音叉型晶体振子及其频率调整方法

    公开(公告)号:CN101772888B

    公开(公告)日:2013-05-29

    申请号:CN200880101811.3

    申请日:2008-07-23

    发明人: 松户秀亮

    IPC分类号: H03H3/04 H03H3/02

    摘要: 本发明涉及一种提高频率调整精度的音叉型晶体振子及其频率调整方法。本发明具有以下构成:在音叉型晶体振子的频率调整方法中,具有第1频率调整工序,即从围绕所述一对音叉腕(2a、2b)的外周面向头部前端面或从头部前端面向外周面照射飞秒激光,形成从所述外周面到头部前端面(8a、8b)的倾斜面,调整振荡频率。所述音叉型晶体振子具有从音叉基部(1)延伸出一对音叉腕(2a、2b)的音叉状晶体片(3)。

    选择性腐蚀石英晶片的装置

    公开(公告)号:CN102904540A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201210361063.0

    申请日:2012-09-25

    发明人: 唐劲 张帮岭

    IPC分类号: H03H3/04 C30B33/10

    摘要: 本发明涉及一种选择性腐蚀石英晶片的装置,包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板,上夹板下端面与下夹板上端面上有相互配合的平面区域,下夹板上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔,上、下夹板上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔,腐蚀孔的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。本发明结构简单,装配方便,可以满足石英晶片深度腐蚀的要求,与曝光掩膜法相比,具有加工工序短、操作简单的优点,可以大幅度降低晶片加工成本。

    基片级声表面波器件的频率修正方法

    公开(公告)号:CN102412802A

    公开(公告)日:2012-04-11

    申请号:CN201110378437.5

    申请日:2011-11-24

    IPC分类号: H03H3/04

    摘要: 本发明公开了一种基片级声表面波器件的频率修正方法,采用分段操作多次腐蚀浸泡的方法,通过减薄金属膜厚度和减细指条宽度来提高器件频率,使其达到合格范围,本发明的优点在于:本发明通过较为均匀地减薄金属膜厚度和减细金属叉指换能器宽度来提高器件频率,使基片内器件频率稳定均匀的提高,从而达到合格范围,是一种稳定可靠的基片级声表面波器件的频率修正方法,本方法对其他电性能指标影响较小,插损、波形等其他指标则变化不大,不引入新的不合格因素,基片内的频率一致性在操作前后变化不大,有效提升前工序的合格率和生产效率,修正幅度约在器件中心频率的0.5%之内。

    控制石英晶体工作频率的方法及基于石英晶体的参考时钟

    公开(公告)号:CN101826850A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN201010129814.7

    申请日:2010-03-19

    发明人: 张世芳 李济水

    IPC分类号: H03H9/19 H03H3/04

    摘要: 本发明提供一种控制石英晶体工作频率的方法及基于石英晶体的参考时钟,属于通信技术领域,该方法包括:检测石英晶体周围的温度变化,并将检测得到的温度变化信息反馈给基带芯片,基带芯片根据温度变化信息和预先得到的石英晶体的频率随温度变化曲线,来控制石英晶体的工作频率,从而可实时的调整因外界温度剧烈变化引起的石英晶体的频偏,扩展了基于石英晶体的参考时钟的应用范围。

    压电谐振子的频率调整方法及频率调整装置

    公开(公告)号:CN100483940C

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200410086196.7

    申请日:2004-10-22

    发明人: 串田道保

    IPC分类号: H03H9/02 H03H3/04

    摘要: 一种压电谐振子的频率调整方法及频率调整装置,在衬底基板(1)的上面固定压电谐振子(10)而成的压电部件上,以第1掩模(44)的上面达到与压电谐振子的表面大致同一高度或其以下的方式,使其开口部嵌合压电谐振子的外周部地配置第1掩模,在第1掩模的上方空出一定空间(46)地配置第2掩模(45),从第2掩模的上方照射离子束来修整压电谐振子。由于第1掩模遮蔽发散的离子束,所以不会修整位于压电谐振子下方的衬底基板的电极。由于被离子束修整的压电谐振子的电极的飞散物向空间扩散,所以不再附着在压电谐振子上。因此,该频率调整方法,能够防止对不需要修整的部分照射离子束,防止在压电谐振子上再次附着电极的飞散物。