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公开(公告)号：CN118610102A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410986382.3
申请日：2024-07-23
申请人： 渠梁电子有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种晶圆边缘保护方法，包括以下步骤：提供用于加工的晶圆，且对晶圆进行运输上料；在晶圆运输至机台上后，将机台上的喷嘴与晶圆的边缘处相对应设置；通过机台使得晶圆进行转动，且，喷嘴排出胶材，用于对晶圆的边缘处覆盖胶材；将边缘处覆盖有胶材的晶圆运输至加热装置中，对晶圆进行加热，用于使得胶材进行热固化，本发明通过设置机台沿着晶圆的边缘处环绕一圈，完成胶材的覆盖，喷嘴与晶圆的边缘进行相对应设置，晶圆在机台上进行转动，设置喷嘴在排出胶材的过程中，晶圆转动一圈，进而可以完成晶圆边缘处一周的完全覆盖，且，可以保持胶材的覆盖不会影响晶圆的整体结构以及后续的加工。
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公开(公告)号：CN118876249A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411319987.3
申请日：2024-09-23
申请人： 渠梁电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体生产方法，尤其涉及一种晶圆切割方法，其中包括：将微振动传感器贴附在主轴上；将完好的第一割刀安装在主轴上后空转，获得第一振动值；将刚好会产生斜切现象的第二割刀安装在主轴上后空转，获得第二振动值；根据第一振动值和第二振动值计算出斜切门槛振动值；将准备用于切割作业的第三割刀安装在主轴后空转，获得第三振动值；将第三振动值与斜切门槛振动值进行比较，若第三振动值大于斜切门槛振动值，则将第三割刀从主轴拆离；若第三振动值小于斜切门槛振动值，则将第三割刀投入切割作业。借由本发明的结构，可通过在主轴上贴附微振动传感器，并对割刀的质量进行控制，以提高切割质量。
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公开(公告)号：CN118866634A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411328031.X
申请日：2024-09-24
申请人： 渠梁电子有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01L21/67 , G01M13/00 , G01L5/00 , B08B13/00
摘要： 本发明涉及一种电浆清洗机，尤其涉及一种用于电浆清洗机的阻塞监测装置，其中包括：滑轨；驱动机构，驱动机构包括驱动电机和驱动支架，驱动支架套设在滑轨上，驱动支架的一侧与驱动电机固定连接，驱动支架上设有导轨；连接机构，连接机构包括导块、第一连接臂、第二连接臂和压力传感器，连接机构借助导块可相对驱动支架活动；第二连接臂与驱动支架之间连接有弹性组件，以使得当推杆受到阻力时，弹性组件产生被拉伸的趋势，压力传感器监测到的压力值增大。借由本发明的结构，可通过连接机构中设置的压力传感器感应推杆的阻力值，以监测材料的阻塞。
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公开(公告)号：CN118629934A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411104671.2
申请日：2024-08-13
申请人： 渠梁电子有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种晶圆加工方法，尤其涉及一种释放层解离方法，其中，晶圆和载体之间包括释放层，释放层用于将晶圆和载体粘连在一起；其中，释放层解离方法包括：将晶圆背离载体的一面放置在基座上；提供压板，将压板贴合至载体背离晶圆的一面，并对载体背离晶圆的一面施加压力；同时，朝向释放层方向发射激光，直至释放层被解离。通过本发明的结构，可通过在对释放层进行激光解离时，借助压板持续对载体的一侧施压，使得载体所受的应力被转移，避免了晶圆或载体受损。
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公开(公告)号：CN118624964A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411104672.7
申请日：2024-08-13
申请人： 渠梁电子有限公司
摘要： 本发明涉及测试领域，具体提供一种测试探针和用于测试探针的制造方法。本发明的测试探针包括：主体，所述主体包括测试端，所述测试端上设有避让孔，所述避让孔具有形成在所述测试端上的开口；和弹性件，所述弹性件与所述主体固定连接并且覆盖所述开口，所述弹性件包括与所述主体电性连接的导电层，所述导电层设置在所述弹性件的与所述避让孔相背的一侧上，使所述弹性件适于抵靠在引脚上传输电信号并且在受到所述引脚的作用力后可朝向所述避让孔内形变。上述的技术方案，旨在解决现有技术中的探针容易损坏引脚的问题。
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公开(公告)号：CN118571766A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410961693.4
申请日：2024-07-18
申请人： 渠梁电子有限公司
IPC分类号： H01L21/54 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种用于增强散热的封装方法，涉及封装技术领域，包括芯片和下基板，其中，芯片的一面贴合设置在下基板上；其中，用于增强散热的封装方法包括：将中介层基板朝向下基板上的芯片方向进行焊接，直至芯片被完全封合在中介层基板和下基板之间；其中，在焊接之前，在中介层基板和芯片之间放置预设量的导热胶，以使得焊接之后，导热胶被压平并填充在中介层基板和芯片之间。通过本发明的方法，可通过在中介层基板与芯片之间加入导热胶，使得在不改变现有封装格局的情况下显著提升封装散热性能。
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公开(公告)号：CN118880422A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411346204.0
申请日：2024-09-26
申请人： 渠梁电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种改善电镀取片的方法，包括：提供完成电镀的晶圆，晶圆通过密封件进行定位与固定；对完成电镀的晶圆进行甩干，用以吹干水膜；设置密封件连接处的压力为2.4PSI，以降低密封件连接处的真空度；通过机器手对晶圆进行取片；其中，在密封件的外壁上开设细槽，以增加密封件连接处的粗糙度；细槽朝向所述密封件的边缘处进行延伸，且细槽的两端与晶圆的边缘处保持分离，本发明通过在密封件的外壁上设置细槽，可以有效地提高密封件连接处的粗糙度，进而可以进一步地降低密封件连接处的真空度，从而可以有效地避免机械手在取片的过程中发生取片失败的情况。
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公开(公告)号：CN118841334A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411311285.0
申请日：2024-09-20
申请人： 渠梁电子有限公司
发明人： 武世伦
摘要： 本发明提供了一种半成品晶圆片的制造方法及半成品晶圆片，所提供的半成品晶圆片的制造方法包括：提供一底材，于所述底材上形成剥离层；于所述剥离层上形成第一金属层；于所述第一金属层上施加第一保护层，所述第一保护层覆盖于所述第一金属层临近自身外缘的部分；于所述第一保护层上施加第二金属层，且所述第二金属层同时覆盖所述第一金属层裸露于所述第一保护层外的部分；于所述第二金属层上施加第二保护层，得到半成品晶圆片。利用本发明所提供的半成品晶圆片的制造方法制造所得的半成品晶圆片再经必要的处理加工为成品晶圆片后，进行晶圆级封装时，其不会由于底材附着力不足易出现剥离层以及其上的金属层边缘区域性的剥离的问题，进而也避免了后续作业机台寻边异常。
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公开(公告)号：CN118486601A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410924172.1
申请日：2024-07-11
申请人： 渠梁电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于改善晶圆翘曲的封装方法，其中，铜柱层设置在下模具上，铜柱层具有缝隙；其中，本方法包括：在铜柱层位置放置预设量的树脂；将离型膜设置在上模具朝向下模具的一侧；在铜柱层位置放置预设量的树脂且在离型膜设置在上模具后，上模具带动离型膜朝向下模具上的铜柱层向下运动，从而使树脂被离型膜挤压后进入铜柱层的缝隙中形成树脂层；与此同时，离型膜嵌入铜柱层内，从而使形成的树脂层低于至少部分的铜柱层。通过本发明的结构，可通过离型膜的介入，使得树脂被挤压后，至少部分的铜柱层没有被树脂层覆盖，降低了树脂层的厚度，以减小晶圆翘曲的现象，且实现研磨流程时间的缩短。
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公开(公告)号：CN118471906A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410924152.4
申请日：2024-07-11
申请人： 渠梁电子有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , H01L21/67
摘要： 本申请提供了一种芯片厚度分离方法，包括以下步骤：提供用于加工的晶圆，晶圆具有第一面部以及与第一面部相对设置的第二面部，且，晶圆的第一面部上具有切割道；在切割道内进行激光开槽得到预开槽，对晶圆的第二面部进行减薄处理；在晶圆的第二面部粘贴第二膜，用于对晶圆进行支撑与保护，且，将晶圆上的第一膜撕掉；对晶圆中的晶粒进行扩张，用以使得晶圆进行分离；本发明通过设置预开槽可以使得晶圆的边缘处在进行隐形镭射的过程中裂痕可以沿着切割道延伸的方向进行蔓延，进而可以有效地避免发生晶圆表面结构和材料脱落的情况。
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