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公开(公告)号：CN1288448C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200510042775.6
申请日：2005-06-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高g值加速度计，该加速度计由加速度敏感梁、两块电路板和SOI硅微固态压阻芯片构成；该加速度敏感梁上有对称的台阶，两块电路板对称粘接在台阶上，SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间，硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器，解决了穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统的高g值加速度测量问题。同时采用共晶焊接技术，解决了传感器迟滞问题。该加速度计传感器具有量程高、动态特性好、耐候性强以及测量精度高、高过载等特点，能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需要。
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公开(公告)号：CN1272604C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510041809.X
申请日：2005-03-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 基于SOI技术集成多传感器芯片，包括硅膜，硅膜与玻璃底座在真空环境下通过静电键合结合，中间形成相对独立的真空环境，硅膜的岛结构下端固定有重锤，硅膜的岛结构上集成有湿度传感器和温度传感器，硅膜上岛结构的四周集成有压力传感器和加速度传感器，加速度传感器包括Y方向加速度测量电路、X方向加速度测量电路和Z方向加速度测量电路。本发明的集成多传感器芯片采用SOI技术，将温度传感器、压力传感器、加速度传感器和湿度传感器集成在一块芯片上，用一块芯片就可得到尽量多的测量参数，而且解决了多传感器各参量之间相互干扰的问题，其体积小、重量轻，尤其在航空航天领域、军事工业领域、汽车领域以及手机行业等特定领域，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN1693901A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510042775.6
申请日：2005-06-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明公开了一种高g值加速度计，该加速度计由加速度敏感梁、两块电路板和SOI硅微固态压阻芯片构成；该加速度敏感梁上有对称的台阶，两块电路板对称粘接在台阶上，SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间，硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器，解决了穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统的高g值加速度测量问题。同时采用共晶焊接技术，解决了传感器迟滞问题。该加速度计传感器具有量程高、动态特性好、耐侯性强以及测量精度高、高过载等特点，能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需要。
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公开(公告)号：CN1140782C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01128782.9
申请日：2001-09-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L9/04
Abstract: 本发明公开了一种耐高温压力传感器，包括底座、压力膜片、中间体、压力传递杆、悬臂梁、垫圈、硅隔离应变片等组成，压力膜片焊接在中间体上再与底座上通过激光连接，压力膜片与压力传递杆固接，压力传递杆上装配有悬臂梁，悬臂梁上贴有硅隔离应变片，垫圈压在悬臂梁上，顶盖通过螺纹与中间体结合，并压紧垫圈和悬臂梁，顶盖上还装配有接插件，由于采用了硅隔离应变片，保证了该传感器可以在0～220℃环境条件下工作，并能承受1000℃的温度冲击，适用于航空、航天、石油化工等恶劣环境下的压力测量。
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公开(公告)号：CN119511163A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411711732.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/12 , G01R33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超极化核自旋测量磁场的原子磁强计探头及探测方法，包括探头主体，探头主体一端部内开设有用于容纳碱金属气室的腔体，气室内部充有3He原子和碱金属，腔体的两侧壁分别开设有位置对应的泵浦光孔和探测孔，直角棱镜与泵浦光孔对应布置，光电探测器对应于探测孔布置，腔体的上下表面均设置有射频磁场双平面线圈；探头主体另一端部开设有加热光纤孔和泵浦光纤孔，泵浦激光光纤的一端插入泵浦光纤孔内，泵浦激光光纤的另一端连接泵浦激光器，加热激光光纤的一端插入加热光纤孔，加热激光光纤的另一端连接加热激光器；泵浦激光器出射的泵浦光经第一光路结构入射至直角棱镜，加热激光器出射的激光经第二光路结构入射至气室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119374766A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411943962.0
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院) , 西安交通大学
IPC: G01L1/22 , A61B5/22 , A61B5/0531 , A61B5/00 , C08J3/075 , C08J5/18 , C08L33/26 , C08L5/08 , C08K3/14 , C08K5/521 , C08K5/053
Abstract: 本申请公开了一种用于肌肉力预测的水凝胶薄膜传感器制备方法及传感器。方法包括根据传感器的灵敏度参数及机械应力参数，选择水凝胶前驱体的材料配比；制备水凝胶薄膜，并在所述水凝胶薄膜长度方向上左右两侧对称布置电极，以形成水凝胶薄膜传感结构；获取水凝胶薄膜传感结构电阻值的变化，并与所述传感器应变值形成一一对应关系，以进行标定；对目标肌群进行力量测试，测量皮肤表面紧密贴附水凝胶薄膜传感结构的电阻值，将力量测试结果与水凝胶薄膜传感结构的电阻变化相关联，以形成肌肉力预测模型。通过本发明的方案可以大幅提升肌肉力测试的准确度。
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公开(公告)号：CN119023512A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411145824.8
申请日：2024-08-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N11/16
Abstract: 本发明属于MEMS传感器领域，公开了一种阵列式微悬臂梁MEMS黏度传感器芯片及其工作方法，包括固支体，固支体上连接有若干微悬臂梁阵列悬空结构，微悬臂梁阵列悬空结构包括一端与固支体连接的压电悬臂梁和与压电悬臂梁另一端连接的悬臂板，压电悬臂梁上设有与压电悬臂梁长度方向平行的压电电极对，压电电极对作为压电悬臂梁的顶电极，相邻的压电悬臂梁之间连接有衔接梁；若干微悬臂梁阵列悬空结构包含第一微悬臂梁阵列悬空结构和至少两个第二微悬臂梁阵列悬空结构，其中，第一微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度小于第二微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度。该黏度传感器芯片能够提升流体黏度的测量精度，且在流体中具备压电自激励与自检测性能。
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公开(公告)号：CN118885874A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410945269.0
申请日：2024-07-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F18/241 , A61B5/389 , A61B5/11 , G06F18/2132 , G06N3/0464 , G06N3/094
Abstract: 本发明属于人工智能与人机交互领域，公开了一种基于重构对抗域适应网络的动作识别方法及系统，动作识别方法包括：获取生物体在执行动作时产生的肌电信号；通过已预训练好的重构对抗域适应网络对肌电信号进行数据处理，得到肌电信号对应的动作类别；重构对抗域适应网络包括：特征提取器：用于提取肌电信号的深层特征；动作分类器：用于根据深层特征对动作类别进行识别；领域判别器：用于判断深层特征的域属性；领域重构器：用于将深层特征重建为肌电信号。本发明能够解决现有肌电动作识别算法面向未知新用户时性能大幅度下降甚至失效，从而严重影响算法实用性和适应性的问题。
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公开(公告)号：CN118826308A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410963094.6
申请日：2024-07-18
Applicant: 广西电网有限责任公司电力科学研究院 , 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种宽范围磁场取能装置及自供电无线传感系统，属于电线取能领域。包括：取能CT、电池、弱取能电路以及强取能电路；取能CT分别电连接于弱取能电路以及强取能电路，且电池与弱取能电路电连接，电池、弱取能电路以及强取能电路均电连接至输出端；在取能CT收集的电能的电压小于第一预设电压阈值时，电池向输出端供电；在取能CT收集的电能的电压大于或等于第一预设电压阈值，且小于第二预设电压阈值时，弱取能电路向输出端供电；在取能CT收集的电能的电压大于或等于第二预设电压阈值，且小于第三预设阈值时，强取能电路向输出端供电；在取能CT收集的电能的电压大于或等于第三预设阈值时，强取能电路泄放电能，且电池向输出端供电。
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公开(公告)号：CN118794577A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410975754.2
申请日：2024-07-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明公开了一种基于双层Janus薄膜的柔性压阻式压力传感器及其制备方法，包括依次叠加设置的插指电极、阻隔层、第一Janus导电层、间隔层和第二Janus导电层，阻隔层、第一Janus导电层、间隔层和第二Janus导电层表面均设置有锥结构，通过设置锥结构可以极大的提高传感器的灵敏度，双层导电层结构在较小力作用下，下层的第一Janus导电层与插指电极先接触，随着压力的不断增加下，第一Janus导电层和第二Janus导电层开始接触，第二Janus导电层也开始导通，整个压力敏感层的电阻从单一的导电层与插指电极的接触电阻变为双层导电层之间以及下层导电层与插指电极的并联，从而增加了量程范围。
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