公开(公告)号：CN118882579A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411057743.2

申请日：2024-08-02

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 霍发燕 ,  聂宏宇 ,  计欣磊 ,  孟伟

IPC分类号： G01B21/20 ,  G01B21/32 ,  G01N25/20

摘要： 本发明提供一种模拟回流焊温度曲线的方法、PCB板及IC板的翘曲测量方法，包括：将第一样品和第二样品放置在热变形测试仪中；根据回流焊温度曲线预设热变形测试仪各温度段及系统增益K值范围；将热变形测试仪进行预热并调节热变形测试仪的排风口风量；在升温段、恒温段及降温段调节热变形测试仪的排风口风量及底部加热器的最大功率使得热变形测试仪的实际系统增益K在预设系统增益K值范围内；记录升温段、恒温段及降温段中第一样品的实时温度和第二样品的翘曲值。最终，本发明可以得到回流焊温度曲线下温度与翘曲值之间的函数关系，在该函数关系下本发明可以精确测量PCB板及IC板在对应温度下的翘曲值。

公开(公告)号：CN118076000A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410314113.2

申请日：2024-03-19

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 李君红 ,  和宜涛 ,  杜玲玲 ,  张军 ,  彭增 ,  王建彬

IPC分类号： H05K3/02 ,  H05K3/18 ,  H05K3/42 ,  H05K3/06 ,  H05K1/11

摘要： 本发明提供一种无芯板单层埋线电路板结构及制作方法，该方法包括：提供双面覆铜载板，包括中心载板及位于中心载板相对两面的第一铜箔，第一铜箔与中心载板之间设有粘连层；于第一铜箔远离中心载板一侧形成埋线图形层；形成覆盖埋线图形层的外增层；刻蚀位于第一线路图形层图形间隙下方导电层，刻蚀量为外增层与埋线图形层之间闪蚀量差值；将第一铜箔从粘连层剥离，采用闪蚀法刻蚀第一铜箔及位于第一线路图形层图形间隙下方剩余导电层。本发明对增层中高厚径比的盲孔进行填充之前进行闪镀，增加盲孔的孔内导电性，使得线路图形层能够较好的填充到盲孔中；并且，采用分步闪蚀法解决电路板结构双面刻蚀量不同的问题，适配高厚径比产品的不对称闪蚀。

公开(公告)号：CN118053797A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211430299.5

申请日：2022-11-15

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 秦丽赟 ,  田鸿洲 ,  宋景勇 ,  冯后乐 ,  付海涛 ,  赖兴炜

IPC分类号： H01L21/677

摘要： 本发明公开了一种用于FCBGA封装基板除胶渣时的上下板装置，该上下板装置包括第一框架放置区、输入系统、转运系统、输出系统以及第二框架收板区，输入系统的输入机械手臂用于吸取位于第一框架输入区内第一框架上存放的基板，并将吸取到的基板进行转运。第一框架输送机械手臂用于将空的第一框架输送至第一框架存放区。转运系统的转运机械手臂用于接收输入机械手臂吸取的基板并将其转运。第二框架收板区与输出机械手臂对应设置，以便于输出机械手臂将接收到的基板放置于位于第二框架收板区内的第二框架。由此，本发明所述的上下板装置能够避免输送人工接触，有效保护封装基板的图形区，并减小了人工操作引起的翘曲问题。

公开(公告)号：CN117987904A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211327440.9

申请日：2022-10-27

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 田鸿洲 ,  宋景勇 ,  许托 ,  冯后乐 ,  秦丽赟 ,  杨威

IPC分类号： C25D17/08 ,  C25D7/12 ,  H01L21/67 ,  H01L23/14

摘要： 本申请提供一种FCBGA封装基板电镀固定装置及FCBGA封装基板电镀生产线，涉及FCBGA封装基板加工的技术领域，FCBGA封装基板电镀固定装置包括框架、第一夹持结构和第二夹持结构。其中，第一夹持结构安装在框架上且靠近底部，用于夹持FCBGA封装基板的下边缘。第二夹持结构靠近框架的顶部设置，用于夹持FCBGA封装基板的上边缘，第二夹持结构以在垂直方向上的预定长度内可往复移动的方式与框架滑动连接。其中，在第一夹持结构夹持住FCBGA封装基板的下边缘，及第二夹持结构夹持住FCBGA封装基板的上边缘后，第二夹持结构具有向上移动的趋势以给FCBGA封装基板施加垂直方向的拉伸作用力。本申请的技术方案能够改善甚至消除FCBGA封装基板的翘曲、弯曲或褶皱问题，提高电镀的均匀性。

公开(公告)号：CN117987902A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211328325.3

申请日：2022-10-27

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 田鸿洲 ,  宋景勇 ,  许托 ,  冯后乐 ,  秦丽赟 ,  杨威

IPC分类号： C25D17/02 ,  C25D7/12 ,  C25D5/08 ,  H01L21/48

摘要： 本申请提供一种FCBGA封装基板电镀装置及电镀方法，属于FCBGA封装基板加工领域，FCBGA封装基板电镀装置用以电镀FCBGA封装基板，FCBGA封装基板电连接于阴极端，电镀装置包括电镀槽、第一、第二固定架和多个阳极板。电镀槽用于容纳电镀液。第一固定架与第二固定架平行且都置于在电镀槽中。多个阳极板，每个阳极板的板面电流的控制形式被配置为单独控制的形式；沿第一固定架的竖直延伸方向安装至少两个阳极板，沿第二固定架的竖直延伸方向安装至少两个阳极板，第一固定架上的阳极板的板面与第二固定架的阳极板的板面平行。在电镀时，FCBGA封装基板被置于第一固定架上的阳极板和第二固定架上的阳极板之间。本申请的技术方案能够提高FCBGA封装基板的电镀均匀性。

公开(公告)号：CN117711953A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311772752.5

申请日：2023-12-20

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 杜玲玲 ,  颜国秋 ,  上官昌平 ,  黄剑 ,  敖伟平 ,  张伟 ,  曹子鲲 ,  张大伟

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

摘要： 本发明提供一种无芯基板结构及其制作方法，该方法采用压合法于临时承载板的正面与背面均形成底层绝缘层，底层绝缘层远离临时承载板的一面设有底层硬掩膜层；图形化底层硬掩膜层并干法刻蚀底层绝缘层以得到底层焊盘通槽与底层线路通槽；形成嵌入式的底层线路层，底层绝缘层及底层线路层构成底层互连层；形成至少一中间层互连层于临时承载板的正面与背面；形成顶层互连层于临时承载板的正背面；进行拆板以得到均包括依次叠加的底层、中间层及顶层互连层的第一、第二无芯基板结构。本发明可实现更精细线路、更轻薄、更高线路密度以及多功能化的封装，减少信号传输的损耗，且一次性制作两块无芯基板有利于提高生产效率，同时更加环保、生产成本更低。

公开(公告)号：CN116359268A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310343018.0

申请日：2023-04-03

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 樊丽霞 ,  霍发燕 ,  付海涛

IPC分类号： G01N23/2251 ,  G01N23/2202 ,  G01N1/28

摘要： 本发明提供一种FCBGA盲孔孔底品质分析方法，传统的盲孔孔底品质监控通常采用单区域FIB加工模式，若加工多区域则将样品台从固定角度旋转至0°重复寻找定位点，步骤繁琐，花费时间长；本发明采用定位一次，多个区域先依次执行沉积再依次执行切割，在同一工序中对多个区域进行加工，大大缩短加工时间提高效率，且可实现连续监控同一个盲孔不同孔底位置的品质的目的；加工完毕后，发现一个或多个加工区域出现裂缝、针孔等缺陷，即可在样品台保持固定角度的基础上按位置挨个进行元素分析，无需再将样品台旋转至0°。同时加工多个区域的范围可以很广，可实现在视野范围内根据加工尺寸大小实行多个加工区域，加工尺寸越小，加工区域越多。

公开(公告)号：CN112867236B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202110082734.9

申请日：2021-01-21

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 石新红 ,  周华梅 ,  黄剑 ,  张军 ,  黄丽君 ,  付海涛

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/42

摘要： 本发明提供一种IC封装基板及其制作方法，制作方法包括：提供具有相对第一面和第二面的芯板，自第一面在芯板中进行第一次开孔，形成若干个第一孔，在第一孔内填充第一导电材料，自第二面在芯板中进行第二次开孔，形成若干个第二孔，在第二孔内填充第二导电材料，第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，以进行散热。本发明的IC封装基板制作中，通过高密度通孔实现印刷线路板的散热，基于通孔填孔的方式替代现有埋铜块的制作方法，还可以将散热结构与线路层制备结构，提高线路板散热效果，提高结构的稳定性，简化制备工艺，提高工艺效率，适于批量生产。

公开(公告)号：CN115799074A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211527746.9

申请日：2022-11-30

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 曹子鲲 ,  黄剑 ,  查晓刚 ,  王建彬 ,  付海涛 ,  颜国秋 ,  张伟 ,  上官昌平

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 本发明一种嵌入式封装结构的制作方法，使用UV激光成孔工艺先于绝缘介质层中形成与芯片的焊盘具有一定距离的盲孔，再利用蚀刻工艺形成通孔，由于UV激光成孔工艺属于光化学作用，从而可以有效降低对芯片的热效应影响，以降低芯片损伤的风险，在一定程度上简化了制造工艺流程，提高了生产效率、且由于没有采用传统的湿法刻蚀工艺，从而可以减少环境污染、降低生产成本；此外，本发明所提供的工艺不受衬底表面的铜箔类型的限制，无需对表面做任何开窗处理，具有很高的适用性。

公开(公告)号：CN115547849A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211178336.8

申请日：2022-09-23

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 颜国秋 ,  上官昌平 ,  查晓刚 ,  王建彬 ,  付海涛 ,  黄剑 ,  曹子鲲 ,  杜玲玲

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构的制备方法包括：于载板设置第一介质层，用准分子激光在第一介质层设置凹槽和开口，于凹槽和开口表面设置第一导电层、第二导电层，并设置阻焊层和焊料层。本发明通过使用准分子激光制备RDL(重布线层)，省去传统光刻需要的湿法制程，精简流程，降低成本，减少污染和化学危害；同时利用准分子激光的高分辨率，提高RDL的加工精度和边缘平滑度；另外，配合准分子激光制备过程为冷加工的特性，避免加工热效应的材料变形问题和热膨胀系数不匹配产生的内应力翘曲问题；最后通过准分子激光制备的内埋式线路，减少封装结构受到的磨损，提高产品可靠性和良品率。