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公开(公告)号：CN118137095A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410552377.1
申请日：2024-05-07
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
IPC分类号： H01P3/18
摘要： 本申请的实施例提供了一种低传输损耗的带状线结构，涉及毫米波电路技术领域，所述结构包括：依次叠放的第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层，所述第二介质层和所述第三介质层之间设置有金属导带；其中，所述第一介质层和所述第四介质层的尺寸相同，介电常数相同；所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度，所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数；所述第三介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度，所述第三介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。本申请的技术方案通过设置不同厚度、形状和介电常数的介质层和特定形状的金属导带减小了带状线的传输损耗。
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公开(公告)号：CN117154407B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311416079.1
申请日：2023-10-30
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种Ku/Ka双频双极化共口径天线单元及阵列，Ku/Ka双频双极化共口径天线单元其包括一个Ku双极化天线单元、四个Ka水平极化天线单元、屏蔽金属边框和屏蔽金属化通孔；四个Ka水平极化天线单元依次设置在Ku双极化天线单元的四周，且均与Ku双极化天线单元相邻；Ku双极化天线单元和四个Ka水平极化天线单元设置在屏蔽金属边框的内部；在垂直于Ku/Ka双频双极化共口径天线单元所在平面方向上依次层叠设置的介质基板和金属层；屏蔽金属化通孔贯穿屏蔽金属边框及下方所有金属层和介质基板。本发明具有双频双极化工作的特性，天线尺寸小、结构紧凑、可加工性好、加工成本低，可(56)对比文件刘洋等.“Ku／Ka双频共口径微带阵列天线设计”《.中间空间科学技术》.2012,全文.Ai Hu Song等“.Shared-Aperture Dual-Polarized Ku-Band and Single-PolarizedKa-Band Phased Array Antenna WithScanning Coverage Enhancement”《.IEEETRANSACTIONS ON ANTENNAS ANDPROPAGATION》.2022,全文.
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公开(公告)号：CN117080713B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311330182.4
申请日：2023-10-16
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种基于辐散一体化的相控阵天线平台，该平台包括金属载板、位于金属载板中部的中间天线阵列、位于中间天线阵列两端的吸收结构周期阵列，金属载板承载中间天线阵列和吸收结构周期阵列，中间天线阵列能够在相控阵天线平台接收到线极化入射波时产生180°反射相位差，在将线极化入射波的能量向外辐射的同时对线极化入射波进行极化转换，吸收结构周期阵列在相控阵天线平台接收到线极化入射波时对线极化入射波进行吸收。在雷达波垂直照射至本申请的相控阵天线平台后，绝大部分的电磁波被吸收，能够保证天线平台具备极低的单站RCS，保证良好的隐身效果。
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公开(公告)号：CN117080713A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311330182.4
申请日：2023-10-16
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种基于辐散一体化的相控阵天线平台，该平台包括金属载板、位于金属载板中部的中间天线阵列、位于中间天线阵列两端的吸收结构周期阵列，金属载板承载中间天线阵列和吸收结构周期阵列，中间天线阵列能够在相控阵天线平台接收到线极化入射波时产生180°反射相位差，在将线极化入射波的能量向外辐射的同时对线极化入射波进行极化转换，吸收结构周期阵列在相控阵天线平台接收到线极化入射波时对线极化入射波进行吸收。在雷达波垂直照射至本申请的相控阵天线平台后，绝大部分的电磁波被吸收，能够保证天线平台具备极低的单站RCS，保证良好的隐身效果。
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公开(公告)号：CN115996535B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310291134.2
申请日：2023-03-23
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及相控阵天线技术领域，具体涉及一种Ka频段功放架构，包括：承载组件，包括形成若干安装腔体的安装基板，安装基板上设置有安装盖板；功放组件，设置于其中一个安装腔体内，功放组件的信号连接部从安装腔体的侧壁伸出，且安装腔体的侧壁对应设置有开口结构；控制组件，设置于其中一个安装腔体内，控制板组件的控制连接部和外供电连接部从安装腔体的侧壁伸出，且安装腔体的侧壁对应设置有开口结构；电源组件，用于为功放组件和控制组件供电；本发明通过将功放组件、控制组件和电源组件三个分离设置，避免组件之间出现信号干扰以及电路自激现象等，从而提高了功放架构的信号处理稳定性，最终提高相控阵天线的稳定可靠性。
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公开(公告)号：CN106785435B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201710069263.1
申请日：2017-02-08
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种TR模块垂直互连结构件，其通过将环形毛纽扣安装在基板的安装槽中，并将环形毛纽扣与安装槽底面的导电薄膜固定连接，安装在PCB板上的绝缘子的针头通过介质板的定位孔后，插入环形毛纽扣的内孔，由于环形毛纽扣的内孔孔径小于绝缘子针头的外径，而且环形毛纽扣具有弹性，当绝缘子的针头插入其内孔后，环形毛纽扣发生弹性形变，将压紧绝缘子针头并与之紧密接触，从而提高互联的可靠性。同时，由于通过绝缘子针头插入环形毛纽扣而产生弹性形变，而不是通过PCB板和基板挤压造成的，因此，需要多出多处高密度互联时可生产性更好，生产效率和良品率更高，且返修效率高，不会出现上下两块板分离开，造成毛纽扣损坏或掉落丢失的情况。
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公开(公告)号：CN115609147A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211389239.3
申请日：2022-11-08
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于薄弱壳体的激光焊接工装与方法，包括底座，所述底座为内凹槽状结构，包括腔体定位凹槽和腔体固定压板限位槽，底座上放置腔体、所述腔体限位于底座的腔体定位凹槽内；包括腔体固定压板，所述腔体固定压板包括仿形凸台结构，通过所述仿形凸台结构接触焊缝外侧的腔体部分；所述腔体固定压板安装在底座上、并限位于腔体固定压板限位槽中；包括肘夹和盖板固定压板，焊接时先通过腔体固定压板单独固定腔体，再通过肘夹下压盖板固定压板使盖板与腔体在激光连续焊接过程中分别都保持固定状态从而达到不鼓包的目的。
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公开(公告)号：CN114243312B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210154719.5
申请日：2022-02-21
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种多频馈电网络、TR模块及相控阵天线，馈电网络多层板固定于腔体腔内，射频输入连接器连接馈电网络多层板的第一接口，供电与控制信号连接器连接馈电网络多层板的第二接口；各CQFN封装管壳均设置于馈电网络多层板上，各射频芯片组一一对应封焊于CQFN封装管壳内，各射频输出连接器分别与各CQFN封装管壳一一相连，后端连接TR组件，TR组件连接天线；馈电网络多层板上集成有供电与控制信号线路以及多路传输线路，各路传输线路分别与第一接口和各CQFN封装管壳相连，各路传输线路间存在隔离和屏蔽设施，供电与控制信号线路分别与第二接口和各CQFN封装管壳相连。本发明可实现多频馈电功能和芯片气密功能，集成度高，结构简单，装配难度低。
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公开(公告)号：CN114335964A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210235642.4
申请日：2022-03-11
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明公开了一种高集成度波导混频微系统，其包括：混频芯片、波导结构A、波导结构B和芯片安装结构；所述混频芯片由芯片探针A、芯片探针B、混频管、中频微带线、匹配结构A、匹配结构B、芯片介质基板组成；所述波导结构A用于将输入射频信号通过芯片探针A耦合到混频管处；所述波导结构B用于将输入本振信号通过芯片探针B耦合到混频管处；射频信号和本振信号在混频管处通过混频生成的中频信号通过中频微带线输出；波导结构A、波导结构B安装在芯片安装结构上。本发明的混频芯片可集成混频管、微带线、匹配结构、探针等，与传统结构相比，去掉了不必要的传统微带探针、过渡微带及金丝键合，提高了集成度、简化了结构和装配难度。
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公开(公告)号：CN114334865A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210216022.6
申请日：2022-03-07
申请人： 成都雷电微力科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/538 , H01L25/16
摘要： 本发明提供了一种三维堆叠大功率TR气密封装组件，包括依次从下至上堆叠的射频TR芯片层、电源及开关驱动层、储能电容层以及盖板，形成气密封装结构；射频TR芯片层、电源及开关驱动层、储能电容层均设有贯通各层的实心过孔，实现各层上下两侧的电气连接；各层之间通过垂直互连结构实现电气互连；射频TR芯片层下侧设有射频输入链路、射频输出链路以及电源和控制信号输入链路；上侧至少设有一个射频TR放大链路；电源及开关驱动层上侧设有电源调制电路与射频开关驱动链路；储能电容层中并联有若干储能电容。本发明解决了大功率TR芯片散热问题、减小脉冲大电流控制线路走线距离、具有更高集成度、气密性能优良、能适应大规模自动化装配。
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