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公开(公告)号:CN101365816B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200780001938.3
申请日:2007-08-30
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C23C14/16 , G02F1/13439 , G02F2203/02 , Y10T428/12611 , Y10T428/12736
Abstract: 本发明涉及反射型显示器,提供具有优异的反射特性且能与ITO和IZO等透明电极层直接接合的反射膜用铝类合金材料。本发明的在铝中含有镍和硼的反射膜用Al-Ni-B合金材料的特征在于,镍含量为1.5at%~4at%,硼含量为0.1at%~0.5at%,其余为铝。此外,进一步优选镍含量为1.5at%~3at%,硼含量为0.1at%~0.4at%。
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公开(公告)号:CN101365816A
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200780001938.3
申请日:2007-08-30
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C23C14/16 , G02F1/13439 , G02F2203/02 , Y10T428/12611 , Y10T428/12736
Abstract: 本发明涉及反射型显示器,提供具有优异的反射特性且能与ITO和IZO等透明电极层直接接合的反射膜用铝类合金材料。本发明的在铝中含有镍和硼的反射膜用Al-Ni-B合金材料的特征在于,镍含量为1.5at%~4at%,硼含量为0.1at%~0.5at%,其余为铝。此外,进一步优选镍含量为1.5at%~3at%,硼含量为0.1at%~0.4at%。
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公开(公告)号:CN101283443A
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200680037806.1
申请日:2006-10-13
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13439 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及具备刻蚀铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法,提供极度抑制对铝合金膜造成的破坏,可以实现可靠性高的元件的制造技术。具备在基板上形成铝合金膜,刻蚀该铝合金膜而形成配线电路的工序的元件的制造方法中,形成铝合金膜后,使铝合金膜表面氧化。这时的氧化处理如下进行:以相对于将具备自然氧化被膜的规定厚度的铝合金膜通过铝合金用刻蚀液以总厚度刻蚀时所算出的厚度方向的刻蚀速度,可以确保80%以上的刻蚀速度的条件,形成氧化被膜。
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公开(公告)号:CN1878886A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200580001261.4
申请日:2005-07-08
Applicant: 三井金属鉱业株式会社 , 日本轻金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明提供可尽量不产生溅镀时的电弧放电现象和喷溅现象的溅镀靶材。对溅镀靶材的用于溅镀的部分进行了摩擦搅拌处理,即使是含碳的铝类合金的溅镀靶材或大型的溅镀靶材,也可以可靠地抑制溅镀时的电弧放电现象和喷溅现象。
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公开(公告)号:CN101375378B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200780003110.1
申请日:2007-10-22
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1343 , H01B1/02 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/458 , C22C21/00 , G02F1/13439 , G02F2001/136295 , H01L23/53219 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有薄膜晶体管的显示装置中的可与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金配线材料。本发明的铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料的特征在于,含有氮(N)。较好的是该氮含量为2×1017原子/cm3以上但不足9×1021原子/cm3。较好的是该Al系合金配线材料在镍的组成比例定义为x原子%、硼的组成比例定义为y原子%、铝的组成比例定义为z原子%、x+y+z=100时,满足0.5≤x≤10.0、0.05≤y≤11.00、y+0.25x≥1.00、y+1.15x≤11.50各式,其余部分含有氮。
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公开(公告)号:CN101506954A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200780030471.5
申请日:2007-10-11
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L23/52 , H01L29/786 , C23C14/06 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L29/4908 , C23C14/185 , C23C14/35 , H01L21/28008 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供可以实现更低电阻的配线用电路形成技术,特别是提出即使是大型化的液晶显示器也可以可靠地将配线电阻低电阻化的配线用层叠膜。本发明涉及配线用层叠膜,其特征在于,层叠有低电阻金属层和含有0.5at%~10.0at%的Ni的Al-Ni类合金层。该低电阻金属层包含Au、Ag、Cu、Al中的至少一种以上的元素,电阻率值在3μΩ·cm以下。
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公开(公告)号:CN101390215A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200780006638.4
申请日:2007-08-08
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供在n+-Si等半导体层和Al系合金层直接接合时可防止Al和Si的互相扩散,可维持欧姆特性,可确保Al系合金层本身的低电阻特性的元件的接合结构。本发明是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构,该元件的接合结构的特征在于,与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。该Si的氮含量为1×10A18~5×1021原子/cm3。
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公开(公告)号:CN101375378A
公开(公告)日:2009-02-25
申请号:CN200780003110.1
申请日:2007-10-22
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1343 , H01B1/02 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/458 , C22C21/00 , G02F1/13439 , G02F2001/136295 , H01L23/53219 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有薄膜晶体管的显示装置中的可与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金配线材料。本发明的铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料的特征在于,含有氮(N)。较好的是该氮含量为2×1017原子/cm3以上但不足9×1021原子/cm3。较好的是该Al系合金配线材料在镍的组成比例定义为x原子%、硼的组成比例定义为y原子%、铝的组成比例定义为z原子%、x+y+z=100时,满足0.5≤x≤10.0、0.05≤y≤11.00、y+0.25x≥1.00、y+1.15x≤11.50各式,其余部分含有氮。
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公开(公告)号:CN1860250A
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN200480028627.2
申请日:2004-12-20
Applicant: 三井金属鉱业株式会社 , 日本轻金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285 , B23K20/12 , B23K103/10
CPC classification number: B23K20/122 , B23K2103/10 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的目的是提供尽量减少像气孔这样的内部缺陷、不发生翘曲的大面积铝类靶材。它是由多块铝合金靶材构成件构成的铝类靶材,具备通过搅拌摩擦焊接法接合铝合金靶材构成件的接合部。此外,该接合部为在铝母材中分散了直径10μm以下的金属间化合物析出物的组织,存在0.01~0.1个/cm2的直径500μm以下的气孔。
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