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公开(公告)号：CN103427004A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310146566.0
申请日：2013-04-24
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/50
摘要： 本发明公开一种用于制造发光二极管晶粒的系统，包括发光二极管晶粒及波长转换层，波长转换层用于附着到能量感应粘着层，粘着层用于依据曝光于如电磁辐射或热能的物理能量来降低粘着性。系统还包括用于降低粘着层的粘着性以帮助波长转换层从基板上移除的固化设备及用于将波长转换层从基板移除并将波长转换层附着到发光二极管晶粒的附着设备。用于制造发光二极管晶粒的方法包括：将在基板上的粘着层曝光在物理能量，以降低粘着层的粘着性，并帮助波长转换层从基板移除；将波长转换层从基板上移除；及将波长转换层附着到发光二极管晶粒。
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公开(公告)号：CN101834239A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910132057.6
申请日：2009-04-15
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明关于一种具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管及其制造方法。所述方法包括：在一衬底上沉积一或多层n型III族氮化物半导体层，其中所述一或多层n型III族氮化物半导体层具有一第一表面以及一第二表面；在所述一或多层n型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层；在所述一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层p型III族氮化物半导体层；在所述一或多层p型III族氮化物半导体层上沉积一原位(in-situ)形成层；在所述原位形成层上沉积一或多层反射金属层。本发明还关于一种III族氮化物发光二极管。
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公开(公告)号：CN101785085A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880018652.0
申请日：2008-06-04
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L33/0079
摘要： 一种制造发光二极管的系统及方法，包括：形成一多层外延结构于一载体基板上；沉积至少一金属层于多层外延结构上；及移除载体基板。
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公开(公告)号：CN101772840A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880020116.4
申请日：2008-06-10
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L33/0079
摘要： 本发明提供在半导体元件的GaN层的反转结构表面上制造接触的技术。可形成具有藉由移除一基板而外露之表面的一n-掺杂GaN层，该n-掺杂GaN层原本形成于该基板上。此一表面的晶体结构可具有非常不同于刚沉积的p-掺杂GaN的表面的结构。
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公开(公告)号：CN103681723A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210316440.9
申请日：2012-08-30
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/64 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是一种发光二极管，包括一第一发光二极管晶粒以及一第二发光二极管晶粒，其分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第二半导体之间的一多重量子井层。其中，该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第二发光二极管晶粒的第二半导体层相耦接以形成串接的结构，因此发光二极管整体所需的电流减少，进而降低发光二极管的所产生的热度，并可进一步缩小散热片的尺寸，以提高发光二极管的发光亮度。
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公开(公告)号：CN102439741B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201080001595.2
申请日：2010-11-01
申请人： 旭明光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/405
摘要： 一种高亮度的垂直型发光二极管装置(300)，包括依次沉积的镜面反射层(306)，第一电性半导体层(304)，活化层(303)，第二电性半导体层(302)，第二金属电极(301)。第二金属电极(301)两侧分别为高光照射侧(301′)和低光照射侧(301″)。低光照射侧(301″)位于镜面反射层(306)的范围之外。且镜面反射层(306)与第一电性半导体(304)之间接触的面积占第一电性半导体层(304)的面积的75％以上。该结构可以增进电流分散能力，减少金属电极吸光，提高亮度和效率。
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公开(公告)号：CN102593309A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110004726.9
申请日：2011-01-11
申请人： 旭明光电股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/73265 , H01L2224/8592
摘要： 本发明是关于一种芯片式发光装置及其封装结构。所述芯片式发光装置包括：一个或多个发光半导体；以及一个或多个框架，配置在该发光半导体的顶部上方。利用本发明提供的技术方案，能够提升制造成品率并且降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102593269A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110004985.1
申请日：2011-01-11
申请人： 旭明光电股份有限公司
发明人： 颜睿康
摘要： 本发明公开了一种白光发光二极管装置，其包含：一导电衬底；一多层发光半导体外延结构，形成在该导电衬底上；一接点，设置在该多层发光半导体外延结构上；一透明层，设置在该多层发光半导体外延结构上；一波长转换层，设置在该透明层上；以及一光学层，设置在该波长转换层上。本发明亦提供该白光发光二极管装置的制造方法。本发明实施例的白光LED装置及其制造方法，具有更佳的色彩均匀性而无黄环问题，可延长其使用寿命并且改善其安定性。依照本发明的方法，易于进行重工，因此可大幅降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102544313A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110425436.1
申请日：2011-11-09
申请人： 旭明光电股份有限公司
发明人： 颜睿康
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
摘要： 提供了一种具有改进的热传导路径的、较传统LED灯具有低热阻的发光二极管(LED)结构。对某些实施例来说，提供了一种表面可安装的发光二极管结构，其包括沉积在直接连接至金属板的金属基底上的活化层，通过将其放在该发光二极管结构的底部，该金属板基本露出以得到低热阻。该金属板然后可以焊接至一个包括散热器的印刷电路板(PCB)。对本发明的某些实施例来说，该金属板通过多个热传导层可导热并可导电地连接至包括在该结构中的大散热器。
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公开(公告)号：CN102347413A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110089279.1
申请日：2011-04-11
申请人： 旭明光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/641 , H01L33/647
摘要： 本发明提供一种具有电极框架的垂直发光二极管晶粒及其制造方法。垂直发光二极管晶粒包含：一金属基部；一镜面体，位于金属基部上；一p-型半导体层，位于反射器层上；一多重量子阱层，位于p-型半导体层上并用以发光；及一n-型半导体层，位于多重量子阱层上。垂直发光二极管晶粒还包含：一电极与一电极框架，位于n-型半导体层上；及一有机或无机材料，被容纳于电极框架内。电极及电极框架可用以提供高电流容量，并将电流从n-型半导体层的外周边散布到n-型半导体层的中心。还可包含一钝化层，钝化层形成在金属基部上，且包围电极框架、镜面体的边缘、p-型半导体层的边缘、多重量子阱层的边缘及n-型半导体层的边缘并使其电性绝缘。
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