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公开(公告)号：CN113555416B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111107648.5
申请日：2021-09-22
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/868
摘要： 一种功率二极管器件，其元胞结构包括：n型轻掺杂浓度的漂移区，所述n型轻掺杂浓度的漂移区的上部平面相接触的设有阳极结构，所述n型轻掺杂浓度的漂移区的下部平面相接触的设有阴极结构，所述阳极结构由至少一个p型重掺杂浓度的阳极区和至少一个的p型中等掺杂浓度的槽型阳极区构成，所述阴极结构由至少一个n型重掺杂浓度的阴极区和至少一个p型重掺杂浓度的阴极区构成，所述p型重掺杂浓度的阴极区与所述n型重掺杂浓度的阴极区通过第一背面槽型介质区以及第二背面槽型介质区相互隔离。本发明与普通PiN功率二极管相比，本发明提供的功率二极管能够降低反向恢复电荷以及提高反向恢复软度，消除反向恢复过程中的电流和电压的震荡。
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公开(公告)号：CN113571513A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202111111116.9
申请日：2021-09-23
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性SCR器件及保护电路，通过第一N型重掺杂区、第一P阱、N阱以及与阳极端口连接的第二P型重掺杂区构成了第一个SCR器件；通过与阳极端口连接的第二P型重掺杂区、第二P阱、N阱以及与阴极端口连接的第三N型重掺杂区构成了第二个SCR器件；同时通过第二P阱、N阱、第一栅氧化层、第二栅氧化层构成了RC电路；通过第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区和第二栅氧化层构成了寄生NMOS器件，提高了SCR器件的可控性和运行可靠性。
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公开(公告)号：CN105293608A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510869340.2
申请日：2015-12-02
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： C02F1/04
摘要： 本发明公开了一种芯片生产线的镍废水处理方法，属于芯片生产废水处理技术领域。所述废水处理方法包括废水收集、废水蒸发、废气处理和固体废渣处理；所述废水蒸发是在蒸发室内通入高温气体进行加热蒸发，蒸发时间为12～16h，蒸发温度为180～220℃。本发明通过物理蒸发方法将废水进行分离后，分别处理，具有方法简单、处理效果高、不使用化学试剂，对环境友好的优点。
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公开(公告)号：CN206180863U
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201621041504.9
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H02M7/00 , H01L25/07 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/48247 , H01L2224/73265
摘要： 本实用新型提供了一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，它包括四个二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；四个二极管芯片技术指标相同，且顶面均为P型、底面均为N型；双向TVS管芯片和第一二极管芯片固定设于第一引线框架上，分别通过导线连接第三引线框架、第二引线框架；第二二极管芯片和第四二极管芯片固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架、第三引线框架；第三二极管芯片固定设于第三引线框架上，通过导线连接第二引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作负、正极引脚。本实用新型能够在整流桥受到反向瞬态过压脉冲时提供有效保护，且布局紧凑，有利于PCB板小型化发展。
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公开(公告)号：CN205984974U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201621041686.X
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31
摘要： 本实用新型提供了一种超薄低热阻的全波整流桥新结构，它包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体上，作为正、负极引脚；第二引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第四引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架。本实用新型结构紧凑、体积小。本实用新型有利于PCB板小型化发展，适用于任意PCB电路板。
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公开(公告)号：CN205984975U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201621042098.8
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00
摘要： 本实用新型提供了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，它包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片固定设于第四引线框架上，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本实用新型中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展。
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公开(公告)号：CN214722904U
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202121265757.5
申请日：2021-06-08
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 一种晶圆端磨工装，包括：底板，调节组件，设于底板的一端，端磨组件，设于底板，调节组件与端磨组件相互配合用于晶圆的端面抛光。本实用新型在晶圆加工中，能对晶圆的端面进行抛光操作，提高了晶圆端面抛光的质量和抛光的效果，同时能避免外来粉尘对晶圆的抛光造成影响，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN205294882U
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201520982824.3
申请日：2015-12-02
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： C02F1/04 , C02F101/20
摘要： 本实用新型公开了一种芯片生产线的镍废水处理系统，属于芯片生产废水处理技术领域。所述系统包括废水收集池和蒸发室，所述废水收集池与所述蒸发室之间设有废水供给管道，所述蒸发室上方设有第一集气罩，所述第一集气罩上部连接有第一废气输送管道。本实用新型具有结构简单，处理成本低的优点。
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公开(公告)号：CN219965455U
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202321594716.X
申请日：2023-06-21
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 一种晶圆玻璃浆刮涂装置，包括：工作台、承载组件、刮涂组件。工作台顶面设有限位环；承载组件设于工作台上，包括沿竖直方向移动并且绕自身轴线转动的承载座，承载座设于限位环内，用于承载晶圆，承载座下方设有与之同步转动的支撑座，支撑座及承载座上均设有贯穿的气孔，用于吸附晶圆；刮涂组件包括沿竖直方向移动的升降板，升降板上安装有转动的刮板，用于刮涂玻璃浆。工作台上还设有上下贯穿的通孔，通孔直径小于承载座的直径，承载座底面设有限位槽，限位槽呈环形，且截面呈T形，限位槽中配合有滑块，滑块连接于伸缩杆的移动端，伸缩杆穿过通孔，并安装于支撑架上，支撑架安装于工作台的底面无需关闭气泵即可将晶圆取下，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN220155508U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321713276.5
申请日：2023-07-03
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 一种晶圆电泳用放置架，包括：支撑架、承载架。支撑架长度方向两端设有多个支撑杆，承载架穿设于支撑杆上，承载架沿其长度方向设有多个承载框，承载框内侧沿其长度方向设有多个卡槽，用于承载晶圆。支撑杆上设有挡环，挡环位于承载架上方，支撑杆上套设有两个弹簧，弹簧分别位于承载架上下两侧，且始终处于压缩状态；承载架上方设有支架，支架上沿其宽度方向设有多列电极片，每列电极片有多个，且相邻两个电极片互相连接，用于与晶圆侧面接触，其中位于两端的电极片连接于一个连接片，连接片与外接电路电性连接。能够放置更多的晶圆，提高电泳效率，并且提供减震效果，避免晶圆由于硬性接触而破裂。
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