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公开(公告)号:CN106460228B
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201580021973.6
申请日:2015-03-03
申请人: 国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠塑料株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC分类号: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B33/00 , H01L21/205 , H01L21/208
摘要: 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤:第1III族氮化物结晶制造步骤,通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003;第2III族氮化物结晶制造步骤,在第1结晶1003上,通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004,其特征在于:所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触,在含氮气氛下,使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应,通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长,使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。
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公开(公告)号:CN106460228A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580021973.6
申请日:2015-03-03
申请人: 国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠塑料株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC分类号: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B33/00 , H01L21/205 , H01L21/208
CPC分类号: C30B29/406 , B28D5/00 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/20 , C30B29/38 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/7813 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/3013 , H01S2304/06
摘要: 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤:第1III族氮化物结晶制造步骤,通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003;第2III族氮化物结晶制造步骤,在第1结晶1003上,通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004,其特征在于:所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触,在含氮气氛下,使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应,通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长,使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。
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