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公开(公告)号:CN105143501B
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201480005971.3
申请日:2014-02-26
申请人: 路特斯应用技术有限责任公司 , 凸版印刷有限公司
发明人: 艾瑞克R·迪基 , 布莱恩·拉森·丹费斯
CPC分类号: H01L51/5253 , C23C16/401 , C23C16/45531 , H01L23/291 , H01L23/564 , H01L27/32 , H01L2251/303 , H01L2251/558 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种形成混合金属‑硅‑氧化物阻隔薄膜(200)的方法(600)。例如,一种形成折射率为1.8或更小的铝‑硅‑氧化物混合物的方法,包括使基板(210)依次接触非羟基化含硅前体、活性氧物质和含金属前体,直至在基板上形成厚度为500埃或更小的混合金属‑硅‑氧化物膜。
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公开(公告)号:CN105143501A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201480005971.3
申请日:2014-02-26
申请人: 路特斯应用技术有限责任公司 , 凸版印刷有限公司
发明人: 艾瑞克R·迪基 , 布莱恩·拉森·丹费斯
CPC分类号: H01L51/5253 , C23C16/401 , C23C16/45531 , H01L23/291 , H01L23/564 , H01L27/32 , H01L2251/303 , H01L2251/558 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种形成混合金属-硅-氧化物阻隔薄膜(200)的方法(600)。例如,一种形成折射率为1.8或更小的铝-硅-氧化物混合物的方法,包括使基板(210)依次接触非羟基化含硅前体、活性氧物质和含金属前体,直至在基板上形成厚度为500埃或更小的混合金属-硅-氧化物膜。
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公开(公告)号:CN106103797A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580011804.4
申请日:2015-03-02
申请人: 路特斯应用技术有限责任公司 , 凸版印刷有限公司
发明人: 艾瑞克·R·迪基 , 布莱恩·拉森·丹费斯 , M·科恩
IPC分类号: C23C16/50 , C23C16/513
CPC分类号: C23C16/405 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32532 , H01J37/3255 , H01J37/32559 , H01J37/3277
摘要: 在基底上形成薄膜的系统使用等离子体来激活与反应空间连接的等离子体发生器内的至少一种气态前驱体。等离子体发生器有效的利用至少一对等离子体电极由至少一部分前驱体气体来产生等离子体,等离子体电极具有展示如下性质特点的非原生的导电吸附层:利用等离子体发生区域内的至少一种气体能够使吸附层基本保留并具有化学活性。
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公开(公告)号:CN105229199A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201480025540.3
申请日:2014-05-01
申请人: 路特斯应用技术有限责任公司 , 凸版印刷有限公司
发明人: 艾瑞克·R·迪基
CPC分类号: C23C16/45536 , C23C16/45548 , C23C16/45555 , C23C16/545 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/3277
摘要: 用于在柔性基片(102)上沉积薄膜的系统(100),包括由分隔带(110)分隔开的多个处理区(104,106,108),等离子体发生器(130)用于在通道近侧产生等离子体区(132),基片沿通道移动;当系统运行时,用于引导基片在处理区之间来回移动的基片传输装置(128)将基片运输到并暴露在等离子体区。
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公开(公告)号:CN105229199B
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201480025540.3
申请日:2014-05-01
申请人: 路特斯应用技术有限责任公司 , 凸版印刷有限公司
发明人: 艾瑞克·R·迪基
CPC分类号: C23C16/45536 , C23C16/45548 , C23C16/45555 , C23C16/545 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/3277
摘要: 用于在柔性基片(102)上沉积薄膜的系统(100),包括由分隔带(110)分隔开的多个处理区(104,106,108),等离子体发生器(130)用于在通道近侧产生等离子体区(132),基片沿通道移动;当系统运行时,用于引导基片在处理区之间来回移动的基片传输装置(128)将基片运输到并暴露在等离子体区。
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