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公开(公告)号：CN119381255A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411443275.2
申请日：2019-07-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
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公开(公告)号：CN106163985B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580018759.5
申请日：2015-04-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的在于：提供能够使电极消耗降低至实用水平的石墨－铜复合电极材料和使用该材料的放电加工用电极。关于该石墨－铜复合电极材料，在由石墨材料形成的基材的气孔中含浸有铜，电阻率为2.5μΩm以下，优选为1.5μΩm以下，特别优选为1.0μΩm以下。希望由上述石墨材料形成的基材的各向异性比为1.2以下，希望电极材料中的铜的含浸率为13％以上，希望由上述石墨材料形成的基材的容积密度为1.40Mg/m3以上1.85Mg/m3以下。
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公开(公告)号：CN108970943A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810755750.8
申请日：2014-07-18
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01B1/24 , C08K3/04 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C09D5/24 , C09D121/00 , H01B1/04
Abstract: 片状复合体(201)具有：膨胀石墨片基材(210)、和在膨胀石墨片基材(210)的端面的至少一部分形成的不透气性的树脂层(220)。
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公开(公告)号：CN104968634B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480007718.1
申请日：2014-01-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Inventor： 篠原正人
IPC: C04B41/89 , C04B41/87 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/683
CPC classification number: C04B41/89 , C04B35/522 , C04B41/00 , C04B41/009 , C04B41/4529 , C04B41/5059 , C04B41/5061 , C04B41/52 , C04B41/53 , C23C16/4581 , C30B29/36 , C30B35/00 , H01L21/683 , H01L21/68757 , Y10T428/24612 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B41/4519 , C04B41/5001 , C04B41/5346 , C04B41/455 , C04B41/5057
Abstract: 本发明提供一种耐久性优异的碳化硅‑碳化钽复合材料。碳化硅‑碳化钽复合材料(1)具备：表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004863A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065649.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 独立行政法人国立高等专门学校机构 , 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种通过使微小的Nb(氧化Nb)分散在膨胀石墨片中能够大幅提高电池特性的空气电池用正极、用该正极的空气电池和该正极的制造方法。本发明的空气电池用正极的特征在于包括膨胀石墨片，该膨胀石墨片具有膨胀石墨和分散在片内部的Nb，上述Nb与上述膨胀石墨的重量比为5ppm以上50000ppm以下。
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公开(公告)号：CN107004592A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN103857835B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280041389.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L21/02664 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L21/67109 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法，包括：碳层形成工序、贯穿孔形成工序、馈源层形成工序和外延层形成工序。在碳层形成工序中，在由多晶SiC构成的基板（70）的表面形成碳层71）。在贯穿孔形成工序中，在形成在基板（70）的碳层（71）形成贯穿孔（71c）。在馈源层形成工序中，在碳层（71）的表面形成Si层（72）和3C－SiC多晶层（73）。在外延层形成工序中，通过对基板（70）进行加热，在通过贯穿孔（71c）露出的基板（70）的表面形成由4H－SiC单晶构成的晶种，使晶种进行接近液相外延生长，形成4H－SiC单晶层。
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公开(公告)号：CN106233590A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021021.4
申请日：2015-04-07
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明通过对碳粉和粘合剂进行混揉而制作碳质材料，碳质材料的平均粒径成为0.3mm以上的方式进行碳质材料的颗粒制造，通过将颗粒制造后的碳质材料与金属粉混合而制作电刷材料，金属粉的相对于电刷材料的总量的比例被调整为1重量％以上30重量％以下，对所制作的电刷材料进行压制，进一步以电刷材料中的树脂不碳化的温度进行电刷材料的热处理。
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公开(公告)号：CN106170457A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580012275.X
申请日：2015-02-24
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: B01J20/20 , B01J20/28011 , B01J20/28057 , B01J20/28064 , B01J20/28071 , B01J20/28073 , B01J20/305 , B01J20/3071 , B01J20/3078 , C01B32/00 , C01B32/30
Abstract: 本发明的目的在于：提供氧化消耗温度高的多孔碳、其制造方法以及使用多孔碳的吸附/解吸装置。该多孔碳的特征在于：具有中孔和构成该中孔的外部轮廓的碳质壁，上述多孔碳主要由硬碳构成，氧化消耗温度为600℃以上，在2500℃以上加热30分钟以上、60分钟以下之后，利用X射线衍射法测定(002)面的平均面间距d(002)时，希望该值为0.350nm以上。
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