一种二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用

    公开(公告)号:CN110136751B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201910267539.6

    申请日:2019-04-03

    摘要: 本发明属于新材料技术领域,更具体地,涉及一种二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用。该二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子包括通过非共轭连接的高阶萘嵌苯基团与二噻吩基乙烯基团,其中,所述高阶萘嵌苯为一个,所述二噻吩基乙烯基团为一个或多个;所述高阶萘嵌苯基团为荧光团,所述二噻吩基乙烯基团为光致变色单元,用于控制所述荧光团的发光与淬灭。该近红外荧光分子开关具有极强的近红外荧光,较高的荧光开/关比,良好的可逆性和抗疲劳性,PET机制证明了TDI‑4DTE的荧光猝灭完全。

    光学信息记录介质的制造方法

    公开(公告)号:CN105009214B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201480010679.0

    申请日:2014-01-22

    发明人: 见上龙雄

    摘要: 本发明提供一种光学信息记录介质的制造方法,其可以在基板的两面上设置引导凹槽之后形成记录层等的时候,抑制引导凹槽的污染或损伤。光学信息记录介质的制造方法为准备在单面上形成有第1引导凹槽15A的基板材料10A,在基板材料10A的未形成第1引导凹槽15A的面与印模50之间配置能量固化树脂材料,并使能量固化树脂材料固化从而形成第2引导凹槽15B。然后,在保留印模50作为第2引导凹槽15B的保护部件的状态下保持带有印模50的基板10,并且在第1引导凹槽15A一侧设置至少一层记录层21和覆盖层。然后,将印模50剥离从而使第2引导凹槽15B露出,并在第2引导凹槽15B一侧设置至少一层的记录层21和覆盖层。

    一种全息光存储聚合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN108047369A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711259188.1

    申请日:2017-12-04

    IPC分类号: C08F120/36 G11B7/245

    摘要: 本发明涉及一种全息光存储聚合物及其制造方法。全息光存储聚合物是一种含有手性基团的假芪型偶氮高分子材料。全息光存储聚合物的制造方法是以S‑2‑甲基‑1‑丁醇为手性源,通过与4‑氨基苯甲酸反应得到带有手性基团的苯胺衍生物,然后再通过重氮偶合反应制备含有手性基团的假芪型偶氮单体,最后通过聚合反应将合成的偶氮单体聚合得到相应的聚合物。全息光存储聚合物的偶氮基团与聚合物主链之间的柔性间隔基为2‑16个亚甲基。该全息光存储聚合物的分子量可调,在532纳米的干涉激光照射下,可以在该全息光存储聚合物表面加工出12重及以上的表面准晶结构,可以在1分钟内于该全息光存储聚合物膜表面进行全息光存储,形成的全息图案可以被擦除并重新写入。