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公开(公告)号：CN118871192A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027338.3
申请日：2023-03-14
申请人： 国立大学法人东北大学
发明人： 丸冈伸洋
IPC分类号： B01J19/00 , B01J19/18 , B01F23/231 , B01F25/50 , B01F27/116 , B01F27/86 , B01F27/94 , B01F29/81 , B01F35/53 , B01F35/71 , B01F35/95
摘要： 具备：传热筒体(3)，形成为以中心轴线(C)为旋转中心的筒状，在内部供第一介质(11)流通；外筒(4)，配置于比传热筒体(3)靠径向外侧的位置，在与传热筒体(3)之间供与第一介质(11)不同的第二介质(12)流通；叶片(6)，设于比传热筒体(3)靠径向外侧的位置，朝向传热筒体(3)侧沿着径向延伸；以及供给装置(7)，使流体流入传热筒体(3)与外筒(4)之间的反应空间，传热筒体(3)被支承为能相对于外筒(4)绕中心轴线(C)旋转。
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公开(公告)号：CN118696084A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380020659.0
申请日：2023-02-06
申请人： 株式会社普利司通 , 国立大学法人东北大学 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
摘要： 本发明解决了提供一种可以改善单体收率的交联橡胶的分解方法的问题。解决该问题的手段是一种交联橡胶的分解方法，所述方法的特征在于包括：使用由通式(1)‑(3)表示的催化剂进行分解的第一分解工序(在式中，M是钌或钼等，X1、X2、L1、L2和L3各自独立地表示配体，R1、R2和R3各自独立地表示氢、烷基、环烷基、烯基、炔基或芳基等(这里，这些基团可以被一个以上的烷基、卤素或烷氧基等取代)，L1和L2、R1和R2或者L1和R1可以彼此键合而形成环)；和将第一分解工序中获得的分解产物在非活性气体气氛下、在不存在催化剂的情况下、在300℃‑450℃下热分解的第二分解工序。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118647659A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380019823.6
申请日：2023-02-06
申请人： 株式会社普利司通 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： C08J11/12
摘要： 本发明解决了提供交联橡胶的分解方法的问题，所述方法能够获得改善的单体收率。该交联橡胶的分解方法的特征在于包括第一分解步骤，其中包含包括二烯系橡胶的橡胶组分的交联橡胶在150‑400℃下热解，以及第二分解步骤，其中在惰性气体气氛中在不存在催化剂的情况下，将在第一分解步骤中获得的分解产物在300‑450℃下进一步热解。第一分解步骤优选在惰性气体气氛中进行。
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公开(公告)号：CN118632952A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019576.X
申请日：2023-02-20
申请人： 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
摘要： 提供：能廉价且连续地制造AlN单晶的AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置。一种AlN单晶的制造方法，其包括如下工序：熔液形成工序，将包含Al的合金加热、熔解，形成前述合金的熔液；和，析出工序，一边将熔液的一部分冷却而在熔液中设置温度梯度，一边使AlN单晶析出，析出工序中，使含氮气体与熔液内的高温部接触，且在熔液内的低温部保持单晶的AlN晶种或晶体生长用的基板，从而边持续进行高温部中的氮向熔液的掺入，边在低温部中使AlN单晶在AlN晶种或基板上析出，使AlN单晶连续地生长。
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公开(公告)号：CN118541876A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280083505.1
申请日：2022-10-21
申请人： 国立大学法人东北大学 , 国立研究开发法人情报通信研究机构 , 信越化学工业株式会社
IPC分类号： H01Q23/00 , C01B32/184 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01P11/00 , H01Q1/38
摘要： 提供一种适合用于从数10GHz至100GHz以上的信号频带的天线模块。所述天线模块包括：其中至少最上表面为碳化硅的单晶的基板；设置为与基板的最上面接触的单晶石墨烯层；和设置在基板上的氮化镓层。该天线模块的特征在于，通过将石墨烯层中未被氮化镓层覆盖的区域图案化而形成的天线元件部、在氮化镓层上形成的有源元件部、和连接天线元件部和有源元件部的连接部一体地形成。
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公开(公告)号：CN114981209B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080094577.7
申请日：2020-10-09
申请人： 国立大学法人东北大学
IPC分类号： C01B25/02
摘要： 一种磷的制造方法，其中，在通过非氧化性气体流通下的流通式反应进行通过使对液态的磷酸化合物加热所产生的磷氧化物与碳材料接触而还原，生成气态磷(g)，并将该气态磷(g)冷凝而得到液态磷(L)的反应时，在碳材料填充层内进行上述磷氧化物的还原反应，所生成的气态磷(g)的冷凝实质上在与上述碳材料填充层接触地配置于上述碳材料填充层的下游的冷凝促进部件填充层内进行。
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公开(公告)号：CN118475870A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280086889.2
申请日：2022-11-28
申请人： 大日本印刷株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： G02F1/1337 , G02F1/13
摘要： 本公开提供一种空间光相位调制用液晶取向构件，其特征在于，具有：基台部，其具备硅基板和像素电极，该像素电极被以3μm以下的周期配置为矩阵状；格子状的壁结构，其由电介质材料构成；基底层，其连接于格子状的壁结构；以及多个液晶填充用微细空间，其由格子状的壁结构彼此分隔；格子状的壁结构至少被配置在相邻的像素区域间，液晶填充用微细空间在与基台部平行的平面中，在第1轴向及第2轴向上具有形状各向异性，在将第1轴向的空间宽度记为WA，将第2轴向的空间宽度记为WB的情况下，WA小于WB，基底层形成有沿第2轴向延伸的基底槽。
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公开(公告)号：CN115443203B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280003691.3
申请日：2022-02-07
申请人： 佳能安内华股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
摘要： 将作为接合对象物的基体经由形成于该基体的接合面的由氧化物构成的接合膜在大气中接合。将接合膜形成于具有成为接合面的平滑面的2个基体的各自的所述平滑面，所述接合膜是通过真空成膜而形成的、至少表面被氧化的金属或半导体的薄膜，将该接合膜暴露于具有水分的空间，使该接合膜的表面亲水化，并且以该接合膜的表面彼此接触的方式使2个所述基体在大气中重叠。由此，在接合界面产生化学结合，将2个基体在大气中接合。通过对接合的基体根据需要在例如400℃以下的温度下加热，能够提高接合强度γ。该接合法也能够应用于用于器件的三维集成化的混合接合。
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公开(公告)号：CN118019716A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202180102598.3
申请日：2021-10-07
申请人： 国立大学法人东北大学
IPC分类号： C01G45/02 , B01J23/889 , C01G45/12
摘要： 本发明能够提供一种能在温和的条件下还原二氧化碳的二氧化碳还原催化剂、使用了该二氧化碳还原催化剂的二氧化碳还原方法以及二氧化碳还原装置。本发明的金属氧化物具有包含金属元素A、锰以及氧的尖晶石型晶体结构。该A为选自由镍和铜构成的组中的至少一种金属元素，锰与氧的摩尔组成比为1:1.8～1:2.2，金属元素A与锰的摩尔组成比为1:1.7～1:2.3。此外，本发明提供一种金属氧化物，其特征在于，该金属氧化物在通过利用了Cu‑Kα射线的X射线衍射测定而得到的X射线衍射图谱中，2θ值为16°～20°范围的峰(P18°)与2θ值为35°～39°范围的峰(P37°)的强度比(I18°/I37°)为0.2以上。
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公开(公告)号：CN115702118B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202180042777.2
申请日：2021-05-06
申请人： 国立大学法人东北大学 , 国立大学法人山梨大学
IPC分类号： C01G19/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L31/068
摘要： 本发明提供一种n型SnS薄膜，该n型SnS薄膜的平均厚度为0.100μm‑10μm，在光子能量1.1eV下的吸收系数α1.1与在光子能量1.6eV下的吸收系数α1.6之比(α1.1/α1.6)为0.200以下，S含量与Sn含量的原子比为0.85‑1.10，具有n型传导性。
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