元件的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101283443A

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200680037806.1

    申请日:2006-10-13

    CPC classification number: G02F1/1368 G02F1/13439 H01L27/124

    Abstract: 本发明涉及具备刻蚀铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法,提供极度抑制对铝合金膜造成的破坏,可以实现可靠性高的元件的制造技术。具备在基板上形成铝合金膜,刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法中,形成铝合金膜后,使铝合金膜表面氧化。这时的氧化处理如下进行:以相对于将具备自然氧化被膜的规定厚度的铝合金膜通过铝合金用刻蚀液以总厚度刻蚀时所算出的厚度方向的刻蚀速度,可以确保80%以上的刻蚀速度的条件,形成氧化被膜。

    元件的接合结构
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101390215A

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200780006638.4

    申请日:2007-08-08

    Abstract: 本发明提供在n+-Si等半导体层和Al系合金层直接接合时可防止Al和Si的互相扩散,可维持欧姆特性,可确保Al系合金层本身的低电阻特性的元件的接合结构。本发明是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构,该元件的接合结构的特征在于,与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。该Si的氮含量为1×10A18~5×1021原子/cm3。

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