-
公开(公告)号：CN106165083A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580012658.7
申请日：2015-02-04
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种支架，包括：导电极化台(10)，被连接至高压电源(12)并且靠在电绝缘的基座(40)上；柱形的电绝缘基板托架(20)，基板托架的上表面具有被设置用于容纳基板(50)的抵靠平面；支脚(15)，靠在所述极化台(10)上，用于支承所述基板托架(20)的下表面；至少一个导电连接件(201，202，203，31，30)，用于连接所述抵靠平面到所述极化台(10)。支架的特征在于所述基板托架(20)包括发热电阻(26)。
-
公开(公告)号：CN105765733A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480062118.5
申请日：2014-09-26
申请人： 离子射线服务公司
发明人： T·博斯克
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02008 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于制造光伏电池(100)的接触结构(104)的方法(800)，其中，该方法(800)包括提供(802)步骤、掺杂(804)步骤和接触(806)步骤。在提供(802)步骤中，提供用于光伏电池(100)的晶片(102)。在掺杂(804)步骤中，以一种掺杂材料对晶片(102)至少一个面的面份额进行掺杂，以便获得掺杂的区域(106)，其中，经掺杂的区域(106)构造为掺杂的条带(106)，并且所述条带(106)通过间隙(110)分开。在接触(806)步骤中，接触经掺杂的区域(106)，以便制成接触结构(104)，其中，导体材料(108)施加到所述条带(106)上，使得所述条带(106)在两侧伸出于导体材料(108)。
-
公开(公告)号：CN105580110A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480017013.8
申请日：2014-03-20
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01L21/223 , H01L31/18 , H01L29/10
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及用于制造光伏电池的硅片的掺杂方法，该方法包括如下步骤，所述步骤在于：-对硅片的表面(10)的至少一个第一部分(11)实施第一掺杂，-在部分掺杂的表面(10)上形成氧化物层(40)，-穿过该氧化物层(40)实施第二掺杂，以掺杂硅片的表面(10)的另外部分(12)。
-
公开(公告)号：CN104937691B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201380069786.6
申请日：2013-11-25
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01J2237/3365
摘要： 本发明涉及—种离子注入机，具有壳体ENV，在壳体ENV中安置有通过高压电通道PET连接到基底电源ALT的基底支撑PPS，所述壳体ENV设置有泵进失置PP，PS，所述壳体ENV还具有没有任何阻碍物且被安置在基底支撑对面的至少两个圆柱形源体CS1，CS2。所述注入机的特征在于其每个源体CS1，CS2具有至少一个约束线圈BCI1‑BCS1，BCI2‑BCS2。
-
公开(公告)号：CN105723520A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480062121.7
申请日：2014-09-26
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于由晶体半导体材料制造太阳能电池(1)的方法，其中，在半导体衬底(3)的第一表面(3a)中通过向内热扩散第一掺杂剂构成第一掺杂区域(5)并且在半导体衬底的第二表面(3b)中通过离子注入和向内热扩散第二掺杂剂构成第二掺杂区域(7)。
-
公开(公告)号：CN103003912B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180035123.3
申请日：2011-06-01
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
CPC分类号： G01T1/02 , H01J37/244 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32935 , H01J2237/24405 , H01J2237/2448 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备，该设备包括：估算注入电流的估算模块CUR，次生电子检测器DSE，以及用于通过注入电流与来自次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路CC。此外，高能次生电子检测器DSE包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器：-用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极，该电极具有至少一个允许电子通过的孔；-用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔；-选择电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。
-
公开(公告)号：CN104106124A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201280049352.5
申请日：2012-10-04
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/32009 , H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32706 , H01L21/2236
摘要： 本发明涉及一种具有等离子体电源(AP)和衬底电源(PS)的离子注入机的控制方法，该衬底电源包括：发电机(HT)、在所述发电机和该衬底电源的输出端子之间连接的第一断路器(SW1)、在所述输出端子和一个中性端子之间连接的第二断路器(SW2)，所述方法包括注入阶段(A-D)和中和阶段(E-H)。该方法还包括与所述注入阶段和所述中和阶段部分重叠的释放阶段(C-F)，在该释放阶段期间所述等离子体电源为去激励状态。另外，所述中和阶段包括用于关闭第二断路器的预备步骤(E-F)，该预备步骤后跟有用于激励等离子体电源(AP)的消除步骤(F-G)。
-
公开(公告)号：CN104011846A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280063150.6
申请日：2012-12-19
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , H01L21/67
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/48 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： 本发明涉及一种支撑物，该支撑物包括：导电偏压台；具有肩部21的圆柱形式的绝缘静电衬底载体20，衬底载体20的底面面向偏压台，并且，其顶面22呈现被设置用于接收衬底的承载面；用于紧固所述肩部21在所述偏压台上的导电夹紧环，此外，该支撑物还包括用于将承载面连接到肩部211上的至少一个导电元件201-202-203。
-
公开(公告)号：CN112703607A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201980060474.6
申请日：2019-09-06
申请人： 离子射线服务公司 , 国家微电子中心-西班牙研究委员会
摘要： 本发明涉及一种布置在衬底10上的MOSFET器件，该MOSFET器件包括重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14，重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14分别被第一接触件13和第二接触件15覆盖，这两个条带被也出现在衬底10上的沟道18间隔开，沟道被电介质层20覆盖，第三接触件21处于电介质层20本身上面。该器件的显著之处在于，沟道18在与电介质层20的界面处包含轻掺杂有与沟道相同类型的掺杂物原子的薄膜19，这些掺杂物原子被分布在界面的两侧上。
-
公开(公告)号：CN109075005B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201680071912.5
申请日：2016-12-05
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
摘要： 本发明涉及一种以等离子体浸没式运行的注入机的控制方法，包括：‑注入阶段[1]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被负偏压S，‑中立化阶段[2]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被施加正偏压或零偏压S，‑抑制阶段[3]，在其间等离子体AP被熄灭，‑基底处的带负电粒子的排出阶段[4]，在其间等离子体AP被熄灭。该方法的特征在于这个排出阶段的持续时间大于5μs。所述发明还涉及注入机的偏压电源。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
32 条记录 (耗时 0.028 秒)
