公开(公告)号：CN118588550A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410561129.3

申请日：2019-03-12

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克伦·J·卡纳里克 ,  萨曼莎·西亚姆-华·坦 ,  潘阳 ,  杰弗里·马克斯

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

公开(公告)号：CN118588549A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410561073.1

申请日：2019-03-12

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克伦·J·卡纳里克 ,  萨曼莎·西亚姆-华·坦 ,  潘阳 ,  杰弗里·马克斯

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

公开(公告)号：CN118588548A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410560920.2

申请日：2019-03-12

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克伦·J·卡纳里克 ,  萨曼莎·西亚姆-华·坦 ,  潘阳 ,  杰弗里·马克斯

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

公开(公告)号：CN116724143A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202180089442.6

申请日：2021-12-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 杨文兵 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  林染 ,  塔玛尔·穆克吉 ,  康潇宇 ,  潘阳 ,  石洪 ,  周春红

IPC分类号： C23C14/56

摘要： 提供一种在半导体处理室的部件的至少一表面上清洁残留物的方法，该残留物含有钌(Ru)残留物。将该残留物暴露至Ru清洁成分，其包含次氯酸盐以及O3基底的化学物质的至少一者，其中该Ru清洁成分去除该Ru残留物。

公开(公告)号：CN114999910A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210384497.6

申请日：2016-12-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 亚历山大·卡班斯凯 ,  萨曼莎·坦 ,  杰弗里·马克斯 ,  潘阳

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。

公开(公告)号：CN111937122A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980024060.8

申请日：2019-03-15

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 杨文兵 ,  塔玛尔·穆克吉 ,  莫汉德·布鲁里 ,  萨曼莎·坦 ,  潘阳 ,  克伦·雅各布斯·卡纳里克

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

摘要： 蚀刻在衬底上的难熔金属或其他高表面结合能材料可维持或增加金属/高EO表面的平滑度，在某些情况下会产生极端的平滑度。提供具有暴露的难熔金属/高EO表面的衬底。使难熔金属/高EO表面暴露于改性气体以改性该表面并形成改性的难熔金属/高EO表面。将改性的难熔金属/高EO表面暴露于高能粒子以相对于下伏的未改性难熔金属/高EO表面，优先除去改性的难熔金属/高EO表面，使得在除去改性后的暴露的难熔金属/高EO表面与在将衬底表面暴露于改性气体之前的衬底表面一样平滑或比其更平滑。

公开(公告)号：CN111902912A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980022122.1

申请日：2019-03-18

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 游正义 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  阿图尔·科利奇 ,  潘阳

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44

摘要： 一种在衬底上沉积金属互连层的方法包括：将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；以及在所述衬底上沉积被配置成用作黏附层、扩散阻挡层和籽晶层中的至少一者的中间层。沉积所述中间层包括供应金属‑有机前体，所述金属‑有机前体包括具有金属‑硅化物(M‑Si)键的第一材料。所述方法还包括：在所述中间层上沉积所述金属互连层。

公开(公告)号：CN111448641A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880078758.3

申请日：2018-10-02

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 杨文兵 ,  萨曼莎·坦 ,  塔玛尔·穆克吉 ,  克伦·雅各布斯·卡纳里克 ,  潘阳

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供了用于执行高能原子层蚀刻的方法和设备。方法包括提供具有待蚀刻材料的衬底，将所述材料的表面暴露于改性气体以使所述表面改性并形成经改性的表面；以及将所述经改性的表面暴露于高能粒子，以相对于下伏的未经改性的表面优先去除所述经改性的表面，所述高能粒子具有足以克服所述下伏的未经改性的表面的平均表面束缚能的离子能量。所用的高能粒子的能量很高；在一些情况下，当将改性表面暴露于高能粒子时施加到偏置的功率至少为150eV。

公开(公告)号：CN118263107A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410212576.8

申请日：2019-03-12

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克伦·J·卡纳里克 ,  萨曼莎·西亚姆-华·坦 ,  潘阳 ,  杰弗里·马克斯

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

公开(公告)号：CN110520963B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201880023914.6

申请日：2018-02-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 游正义 ,  萨曼莎·坦 ,  姜瑜 ,  吴晖荣 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  内德·莎玛 ,  鲍里斯·沃洛斯基

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

摘要： 在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。