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公开(公告)号：CN110941127A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911352684.0
申请日：2019-12-25
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： G02F1/1524 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/34
摘要： 本发明涉及一种微缺陷诱导的电致变色智能玻璃复合膜组及其制备方法，其特征在于：在FTO或ITO导电玻璃基底的FTO或ITO面上依次设有WO3层、电解质层、NiO层、电极层；其中WO3层和NiO层内均嵌有SiO2纳米微球；电解质层为LixGayO或者LixNbyO层；电极层为ITO层。本发明有益效果：通过在变色层中内嵌SiO2纳米粒子作为微缺陷，微缺陷纳米球与变色层会形成界面缺陷，促进电致变色过程中离子在微缺陷界面处的诱导聚集，达到提升薄膜变色效率的目的，包括着色时间的加快，光调制幅度的增大、提高变色均匀性等；采用一种常温溅射制备ITO电极层的方法，本方法通过常温溅射制备ITO薄膜在保证了薄膜性能的同时，避免了加热对膜系变色层、电解质层带来的可能的影响。
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公开(公告)号：CN110931592A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911123058.4
申请日：2019-11-16
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/055
摘要： 本发明公开一种用于BIPV的铜铟镓硒太阳能电池，包括玻璃衬底，玻璃衬底顶面由下至上依次层叠有CIGS功能层、胶膜层、阻隔膜层、盖板玻璃、彩色功能层与减反膜层，所述彩色功能层为单光学膜层或复合光学膜层；舍弃化学着色的传统方法，引入彩色功能层，结合盖板玻璃下表面的绒面结构，并协同本身呈黑色的CIGS功能层，使电池具有彩色外观；改变膜系材料的组成和厚度即可以使反射光产生干涉的波长不同，从而获得不同色彩反射的铜铟镓硒太阳能电池，实现了铜铟镓硒太阳能电池具有与建筑外观匹配的多种颜色，与建筑完美融合，且保持较高发电效率的目的。
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公开(公告)号：CN109449228A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811611265.X
申请日：2018-12-27
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/0749 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开一种柔性可弯曲CIGS薄膜太阳能电池，包括柔性基底,柔性基底顶面由下至上依次层叠有背电极、CIGS薄膜、缓冲层、高阻层、窗口层与减反层；背电极包括由下至上依次层叠的合金膜层、ZnAl膜层、降阻金属膜层、防腐蚀膜层与Mo膜层；合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu薄膜；降阻金属膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层；防腐蚀膜层为MoN、MoO、Al2O3、TiN或TiON膜层；缓冲层为ZnS或InS薄膜；高阻层为本征ZnO薄膜；窗口层为GZO或IGZO薄膜；减反层为MgF2或ZnS薄膜；该电池不需要阻挡层、背电极较薄且具有较好的真空工艺相容性、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、良好的化学稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN108183000A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711415243.1
申请日：2017-12-25
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC分类号： H01B13/0026 , C23C14/086 , C23C14/35
摘要： 本发明公开一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗基底并吹干；S2、通过磁控溅射工艺在基底表面沉积下TCO膜层；S3、采用旋涂法在下TCO膜层表面制备单层聚苯乙烯微球，聚苯乙烯微球在下TCO膜层表面呈矩形阵列式分布；S4、通过磁控溅射工艺，在各个聚苯乙烯微球的间隙之间沉积金属；S5、利用有机溶剂超声清洗去除聚苯乙烯微球，得到表面分布有矩形阵列式半球形凹坑的金属层；S6、通过磁控溅射工艺，在金属层顶面沉积上TCO膜层，得到所述透明导电薄膜；利用聚苯乙烯微球作为模板，进而溅射出特殊结构的金属层，能有效的提高整个膜系的导电性和耐弯折性，同时可以减少TCO膜层的厚度，节约材料成本；并且使整个膜系透过率良好。
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公开(公告)号：CN108179391A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711415407.0
申请日：2017-12-25
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C14/14 , H01B5/14
摘要： 本发明公开信息显示用柔性多层透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：清洗柔性衬底并吹干；采用磁控溅射工艺，在柔性衬底顶面依次沉积下SiO2层、下Si3N4层与下TiO2层；在下TiO2层顶面蒸发沉积AgPt合金层，并对AgPt合金层进行Ar等离子辐照；采用磁控溅射工艺，在AgPt合金层顶面依次沉积上TiO2层、上Si3N4层与上SiO2层，最终得到所述柔性多层透明导电薄膜；由SiO2、Si3N4与TiO2构成的复合介质层结构，具有梯度化匹配的折射率，使整个膜系具有更加优良的光学透过率；AgPt合金层作为导电层，能有效的提高整个膜系的力学柔韧性和抗弯折能力，AgPt合金层经过等离子体辐照处理，使整个复合膜系具有更好的透过率和导电性。
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公开(公告)号：CN107507878A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710796020.8
申请日：2017-09-06
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/049
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/049 , H01L31/03923
摘要： 本发明公开一种薄膜太阳能电池用多层膜结构的光伏背板玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底的应变点≥570℃、软化点≥800℃；所述玻璃基底顶面由下至上依次设有SiN膜层、CuZn膜层、ZnAl膜层、降阻膜层、防腐蚀膜层与Mo膜层；降阻膜层为Ti膜层或Cu膜层；防腐蚀膜层为MoN、MoO、TiN或TiON膜层；SiN膜层的厚度为80～120nm，CuZn膜层的厚度为50～90nm，ZnAl膜层的厚度为30～60nm，降阻膜层的厚度为15～35nm，防腐蚀膜层的厚度为20～50nm，Mo膜层的厚度为35～65nm；该背板玻璃具有高应变点、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点，且多层膜结构与玻璃基底附着强度高，能够阻挡玻璃基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107475668A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710800979.4
申请日：2017-09-07
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 本发明涉及一种高电阻率CN薄膜的制备方法，包括以下步骤：选用0.1-1.5mm的衬底材料；对衬底材料进行超声波清洗；在样品基架上放置C靶材；把清洗干净的衬底材料放置于样品基架上；使用氩离子轰击靶材，达到清洗和活化靶材的作用；把清洗后的衬底材料放入真空度抽至4.0×10-4—6.0×10-4Pa的溅射腔室内，通入氩气进行预溅射起辉，同时再通入氮气。本发明的优点：本方法通过氩气溅射起辉，同时通入氮气反应，采用直流溅射镀膜，在镀膜的过程中，引入变参数较少，薄膜质量容易控制，通过改变氩气和氮气的比例，能够制备适用不同器件使用的CN薄膜，本发明的制备工艺简单，重复性强。
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公开(公告)号：CN114050223A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111408541.4
申请日：2021-11-24
摘要： 本发明提供一种透明导电结构的制备方法，包括：步骤S1，提供一柔性基底；步骤S2，于柔性基底的上表面沉积得到一第一金属氧化物层；步骤S3，于第一金属氧化物层的上表面沉积得到一合金层；步骤S4，于合金层的上表面沉积得到一金属层；步骤S5，于金属层的上表面沉积得到一第二金属氧化物层。有益效果是通过本方法制备得到的透明导电结构的总厚度不大于110nm，镀膜时间短，可以有效提高光的取出效率并减少光损失，并且在室温下即可达到比ITO薄膜更佳的光电性能。
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公开(公告)号：CN112626470A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011427678.X
申请日：2020-12-09
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种碳自掺杂且浓度呈梯度分布的CN薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、清洗衬底，去除衬底表面污垢；b、将衬底置于离子溅射腔室内，以纯度为99.99％的石墨作为靶材，以N2作为为离子束的N+离子源，氩气作为轰击气体；利用离子溅射镀膜工艺，在衬底表面沉积CN薄膜；c、在步骤b沉积过程中，按照梯度变化供应N2，得到C含量为梯度浓度的CN薄膜；该方法制备得到CN薄膜的碳自掺杂浓度呈梯度分布，改变CN薄膜的电学性能，并且制备过程可控性强，易于重复。
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公开(公告)号：CN112626459A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011462996.X
申请日：2020-12-14
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法，包括以下步骤：S1、选用电阻率为20欧姆的ITO镀膜玻璃作为为衬底；S2、将衬底装入样品架，送入磁控溅射镀膜腔室中；S3、对磁控溅射镀膜腔室抽真空，使真空度达到8.0*10‑6Pa；S4、当真空度达到10‑6Pa时，对衬底进行加热至300℃，并通入氩气，同时开启直流电源，使靶材进行预溅射；S5、预溅射完毕后，通入氧气，溅射氧化钨薄膜；S6、溅射完毕后，待磁控溅射镀膜腔室降温至室温后，取出氧化钨薄膜；该方法制备得到的氧化钨薄膜具有膜层厚度均匀、性能优良稳定的特点，且工艺简单、可控性强。
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