一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法

    公开(公告)号:CN118166422A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410373176.5

    申请日:2024-03-29

    IPC分类号: C30B29/06 C30B15/10

    摘要: 本发明公开了一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法,涉及单晶硅生产技术领域,包括:向坩埚中添加硅料;对单晶炉进行抽真空处理;将单晶炉控制在无压状态,并持续时间T,使坩埚中的气体逸散至单晶炉内。本发明通过对单晶炉进行抽真空,使坩埚中的气泡与单晶炉内进行压力差,坩埚中的气体会逸散到压力更低的单晶炉内,从而达到坩埚内气泡中的气体被抽出的效果,有效改善了坩埚鼓包的情况,大大延长了坩埚的使用寿命,从而降低了单晶硅的生产成本。

    一种双泵大氩气低炉压降氧的方法

    公开(公告)号:CN117758362A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311632496.X

    申请日:2023-12-01

    IPC分类号: C30B27/02 C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种双泵大氩气低炉压降氧的方法,包括将两个相同的干泵使用三通连接在一起,再共同连接至单晶炉上,由于单晶炉对炉内压力和气体流速的检测只能给出一个控制信号,因此将一个泵的节流阀开度设置为恒定,此为定频泵,另一个泵通过单晶炉反馈的控制信号,调整节流阀开度,维持炉内压力恒定在预设值,此为变频泵;将双泵的抽力提升为44000L/min,增大氩气流量,降低炉压。本发明的优点是同时满足大氩气与低炉压的工艺,降低单晶硅棒的氧含量,提升晶棒品质,降低晶品差,提高成晶率。

    一种脉冲功率调温方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117488396A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311478547.8

    申请日:2023-11-08

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了本发明提供了一种脉冲功率调温方法,涉及单晶炉温度调节领域,其在全熔阶段判断固液比值,通过计算得到功率调节量。调温过程分为3个阶段,第一阶段为最后一次加料阶段和三次全熔阶,第二阶段为阀仓、副室清理及净化熔接稳温阶段,第三阶段为自动调温阶段。解决调温无法实现100%精准达到目标温度区间问题,通过调温过程中判断固液比的变化,利用计算得到功率调整量,通过多个调节周期功率调节,使目标温度控制到工艺要求范围内,大大提高了调温的准确度,减少熔料时间,提高调温引晶成活率,降低无效工时。

    一种籽晶掏棒粘胶工艺
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116638641A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310478059.0

    申请日:2023-04-28

    IPC分类号: B28D5/02 B28D7/04 B28D7/00

    摘要: 本发明涉及籽晶掏棒技术领域,具体涉及一种籽晶掏棒粘胶工艺,包括以下步骤:确定硅棒直径,选择一块粘胶板,粘胶板的尺寸大于硅棒的底面尺寸,在粘胶板上开设一个涂胶凹槽,在涂胶凹槽内均匀涂抹胶水,将硅棒的底端与涂胶凹槽抵接,待硅棒固定在粘胶板上后,可以进行掏棒作业,最后使用车床车去粘胶板的涂胶面,确保粘胶板上没有涂胶残留,然后可以重复继续硅棒的粘胶作业。相较于传统方法,本技术方案在粘胶板上开设有涂胶凹槽,硅棒的底部与涂胶凹槽内的胶水抵接实现固定,由于凹槽具有一定深度,从而为掏棒刀具抵达掏刀终点位置预留一定安全间距,避免掏棒刀具与粘胶板硬接触从而损坏掏棒刀具和粘胶板。

    一种单晶炉自动加料的方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116254601A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310486005.9

    申请日:2023-05-04

    IPC分类号: C30B29/06 C30B15/20 C30B15/02

    摘要: 本发明公开了一种单晶炉自动加料的方法,具体为:(1)加料过程中视觉控制系统监控二次加料装置中料筒下部料块下料情况,具体为:单晶炉视觉控制系统对单晶炉中固液比识别,当固液比达到某一设定值时,单晶炉PLC控制系统启动上轴下降,自动下降二次加料装置;(2)单晶炉PLC控制系统控制二次加料装置至预定位置,启动上轴,分段下降上轴行程,并停留一定时间,二次加料装置内原料加至单晶炉内;(3)视觉控制系统监控发现二次加料装置底碗完全露出,料筒内料块已加完,执行料筒提出工步;(4)反复执行1、2、3步骤,确定已完成炉内预定加料重量,单晶炉PLC控制系统判定加料完成,进入下一步工序;该方法有效提高工作效率,降低人员的工作强度,提升单晶炉自动化程度。

    一种单晶短圆棒自动粘胶及拼棒工艺方法

    公开(公告)号:CN116219551A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310267783.9

    申请日:2023-03-20

    IPC分类号: C30B33/06

    摘要: 本发明公开了一种单晶短圆棒自动粘胶及拼棒工艺方法,包括选择一组段长≤200mm且相同参数的晶棒(1),在圆棒粘胶工序,配置粘胶六轴机器人(2)、粘胶打标工位(3)、涂胶机、拼棒机、晶向打表仪(4)及其专用电柜;在每台粘胶六轴机器人(2)的外侧设置1组人工/自动上料工位(5),粘胶六轴机器人(2)通过机械臂实现晶棒(1)的抓取和上下料,使晶棒(1)暂时放置在晶向打表仪(4)的转台工位(41);接着进行寻找晶向、拼棒和粘胶,最后静置缓存,开方供料。本发明的优点是针对单晶硅棒截断后≤200mm的短圆棒自动粘胶和拼棒,降低劳动强度,提高短棒利用率和工作效率,保证拼接后产品的质量。

    一种功率脉冲引晶方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116200817A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310069824.3

    申请日:2023-02-07

    IPC分类号: C30B15/26 C30B29/06

    摘要: 本发明属于单晶硅制造技术领域,涉及一种功率脉冲引晶方法;引晶过程分为三个阶段,在引晶第三阶段,用实际引晶液面亮度值与目标引晶液面亮度值对比,若实际引晶液面亮度值不在目标引晶液面亮度值范围内,根据目标引晶液面亮度值与实际引晶液面亮度值的偏差量计算出引晶功率调节量,若实际引晶液面亮度值>目标引晶液面亮度值,说明引晶温度偏高,功率脉冲调整降低;若实际引晶液面亮度值<目标引晶液面亮度值,说明引晶温偏低,功率脉冲调整升高;本发明通过监控液面亮度偏差量,利用计算得到功率调整量,通过多个调节周期实现功率调节,使温度控制到工艺要求范围内,大大降低了引晶的技术难度,提高引晶成活率,降低无效工时,提升单晶产量。