焦器件是将具有聚焦功能的激光选择性透镜与普通的光电探测器集成在一起。其中的激光选择性透镜是按照菲涅尔波带片原理蒸镀金属的明暗环制作而成，可以承载在载玻片上，外置于光电探测器外，也可以直接蒸镀在普通的光电探测器的衬底上。该结构器件不仅能够显著削弱激光通信中接收信号的背景噪声，直接提取激光信号并对激光信号进行聚焦，同时能够扩大探测器件的有效光敏面积，提高系统的信噪比。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN101196552B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710171904.0
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101109724B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710044935.X
申请日：2007-08-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的开启电压越大，其内部量子点密度也就越高。本发明可以简单方便的确定InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度的相对大小，而且不会造成浪费，对于寻找最优化的生长条件，提高发光二极管的发光效率和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN100559618C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710047623.4
申请日：2007-10-31
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法，该量子点共振隧穿二极管，包括：响应可见光的GaAs或响应红外的InGaAs光子吸收区，自组装量子点、薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层。自组装量子点和薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层的组合可以让量子点直接参与共振隧穿过程，大大增强了共振隧穿过程对光生载流子的放大能力。该探测方法：利用在入射光探测前先对量子点进行载流子填充形成亚稳态，进一步增强器件的光响应能力。本发明的优点是：器件结构简单，量子点大小和密度均属常规生长范围，制备容易；器件在液氮温度下得到了超高灵敏度的光子探测能力。
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公开(公告)号：CN101494243A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910046994.X
申请日：2009-03-04
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/036 , G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种光子晶体耦合窄带响应量子阱红外探测器。将光子晶体与量子阱红外探测单元相结合，光子晶体作为耦合单元直接嵌套在红外探测单元内。由于周期性的表面结构及光子晶体对光子态的调制，导致量子阱红外探测单元对特定波段的响应增强，而其它波段的响应受到抑制，达到窄波段探测的目的。与传统的量子阱探测器相比，这种探测器有如下优点：一、响应波段窄，可以通过光子晶体对光子态的调控以及量子阱本身结构控制，来调节响应峰值波长的位置。二、峰值波长探测效率高，由于实现了光子态的控制，探测效率得到了提高。三、便于用户导向型设计，光子态的调控提供了新的设计维度，更加有利于根据用户要求，优化产品响应波段匹配性能。
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公开(公告)号：CN101458293A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R31/265
摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
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公开(公告)号：CN100498362C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610148065.6
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28 , G01R31/00 , H01L21/66
摘要： 一种长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法，包括步骤：S1、测量碲隔汞光伏器件的I-V曲线；S2、利用关系式R＝dV/dI获得R-V曲线，S3、根据碲镉汞的暗电流模型拟合获得器件的物理参数，根据本发明将为碲镉汞长波器件分析提供新的途径。
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