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公开(公告)号：CN104701447A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310646134.6
申请日：2013-12-04
申请人： 旭明光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种制造金属装置，例如直立的发光二极管（VLED）芯片、电源装置、雷射二极管、及直立的孔洞表面发射雷射装置的方法。据此制造的装置具有较大的产量，且效能优于常用的金属装置，例如发光二极管的亮度较高、热传导度增加。此外，此种技术可适用于具有高散热率，且具有已被移除的原本非（或低）导热及/或非（或低）导电载具的金属板的情形下的GaN基底的电子装置。
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公开(公告)号：CN103681723A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210316440.9
申请日：2012-08-30
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/64 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是一种发光二极管，包括一第一发光二极管晶粒以及一第二发光二极管晶粒，其分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第二半导体之间的一多重量子井层。其中，该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第二发光二极管晶粒的第二半导体层相耦接以形成串接的结构，因此发光二极管整体所需的电流减少，进而降低发光二极管的所产生的热度，并可进一步缩小散热片的尺寸，以提高发光二极管的发光亮度。
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公开(公告)号：CN101711432B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880020031.6
申请日：2008-06-11
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/207
CPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出在半导体元件(例如发光二极管，LED)中的电流流动的控制方法。对于某些实施例，具有电流引导结构，该电流引导结构包括邻接的高接触区域和低接触区域。对于某些实施例，除了在N接触焊垫和金属合金基板之间的电流路径之外，还具有第二电流路径。对于某些实施例，具有电流引导结构和第二电流路径两者。
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公开(公告)号：CN102185072A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110112032.7
申请日：2008-06-11
申请人： 旭明光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种发光二极管LED，包括：一金属基板；一发光用LED堆迭，配置在该金属基板上，其中该LED堆迭包括一P型半导体层及一N型半导体层；一N电极，配置在该N型半导体层上；一保护元件，配置在该N型半导体层上；一导电材料，接设于该金属基板和该保护元件之间。本发明的发光二极管LED元件可享有降低的操作温度与增加的元件可靠度及/或寿命。
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公开(公告)号：CN101772840A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880020116.4
申请日：2008-06-10
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L33/0079
摘要： 本发明提供在半导体元件的GaN层的反转结构表面上制造接触的技术。可形成具有藉由移除一基板而外露之表面的一n-掺杂GaN层，该n-掺杂GaN层原本形成于该基板上。此一表面的晶体结构可具有非常不同于刚沉积的p-掺杂GaN的表面的结构。
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公开(公告)号：CN103996774A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310054974.3
申请日：2013-02-19
申请人： 旭明光电股份有限公司
摘要： 本发明是提供一种具有电流引导结构的立式发光二极管，其是用于控制在如发光二极管的半导体元件的电流的技术。对于某些实施例而言，是可提供具有邻近高/低接触区域的一电流导引结构。对于某些实施例而言，是可提供一第二电流路径(除了在一n接触焊垫与一基板之间的一电流路径之外)。对于某些实施例而言，是可同时提供一电流导引结构以及第二电流路径。
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公开(公告)号：CN103681725A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210335502.0
申请日：2012-09-11
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L33/04 , H01L25/0753 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是一种发光二极管，包括：一第一发光二极管晶粒、一第二发光二极管晶粒以及一第三发光二极管晶粒分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第二半导体之间的一多重量子井层，该第二发光二极管设置在该第一发光二极管晶粒以及该第三发光二极管晶粒之间。其中，该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第二发光二极管晶粒的第二半导体层相耦接，该第二发光二极管晶粒的第一半导体层与该第三发光二极管的第一与第二半导体层相耦接。
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公开(公告)号：CN102569547A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110072452.7
申请日：2011-03-24
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/647 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提供一种垂直发光二极管(VLED，vertical light emitting diode)晶粒，包括：一第一金属，具有一第一表面以及一相对的第二表面；一第二金属，位于该第一金属的第二表面上；一p-型半导体层，位于该第一金属的第一表面上；一多重量子阱(MQW，multiplequantum well)层，位于该p-型半导体层上并用以发光；以及一n-型半导体层，位于该多重量子阱(MQW)层上。
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公开(公告)号：CN103165806A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210252683.0
申请日：2012-07-20
申请人： 旭明光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
摘要： 本发明关于一种用以产生均匀白光的发光二极管组件，以及该发光二极管组件在晶圆层次及个别晶粒层次的制作方法。该发光二极管组件包括：一金属层；一p型半导体，耦接至该金属层；一主动区，耦接至该p型半导体；一n型半导体，耦接至该主动区；以及一波长转换层，耦接至该n型半导体的至少一部份；其中，该波长转换层实质上为保形的。
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公开(公告)号：CN101711432A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200880020031.6
申请日：2008-06-11
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/207
CPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出在半导体元件(例如发光二极管，LED)中的电流流动的控制方法。对于某些实施例，具有电流引导结构，该电流引导结构包括邻接的高接触区域和低接触区域。对于某些实施例，除了在N接触焊垫和金属合金基板之间的电流路径之外，还具有第二电流路径。对于某些实施例，具有电流引导结构和第二电流路径两者。
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