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公开(公告)号：CN118571820B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411055354.6
申请日：2024-08-02
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
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公开(公告)号：CN118888505A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411388809.6
申请日：2024-10-08
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种调平压合设备校准方法、装置、调平压合设备及存储介质，本发明通过在上玻璃基板的上表面四周均匀间隔开地设置有四个电机，在进入调平流程后则禁用其中一个电机，并根据上玻璃基板的中心点与尚未禁用的三个电机之间的距离，以及上玻璃基板所吸附的第一晶圆的下表面与下玻璃基板所吸附的第二晶圆的上表面之间的夹角，确定出尚未禁用的电机需要驱动上玻璃基板移动的目标距离，并根据目标距离控制电机驱动上玻璃基板移动，以完成上玻璃基板和下玻璃基板的调平。本发明可以自适应进行上玻璃基板和下玻璃基板的调平，且通过四点调平机构在提高了调平精度的同时，也提高调平过程中的稳定性以及适应性。
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公开(公告)号：CN118875535A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411397327.7
申请日：2024-10-09
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
摘要： 本申请涉及一种切割方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取待切割对象的实际定位点、参考定位点以及与所述参考定位点相匹配的预设切割断点，所述预设切割断点将所述待切割对象的参考切割轨迹划分为至少一个局部切割轨迹；根据所述实际定位点和所述参考定位点之间的位置偏差，从所述预设切割断点中确定偏差切割断点；根据所述位置偏差，对所述偏差切割断点对应的局部切割轨迹进行调整，得到目标切割轨迹，并按照所述目标切割轨迹，对所述待切割对象进行切割。采用本方法能够提高切割精确度。
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公开(公告)号：CN118486614B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410923221.X
申请日：2024-07-10
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
摘要： 本发明公开一种用于晶圆解键合的清洗罩组件、清洗装置及清洗方法，属于半导体技术的领域，用于晶圆解键合的清洗罩组件包括罩体和防溅环。所述罩体具有清洗腔和排水孔，所述清洗腔通过所述排水孔与所述罩体的外部连通。所述防溅环具有与所述清洗腔的内壁连接的连接端和沿着背离所述清洗腔的内壁的方向向上倾斜延伸的悬空端，所述防溅环的所述悬空端围合形成用于配置于待洗工件上方的喷射口，所述防溅环与所述清洗腔的内壁共同围合形成沿着所述喷射口的边缘周向延伸的集水槽，所述防溅环开设有落水孔，集水槽、落水孔、排水孔从上往下依次连通。本发明的用于晶圆解键合的清洗罩组件可以防止清洗液飞溅时反弹到待洗工件上形成水渍，提高清洗效果。
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公开(公告)号：CN118808885A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411091876.1
申请日：2024-08-09
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
IPC分类号： B23K26/062 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70 , G06Q10/04
摘要： 本申请涉及显示技术领域，具体为一种显示面板的激光切割方法、装置、激光切割系统、可读存储介质和程序产品。所述方法包括：获取第一切割路径和第二切割路径，第一切割路径和第二切割路径中至少有一个切割路径存在圆弧段；调整承载有显示面板的加工平台的位置和扫描振镜的偏转角度，以使经扫描振镜偏转的激光光束沿着第一切割路径和第二切割路径切割显示面板，并实时获取激光光束在显示面板上的切割位置；在激光光束的切割位置位于拼接区段时，通过声光调制器降低激光光束的能量，直至激光光束的切割位置离开拼接区段，形成第一切割槽；第一切割槽的深度小于预设切割深度。采用本方法能够降低激光在切割路径的拼接区段造成的下层膜层的损伤概率。
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公开(公告)号：CN118789144A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411286302.X
申请日：2024-09-13
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种激光加工方法、装置、设备及存储介质，本发明实施例预通过设置有效测量范围的方式，屏蔽了来自工件载台之外的物体对高度测量单元的干扰，且进一步将激光焦点的高度跟随范围限制在工件表面上，能够更加精确地确定出高度跟随的开始位置和结束位置，提高加工过程中的加工精度，在加工过程中工件的长度发生变化时，也能自适应改变高度跟随的开始位置和结束位置，提升激光加工跟随的稳定性。
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公开(公告)号：CN118789057A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411291282.5
申请日：2024-09-14
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
IPC分类号： B23K1/20 , B23K1/005 , B23K3/04 , B23K101/40
摘要： 本发明公开一种热风预热装置及芯片激光焊接设备，涉及半导体制造的技术领域，该热风预热装置可应用于芯片激光焊接设备，其包括热风罩、风机、发热组件以及导风板，其中，热风罩内部形成有中空的热风腔，热风罩还间隔设置有均连通于热风腔的进风口以及出风口，发热组件设置于热风腔内，导风板封盖于出风口并贯穿有多个均布设置的导风口。该热风预热装置在热风腔内设置发热组件，并通过在出风口设置均布有导风口的导风板，让加热空气均匀地通过各导风口排出热风腔并均匀地流经基板以及各芯片，从而提升基板各处以及各芯片的预热均匀性，避免基板因局部温差较大而导致边沿发生翘楚形变甚至开裂的问题。
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公开(公告)号：CN118486633B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410918392.3
申请日：2024-07-10
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/60
摘要： 本申请涉及一种晶圆键合卡盘，包括内盘及外盘，内盘上设置有用于吸附下晶圆片的负压吸附部，外盘沿其周向间隔设置有若干间隔组件及若干压紧组件；每一间隔组件均包括可转动地连接于外盘上的转动连接件、升降轴及与升降轴连接的分隔片，分隔片能够用于将上晶圆片与下晶圆片隔开；转动连接件包括连接套筒，升降轴可沿连接套筒高度方向位置可调节地设置于连接套筒内；压紧组件用于将分隔片上的上晶圆片压紧。通过设置负压吸附部，可将下晶圆片进行吸附固定；通过设置间隔组件，可将上晶圆片与下晶圆片隔开，可通过调整升降轴相对连接套筒高度，可实现调整上晶圆片与下晶圆片之间的间距，可满足对上晶圆片与下晶圆片之间不同间距的需求，适用性较广。
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公开(公告)号：CN118442394B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410904084.5
申请日：2024-07-08
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
IPC分类号： F16C32/06
摘要： 本申请涉及一种单边主导向的气浮导轨，包括导轨组件和滑板组件，滑板组件包括第一支承件、第二支承件、第三支承件和第四支承件，第一支承件朝向导轨组件的侧面上设有第一出气口和第一抽气口，第四支承件朝向导轨组件的侧面上设有能沿水平方向移动的第二气浮垫；本申请的单边主导向的气浮导轨，通过使导轨组件可同时到来自第一出气口和第二出气口的推力以及第一抽气口和第二抽气口的吸力，避免导轨组件因只受推力而导致的较大形变，并通过第一气浮垫和第二气浮垫可辅助调整导轨组件气浮面的平行度和气膜厚度，以在保证导轨组件的导向精度的同时，使气浮导轨可在更换不同负载的情况下发挥最佳性能。
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公开(公告)号：CN118431139B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410897410.4
申请日：2024-07-05
申请人： 迈为技术(珠海)有限公司
摘要： 本申请涉及一种晶圆对准方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：将第一晶圆传输至目标腔体内的运动台上，获取设置在目标腔体上表面的摄像装置采集的第一晶圆的第一边缘图像，并根据多个摄像装置采集的第一边缘图像以及预设的融合坐标系，确定第一晶圆的位姿数据；针对每一个摄像装置，控制运动台沿预设方向，向该摄像装置所在位置移动，以使第一晶圆伸出到第二晶圆的边缘之外，得到多个摄像装置采集的第二晶圆的第二边缘图像，并根据多个摄像装置采集的第二边缘图像以及融合坐标系，确定第二晶圆的位姿数据；根据第一晶圆的位姿数据以及第二晶圆的位姿数据，对准第一晶圆与第二晶圆。采用本方法能够提升晶圆键合工艺中晶圆对准的精度。
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