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公开(公告)号：CN112703607A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201980060474.6
申请日：2019-09-06
申请人： 离子射线服务公司 , 国家微电子中心-西班牙研究委员会
摘要： 本发明涉及一种布置在衬底10上的MOSFET器件，该MOSFET器件包括重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14，重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14分别被第一接触件13和第二接触件15覆盖，这两个条带被也出现在衬底10上的沟道18间隔开，沟道被电介质层20覆盖，第三接触件21处于电介质层20本身上面。该器件的显著之处在于，沟道18在与电介质层20的界面处包含轻掺杂有与沟道相同类型的掺杂物原子的薄膜19，这些掺杂物原子被分布在界面的两侧上。
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公开(公告)号：CN106165083A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580012658.7
申请日：2015-02-04
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种支架，包括：导电极化台(10)，被连接至高压电源(12)并且靠在电绝缘的基座(40)上；柱形的电绝缘基板托架(20)，基板托架的上表面具有被设置用于容纳基板(50)的抵靠平面；支脚(15)，靠在所述极化台(10)上，用于支承所述基板托架(20)的下表面；至少一个导电连接件(201，202，203，31，30)，用于连接所述抵靠平面到所述极化台(10)。支架的特征在于所述基板托架(20)包括发热电阻(26)。
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公开(公告)号：CN104937691B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201380069786.6
申请日：2013-11-25
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01J2237/3365
摘要： 本发明涉及—种离子注入机，具有壳体ENV，在壳体ENV中安置有通过高压电通道PET连接到基底电源ALT的基底支撑PPS，所述壳体ENV设置有泵进失置PP，PS，所述壳体ENV还具有没有任何阻碍物且被安置在基底支撑对面的至少两个圆柱形源体CS1，CS2。所述注入机的特征在于其每个源体CS1，CS2具有至少一个约束线圈BCI1‑BCS1，BCI2‑BCS2。
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公开(公告)号：CN103003912B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180035123.3
申请日：2011-06-01
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
CPC分类号： G01T1/02 , H01J37/244 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32935 , H01J2237/24405 , H01J2237/2448 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备，该设备包括：估算注入电流的估算模块CUR，次生电子检测器DSE，以及用于通过注入电流与来自次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路CC。此外，高能次生电子检测器DSE包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器：-用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极，该电极具有至少一个允许电子通过的孔；-用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔；-选择电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。
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公开(公告)号：CN104106124A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201280049352.5
申请日：2012-10-04
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/32009 , H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32706 , H01L21/2236
摘要： 本发明涉及一种具有等离子体电源(AP)和衬底电源(PS)的离子注入机的控制方法，该衬底电源包括：发电机(HT)、在所述发电机和该衬底电源的输出端子之间连接的第一断路器(SW1)、在所述输出端子和一个中性端子之间连接的第二断路器(SW2)，所述方法包括注入阶段(A-D)和中和阶段(E-H)。该方法还包括与所述注入阶段和所述中和阶段部分重叠的释放阶段(C-F)，在该释放阶段期间所述等离子体电源为去激励状态。另外，所述中和阶段包括用于关闭第二断路器的预备步骤(E-F)，该预备步骤后跟有用于激励等离子体电源(AP)的消除步骤(F-G)。
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公开(公告)号：CN104011846A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280063150.6
申请日：2012-12-19
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , H01L21/67
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/48 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： 本发明涉及一种支撑物，该支撑物包括：导电偏压台；具有肩部21的圆柱形式的绝缘静电衬底载体20，衬底载体20的底面面向偏压台，并且，其顶面22呈现被设置用于接收衬底的承载面；用于紧固所述肩部21在所述偏压台上的导电夹紧环，此外，该支撑物还包括用于将承载面连接到肩部211上的至少一个导电元件201-202-203。
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公开(公告)号：CN109075005A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680071912.5
申请日：2016-12-05
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
摘要： 本发明涉及一种以等离子体浸没式运行的注入机的控制方法，包括：-注入阶段[1]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被负偏压S，-中立化阶段[2]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被施加正偏压或零偏压S，-抑制阶段[3]，在其间等离子体AP被熄灭，-基底处的带负电粒子的排出阶段[4]，在其间等离子体AP被熄灭。该方法的特征在于这个排出阶段的持续时间大于5μs。所述发明还涉及注入机的偏压电源。
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公开(公告)号：CN104937691A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201380069786.6
申请日：2013-11-25
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01J2237/3365
摘要： 本发明涉及—种离子注入机，具有壳体ENV，在壳体ENV中安置有通过高压电通道PET连接到基底电源ALT的基底支撑PPS，所述壳体ENV设置有泵进失置PP，PS，所述壳体ENV还具有没有任何阻碍物且被安置在基底支撑对面的至少两个圆柱形源体CS1，CS2。所述注入机的特征在于其每个源体CS1，CS2具有至少一个约束线圈BCI1-BCS1，BCI2-BCS2。
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公开(公告)号：CN103003911A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035122.9
申请日：2011-06-01
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32 , H01J47/00
CPC分类号： G01T1/28 , H01J37/244 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32935 , H01J47/001 , H01J2237/24405 , H01J2237/2448 , H01J2237/24485
摘要： 本发明涉及一种高能次生电子检测器，该检测器包括收集器P，该收集器专门支承互相绝缘并相对于该收集器被极化的以下三个电极：用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极A1，被负极化的该电极具有至少一个允许电子通过的开口；用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极A2，被正极化的该电极也具有至少一个允许电子通过的开口；选择电极A3，该电极也具有至少一个允许电子通过的开口，这些电极的开口在传导筒（D）上对齐。此外，选择电极A3被负极化。本发明还针对通过该检测器检测次生电子的方法。
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公开(公告)号：CN109075005B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201680071912.5
申请日：2016-12-05
申请人： 离子射线服务公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
摘要： 本发明涉及一种以等离子体浸没式运行的注入机的控制方法，包括：‑注入阶段[1]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被负偏压S，‑中立化阶段[2]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被施加正偏压或零偏压S，‑抑制阶段[3]，在其间等离子体AP被熄灭，‑基底处的带负电粒子的排出阶段[4]，在其间等离子体AP被熄灭。该方法的特征在于这个排出阶段的持续时间大于5μs。所述发明还涉及注入机的偏压电源。
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