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公开(公告)号：CN116256684A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211573968.4
申请日：2022-12-08
Applicant: 浙江大学 , 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种数据基S参数校准件构建方法，包括以下步骤：设置矢量网络分析仪的校准参数；采用所述矢量网络分析仪，基于LRM和MTRL算法对开路标准件、短路标准件和负载匹配标准件进行校准；当所述校准通过后，获取所述开路标准件、所述短路标准件和所述负载匹配标准件的数据基S参数。本发明的数据基S参数校准件构建方法，有效提升了校准算法的精度，且保证了校准操作的便捷性。
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公开(公告)号：CN116184776A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310185221.X
申请日：2023-03-01
Applicant: 浙江大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种晶圆曝光方法和系统。晶圆曝光方法包括如下步骤：在晶圆表面划分多个曝光单元，包括位于晶圆内部区域的完整曝光单元以及位于晶圆边缘区域的不完整曝光单元；获取待曝光光刻层的焦距能量矩阵表；获取经初始曝光条件曝光后的各完整曝光单元的图形形貌和线宽；根据焦距能量矩阵表修正各完整曝光单元的曝光条件，使其图形形貌和线宽符合规格；根据不完整曝光单元邻近的完整曝光单元修正后的曝光条件修正不完整曝光单元的曝光条件。本申请通过根据完整曝光单元的图形形貌和线宽对其曝光条件进行修正，并通过不完整曝光单元邻近的完整曝光单元的曝光条件修正不完整曝光单元曝光条件，可极大改善晶圆面内图形形貌和线宽均匀性。
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公开(公告)号：CN115051566A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210859722.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明实施例涉及集成电路技术领域，特别涉及一种开关电源的驱动装置及开关电源电路。其中，驱动装置包括：供电电源、电压调控模块、控制逻辑模块、高边驱动模块和低边驱动模块；电压调控模块，用于基于供电电源提供的供电电压为控制逻辑模块输出所需的工作电压，以及为高边驱动模块提供第一驱动电压、为低边驱动模块提供第二驱动电压；第一驱动电压和/或第二驱动电压大于工作电压；高边驱动模块基于电压调控模块提供的第一驱动电压驱动外部高边开关管导通；低边驱动模块基于电压调控模块提供的第二驱动电压驱动外部低边开关管导通。本方案可以减少高边开关管和/或低边开关管的导通损耗，以此来提高开关电源电路的转换效率。
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公开(公告)号：CN115033048A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210846596.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明实施例涉及电源管理电路技术领域，特别涉及一种具有共模锁定功能的检测电路、系统及方法。其中，检测电路包括：电压检测模块、共模锁定模块、阈值设定模块和误差放大器模块；电压检测模块的两个输入端分别连接至外部待测单元的两端；共模锁定模块的输入端连接至电压检测模块任一个输入端的连接线上，共模锁定模块的输出端连接至阈值设定模块，用于根据接收到的电压值和预设共模输入电压范围调整阈值设定模块的电压阈值；误差放大器模块，用于输出补偿电压至外部控制驱动及功率传输模块，以使控制驱动及功率传输模块根据补偿电压调整为负载提供的功率，进一步使得待测单元两端的电压值逐渐稳定在共模输入电压范围内。
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公开(公告)号：CN113703513B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111251691.9
申请日：2021-10-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G05F1/569
Abstract: 本发明提供一种防倒灌保护模块、低压差线性稳压器、芯片及供电系统，包括：倒灌检测单元，基于输入、输出电压产生检测信号；分压单元，连接于输入电压与第一PMOS管的源极之间；第一PMOS管，漏极连输出电压，栅极连倒灌检测单元输出端；第二PMOS管，漏极连第三、第四PMOS管的栅极，源极连第一PMOS管源极，栅极连分压单元输出端；第三PMOS管，漏极连输入电压，源极和衬底连第四PMOS管的源极和衬底，栅极连驱动信号；第四PMOS管，漏极连输出电压，栅极连驱动信号。本发明应用于全集成LDO线性稳压器芯片内部，不增加外部电路复杂性；适用于MOS管栅源耐压仅为5V的薄栅工艺，在输出端接最高20V电位时能对芯片进行有效的保护；在实际应用中减少了备用电源的能量消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113256720B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110620460.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种同时检测SAR图像船只及其尾迹的方法，包括：对原始SAR图像进行预处理，增强尾迹边缘特征；对预处理后图像利用Itti视觉注意模型生成图像的亮度显著图；对亮度显著图进行二值化处理，对二值化图像进行形态学处理筛选船只及尾迹特征，滤除稀疏离散的像素点，得到的连通区域为船只与尾迹的检测结果；对每个连通区域做外接矩形，将矩形框标注在原始SAR图像上，得到船只与尾迹的标注结果。本发明提供的方法通过对SAR图像进行Itti亮度特征显著性提取，利用视觉显著性从SAR图像中判断像素或区域引起视觉注意的能力，增强了船只及其尾迹的特征，提高了检测概率同时降低了虚警概率，能够同时检测船只及其尾迹，并能够适应非直线尾迹特征情况。
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公开(公告)号：CN110380709B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910630251.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有负电上电时序保护功能的高速栅极脉冲调制电路及射频功率放大器，该电路包括：电压转换电路、脉冲开关电路、电压比较电路、漏极供电电路；电压转换电路的输出端与脉冲开关电路的输入端连接，脉冲开关电路的输出端与电压比较电路的输入端连接，电压比较电路的输出端与漏极供电电路的输入端连接。在通信系统中射频功率放大器是不可或缺的关键部件，尤其是在雷达领域，对其的控制与上电保护是应用射频功率放大器的关键。本发明在负电上电之前或者负电过高的情况下，漏极始终保持断开，避免了氮化镓晶体管烧坏的风险，可靠性高，并且实现了高速脉冲调制，具有频率高、占空比小的优点，进一步提升了调制的精度与速率。
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公开(公告)号：CN110739227B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910924318.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，具体包括如下步骤：101)芯片载板制作步骤、102)转接板制作步骤、103)键合步骤；本发明提供设置大流量散热沟槽的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法。
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公开(公告)号：CN112019217B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011106318.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明提供一种流水线型逐次逼近模数转换器及转换方法，包括：第一级逐次逼近模数转换模块，第二级逐次逼近模数转换模块及数字码误差修正逻辑模块；其中，第一级逐次逼近模数转换模块包括第一电容阵列单元、放大单元、锁存比较单元、第一寄存逻辑控制单元及控制开关，放大单元复用为残差放大器及第一级逐次逼近模数转换器中比较器的预放大器。本发明通过复用残差放大器预放大器，完全消除了在两者之间存在的输入失调电压失配，稳定了残差放大器的输入摆幅，提高了残差放大器的线性度，节省了芯片面积；且通过复用第二级逐次逼近型模数转换模块来获得增益误差，降低了残差放大器的增益误差，提高了整个流水线型逐次逼近模数转换器的转换精确度。
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公开(公告)号：CN111599857B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010475767.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法，在同一蓝宝石衬底上异质集成二维材料器件与GaN器件，并通过二维材料器件控制GaN器件的开、关，提高整体异质集成结构的性能，发挥GaN器件优势；通过互连电极，实现电连接，降低寄生效应；在二维材料器件中，以二维材料层作为沟道，石墨烯层作为欧姆接触，解决二维材料器件欧姆接触不良的问题；通过T型栅极作为掩膜版并进行自对准工艺，形成第二源极及第二漏极，缩短了T型栅极与源极及漏极的距离，降低了二维材料器件的接入电阻，提高了二维材料器件的性能；本发明可充分发挥GaN器件的优势，并提高整个异质集成结构的性能。
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