-
公开(公告)号：CN113373503B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010156644.5
申请日：2020-03-09
摘要： 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，用于单晶硅锭的铸造，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成，每种所述籽晶分别至少包括一块；其中，所述三种籽晶的生长面晶向相同，所述三种籽晶的侧面晶向不同，所述生长面晶向为 、 或 ；当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时，多块所述一种籽晶之间互不接触。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层，能有利于减少晶体位错比例，提高硅锭的质量。本申请还提供了一种单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭。
-
公开(公告)号：CN113564689A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010357713.9
申请日：2020-04-29
摘要： 本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上，将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块，且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐，将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶区域，得到回收后的多块单晶硅籽晶，并标记每块的类型；(3)将步骤(2)得到的籽晶按步骤(1)的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用，降低了铸造类单晶的籽晶成本。
-
公开(公告)号：CN113564695B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010354039.9
申请日：2020-04-29
摘要： 本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)n排布形式的架空结构，其中，A为垫片层，B为支撑片层，n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构，可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本，并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。
-
公开(公告)号：CN113373503A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010156644.5
申请日：2020-03-09
摘要： 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，用于单晶硅锭的铸造，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成，每种所述籽晶分别至少包括一块；其中，所述三种籽晶的生长面晶向相同，所述三种籽晶的侧面晶向不同，所述生长面晶向为 、 或 ；当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时，多块所述一种籽晶之间互不接触。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层，能有利于减少晶体位错比例，提高硅锭的质量。本申请还提供了一种单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭。
-
公开(公告)号：CN113122913A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010027396.4
申请日：2020-01-10
摘要： 本申请提供了一种籽晶的铺设方法，包括：提供坩埚、多个第一籽晶和多个第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面为同一晶向族，均为 ；在所述坩埚底部交替拼接铺设所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶层，其中，所述籽晶层包括至少一个2×2矩阵单元，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第一籽晶的生长面晶向相反，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第二籽晶的生长面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向具有夹角。通过本申请提供的籽晶铺设方法，使得籽晶与其周围籽晶之间侧面晶向均存在夹角，在制备单晶硅过程中可以形成晶界，减少缺陷的发生和引晶时的位错源，降低位错密度，提高硅锭的质量。
-
公开(公告)号：CN113699581B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202011253772.8
申请日：2021-04-14
摘要： 本发明公开了一种铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法。包括炉体，所述炉体顶部设置有第一开口，所述第一开口中设置有进气装置；所述炉体内设置有隔热笼，所述隔热笼内设有热交换台，所述热交换台上设置有底板，所述底板设置在所述石英坩埚底部，所述底板与围设在所述石英坩埚外侧的护板相连，所述隔热笼内还设有侧边加热器，所述侧边加热器设置在所述护板外侧，所述护板上设置有盖板；所述炉体底部设有第二开口，所述第二开口内设置有旋转轴，所述旋转轴与所述热交换台相固定，所述旋转轴与所述炉体外的旋转驱动装置连接，其中，所述护板包含四块首尾相连的护板，所述四块护板都存在一边边缘设置有矩形缺口。采用铸锭单晶炉和该铸锭单晶硅的制备方法制备的铸锭单晶硅的杂质含量少，品质高。
-
公开(公告)号：CN113699581A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011253772.8
申请日：2021-04-14
摘要： 本发明公开了一种铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法。包括炉体，所述炉体顶部设置有第一开口，所述第一开口中设置有进气装置；所述炉体内设置有隔热笼，所述隔热笼内设有热交换台，所述热交换台上设置有底板，所述底板设置在所述石英坩埚底部，所述底板与围设在所述石英坩埚外侧的护板相连，所述隔热笼内还设有侧边加热器，所述侧边加热器设置在所述护板外侧，所述护板上设置有盖板；所述炉体底部设有第二开口，所述第二开口内设置有旋转轴，所述旋转轴与所述热交换台相固定，所述旋转轴与所述炉体外的旋转驱动装置连接，其中，所述护板包含四块首尾相连的护板，所述四块护板都存在一边边缘设置有矩形缺口。采用铸锭单晶炉和该铸锭单晶硅的制备方法制备的铸锭单晶硅的杂质含量少，品质高。
-
公开(公告)号：CN113564695A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010354039.9
申请日：2020-04-29
摘要： 本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)n排布形式的架空结构，其中，A为垫片层，B为支撑片层，n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构，可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本，并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。
-
公开(公告)号：CN112098406A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010775404.3
申请日：2020-08-04
IPC分类号： G01N21/84
摘要： 本申请实施例提供了一种晶体硅晶向的测定方法，包括以下步骤：取待测晶体硅片，将所待测晶体硅片至少包括一对相对设置的第一表面和第二表面；对所述第一表面进行腐蚀处理，清洗、干燥后，转移至平台上，使第二表面贴于所述平台上，设置光源以将所述干燥后的第一表面暴露在同一光照强度下，拍摄所述第一表面的图像，经图像处理得到所述图像的灰度值数据；将所述图像的灰度值数据与标准晶向对照表的标准灰度值数据进行比对，以测定所述待测晶体硅片的第一表面的晶向；所述标准晶向对照表包含多种不同标准晶向的图像的灰度值数据。该晶体硅晶向的测定方法能够快速、有效地测定晶向，提高检测效率，减少检测成本。本申请还提供了该测定方法的应用。
-
公开(公告)号：CN118458777A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410364510.0
申请日：2024-03-28
申请人： 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司 , 新余赛维铸晶技术有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B29/36
摘要： 本申请公开一种SiC粉料及其制备方法和SiC晶体，包括以下步骤：将原料与碱液按照一定的质量比，在第一温度下反应第一时间，其中，原料包含硅粉和碳粉，碱液为超纯水与氨水、有机碱中的一种或者多种混合溶液；原料中的硅粉与碱液反应产生氢气使原料体积膨胀并形成多孔预制体；将多孔预制体进行干燥；将干燥后的多孔预制体进行SiC原料的合成；将合成后的SiC原料经过破碎、筛分、清洗、干燥后得到SiC粉料。本申请提供的SiC粉料的制备方法，通过预先将原料粉制备成含有大量孔隙的预制体，原料粉内包含的大量的孔隙使原料比表面积显著增加，在温度梯度的作用下料面的附近均有大粒径SiC颗粒，从而使合成出更多的大粒径SiC粉料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
83 条记录 (耗时 0.052 秒)
