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公开(公告)号：CN118631183A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410913984.6
申请日：2024-07-09
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片，涉及功率放大器技术领域。通过复合管结构的至少两个晶体管的连接关系，相比于传统的偏置电路内三极管串联结构，增大了对温度变化的反馈强度，达到较好的温度补偿。第一电路、第一晶体管和功率放大器之间的连接关系，由于复合管结构在温度升高时，晶体管内的自热效应，使之复合管结构的至少两个晶体管内的电流叠加，导致第一电路对应的压降增大，抑制功率放大器的偏置电流的增大。反之，在温度降低时使之功率放大器的偏置电流的静态电流值趋于稳定，进而电流随温度的提高斜率变化较小，保持信号不失真，提升功率放大器的温度补偿能力。
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公开(公告)号：CN118471937A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410800701.7
申请日：2024-06-20
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
IPC分类号： H01L23/495
摘要： 本发明公开了一种射频开关芯片及射频开关模组，涉及射频开关领域，同一衬底上的第一区域和第二区域是能够被物理分割开来的两个区域，当需求类型的射频开关可以单独由第一射频开关组或第二射频开关组实现时，可以将整个射频开关芯片切割为两个射频开关进行使用，当需求类型的射频开关需要由第一射频开关组和第二射频开关组同时实现时，直接将整个射频开关芯片作为一个射频开关进行使用。通过复用同一衬底上的第一射频开关组和/或第二射频开关组就可以实现多种类型的射频开关，满足多种不同的需求，大大降低了射频开关的设计和生产过程的复杂度，节约成本；可以有效减少射频开关的开发周期，减少备货周期。
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公开(公告)号：CN118280860A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410373326.2
申请日：2024-03-29
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L23/31
摘要： 本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法，器件包括：衬底；位于所述衬底上表面的外延结构层；所述外延结构层中具有二维电子气；位于所述外延结构层上表面的钝化层；所述钝化层具有贯穿钝化层厚度的第一通孔和第二通孔；第二电极以及位于所述第一通孔内的第一电极，所述第二通孔位于所述第二电极和所述第一电极之间。本申请钝化层中第二通孔，第二通孔在第一电极和第二电极之间，阻断钝化层与外延结构层界面处的漏电通道，通过对比本申请中半导体器件与相关技术中没有第二通孔的半导体器件的第一电极和第二电极之间的电特征，可以表征钝化界面的漏电。所以，本申请中的半导体器件可以准确确定出钝化层的影响，且耗时短。
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公开(公告)号：CN118100840A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410271666.4
申请日：2024-03-11
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
摘要： 本发明公开了一种体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器，应用于体声波谐振器技术领域，包括：在基底表面设置压电层；刻蚀压电层的表面，以在压电层对应电极层边缘的区域形成台阶面；在压电层表面设置电极材料，以基于台阶面形成边缘具有凹凸结构的电极层；基于电极层制备体声波谐振器。通过在压电层表面刻蚀出台阶面，然后在压电层表面设置覆盖压电层的导电材料，只需要通过一次图案化就可以一次性形成电极层以及在电极层边缘设置凹凸结构，大大简化了体声波谐振器的制备流程。而通过调整部分刻蚀压电层的深度形成谐振器有效区不同的厚度，进而形成不同的谐振器频率，实现体声波滤波器的制作。
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公开(公告)号：CN118943172A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411157255.9
申请日：2024-08-22
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及半导体器件制备方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括：衬底；衬底表面设置有半导体层；半导体层背离衬底的表面设置有源极和漏极，以及位于源极和漏极之间的介质层；介质层中设置有沿厚度方向贯穿介质层的栅极沟槽，栅极沟槽内设置有栅极；栅极包括沿背离半导体层的方向依次设置的第一栅极、第二栅极和第三栅极；第一栅极与半导体层接触；第二栅极靠近源极的一端和靠近漏极的一端均超出第一栅极的同一端；第三栅极靠近源极的一端和第二栅极的同一端对齐，第三栅极靠近漏极的一端超出第二栅极的另一端。本申请可以具备更小的寄生电容、较小的寄生电阻和栅极电场强度，使半导体器件具有更高的频率、增益和带宽。
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公开(公告)号：CN118801826A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410988709.0
申请日：2024-07-23
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
摘要： 本申请公开了一种抗阻塞放大器以及一种射频接收系统，属于射频技术领域，该放大器包括：晶体管模块，若模块内有1个晶体管，晶体管的漏极和栅极之间设有RLC电路，晶体管的源极与地之间设有RL电路，晶体管的栅极和漏极分别为模块的输入端和输出端；若模块内有2个及2 个以上的晶体管，模块内第i个晶体管的源极与第i+1个晶体管的漏极相连；第1个晶体管的漏极和第N个晶体管的栅极之间设有RLC电路，第N个晶体管的源极与地之间设有RL电路；第N个晶体管的栅极和第1个晶体管的漏极分别为模块的输入端和输出端；模块的输入端和输出端之间还设有负反馈电路和阻抗匹配模块。利用该放大器可以降低电路的噪声系数、提高电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN117713869A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410096077.7
申请日：2024-01-24
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
摘要： 本发明公开了一种多工器及射频模组，涉及通信领域，包括选择开关、第一双工器、第二双工器及第三双工器，第一双工器的通带为第一信号的发送带及第二信号的接收带，第二双工器的通带为第二信号的发送带及第一信号的接收带，第三双工器的通带为第三信号的发送带及接收带，由于第一信号的接收带与第四信号的接收带重合，第二信号的发送带与第四信号的发送带重合，因此第一双工器、第二双工器和第三双工器能够传输四个不同频段的信号。选择开关将各双工器输出的信号传输给天线，将天线接收到的信号输入给各双工器，多工器能够支持各种不同频段的信号的工作，且不会造成重合频段的浪费，节省电路面积和成本。
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公开(公告)号：CN118868995A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410917709.1
申请日：2024-07-10
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
摘要： 本申请公开了一种通信装置及其射频前端模块，应用于通信技术领域，包括：第一通道切换电路具有N个频段的通信通道，用于在第一控制端的控制下，调整各个频段的通信通道与收发机之间的连接关系，以使得相应频段的通信通道连接至当前为该通信通道所指定的射频信号传输端；第一直流偏置器用于进行射频信号与第一控制信号的耦合，使得通过第一同轴线缆传输至第二直流偏置器解耦之后，分别传输至第一射频模组的射频信号传输端和第一控制信号传输端，以使得第一射频模组在第一控制信号的控制下，进行与第一天线装置之间的射频信号传输。应用本申请的方案，有效地简化了布线。
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公开(公告)号：CN118731673A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411037802.X
申请日：2024-07-31
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
IPC分类号： G01R31/327 , G01R31/54
摘要： 本发明涉及开关测试领域，特别是涉及一种nPmT开关的测试方法、装置及nPmT开关，通过接收待测nPmT开关的射频通道信息；根据所述射频通道信息，确定对应的菊花链串行方案；所述菊花链串行方案包括多个菊花链串行导通测试方案，多个所述菊花链串行导通测试方案覆盖所述待测nPmT开关全部的射频通道；根据所述菊花链串行方案，对所述待测nPmT开关进行多次所述菊花链串行导通测试，并确定各个所述菊花链串行导通测试对应的测试电阻值；当存在对应的测试电阻值超出合格阻值区间的菊花链串行导通测试时，确定所述待测nPmT开关为不良品。本发明通过菊花链实现了单次多通道的测试，大大提升了测试效率，降低了测试成本。
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公开(公告)号：CN118588652A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410844866.4
申请日：2024-06-27
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
摘要： 本发明涉及芯片封装领域，特别是涉及芯片隔离封装结构及方法，包括相邻层叠的两层介质基板；位于上方的介质基板的下表面包括向下金属围坝，位于下方的介质基板的上表面包括向上金属围坝；所述向上金属围坝与所述向下金属围坝位置对应，且相互连接组成芯片隔离腔；隔离芯片位于所述芯片隔离腔中，且所述隔离芯片设置于所述向下金属围坝所在的下表面和/或所述向上金属围坝所在的上表面；所述上金属围坝与所述下金属围坝为通过图形化电镀得到的金属结构。本发明采用图形电镀的方式设置向上向下两个方向的金属围坝，拼合成芯片封装腔，屏蔽性能好，还能在上下层之间充当支撑结构，提升封装整体的结构稳定性，灵活度高，工艺简单，提升空间利用率。
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