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公开(公告)号：CN106206528A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807395.5
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另两个二极管芯片固定设于第四引线框架上,顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本发明还公开了上述整流桥的制作工艺。本发明中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展，制造工艺与以往方法不同，方便生产。
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公开(公告)号：CN106206528B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610807395.5
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另两个二极管芯片固定设于第四引线框架上,顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本发明还公开了上述整流桥的制作工艺。本发明中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展，制造工艺与以往方法不同，方便生产。
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公开(公告)号：CN106684065A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610808064.3
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/49537 , H01L23/49568 , H01L24/49 , H01L25/00 , H01L2224/491
摘要： 本发明提供了一种集成式Mini整流桥新结构及其制作工艺。集成式Mini整流桥新结构包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的四个引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体上，作为正、负极引脚；第二引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第四引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架。本发明还提供了该集成式Mini整流桥新结构的制作工艺。本发明结构紧凑、体积小，工艺与现有的工艺方法不同。本发明适用于任意PCB电路板。
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公开(公告)号：CN206180863U
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201621041504.9
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H02M7/00 , H01L25/07 , H01L23/495
CPC分类号： H01L2224/48247 , H01L2224/73265
摘要： 本实用新型提供了一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，它包括四个二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；四个二极管芯片技术指标相同，且顶面均为P型、底面均为N型；双向TVS管芯片和第一二极管芯片固定设于第一引线框架上，分别通过导线连接第三引线框架、第二引线框架；第二二极管芯片和第四二极管芯片固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一引线框架、第三引线框架；第三二极管芯片固定设于第三引线框架上，通过导线连接第二引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作负、正极引脚。本实用新型能够在整流桥受到反向瞬态过压脉冲时提供有效保护，且布局紧凑，有利于PCB板小型化发展。
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公开(公告)号：CN205984975U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201621042098.8
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00
摘要： 本实用新型提供了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，它包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片固定设于第四引线框架上，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本实用新型中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展。
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公开(公告)号：CN205984974U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201621041686.X
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31
摘要： 本实用新型提供了一种超薄低热阻的全波整流桥新结构，它包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体上，作为正、负极引脚；第二引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第四引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架。本实用新型结构紧凑、体积小。本实用新型有利于PCB板小型化发展，适用于任意PCB电路板。
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公开(公告)号：CN110518087B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910823539.X
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路(56)对比文件Sun，Hongliang，et.al.“A novelpolysilicon light source and its on-chipoptical interconnection structuredesign”《.SPIE》.2019,第1102342-1至1102342-6页.
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公开(公告)号：CN110473792B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910823826.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN110473792A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910823826.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广东气派科技有限公司 , 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN110517966A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910823778.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/78 , H01L23/485
摘要： 本发明公开了一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、蓝膜切割和裂片；三、制作背面及侧面保护层；四、形成扇出结构。本发明为高密度集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝，在环氧树脂层上形成扇出结构，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程。本发明适用于半导体器件封装技术领域。
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