公开(公告)号：CN108630534A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810245726.X

申请日：2018-03-23

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

发明人： 市川弘之 ,  西真弘

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L21/28575 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53261 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开了一种在氮化物半导体材料上形成包含铝(Al)的欧姆电极的方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体材料上沉积欧姆金属；(b)形成绝缘膜，使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和(c)在高于500℃的温度使所述欧姆金属合金化30秒至60秒。

公开(公告)号：CN105321931A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510300351.9

申请日：2015-06-03

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 古桥隆寿 ,  松本雅弘

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体器件，一种提供提高的可靠性的具有电容器的半导体器件。布线和电容器形成在上覆半导体衬底的层间绝缘膜上，且另一层间绝缘膜形成在该层间绝缘膜上以便覆盖布线和电容器。电容器包括上覆层间绝缘膜的下电极、上覆层间绝缘膜以至少部分地覆盖下电极的上电极，以及插入下电极和上电极之间的电容绝缘膜。上电极和布线由同一层中的导电膜图案形成。一个插塞位于下电极下并电耦接至下电极，且另一插塞位于上电极的在平面图中与下电极不重叠的部分上并电耦接至上电极。另一插塞位于布线上并电耦接至该布线。

公开(公告)号：CN103069042A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180041104.1

申请日：2011-09-26

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 奥野博行 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H05K1/0298 ,  C22C21/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/023 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/12542 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种技术，在薄膜晶体管基板、反射膜、反射阳极电极、触摸屏传感器等的制造工序中，能够有效防止氯化钠溶液的浸渍下的Al合金表面的腐蚀和针孔腐蚀(黑点)等的腐蚀，耐腐蚀性优异，而且能够防止小丘的生成且耐热性也优异的Al合金膜。本发明的Al合金膜，是用于配线膜或反射膜的Al合金膜，其中，含有Ta和/或Ti：0.01～0.5原子％、稀土类元素：0.05～2.0原子％。

公开(公告)号：CN101246661B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810004796.2

申请日：2008-02-13

申请人： 索尼株式会社

发明人： 三并彻雄 ,  饭田幸人 ,  内野胜秀

IPC分类号： G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC分类号： G09G3/3258 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/78672 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/5392

摘要： 本发明提供了像素电路和显示设备，其中，该像素电路包括：开关晶体管，其导通受提供给控制终端的驱动信号的控制；驱动配线，用于传送驱动信号；以及数据配线，用于传输数据信号。驱动配线形成在第一配线层上并连接到开关晶体管的控制终端。数据配线形成在第二配线层上并连接到开关晶体管的第一终端。使用多层配线结构，使得在与其上形成第一配线层的层不同的层上形成第二配线层。通过本发明，能够抑制由提供栅极脉冲的配线电阻所引起的暗影和辉纹。

公开(公告)号：CN101375378B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200780003110.1

申请日：2007-10-22

申请人： 三井金属鉱业株式会社

发明人： 占部宏成 ,  松浦宜范 ,  久保田高史

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53219 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供具有薄膜晶体管的显示装置中的可与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金配线材料。本发明的铝中含有镍和硼的Al系合金配线材料的特征在于，含有氮(N)。较好的是该氮含量为2×1017原子/cm3以上但不足9×1021原子/cm3。较好的是该Al系合金配线材料在镍的组成比例定义为x原子％、硼的组成比例定义为y原子％、铝的组成比例定义为z原子％、x+y+z＝100时，满足0.5≤x≤10.0、0.05≤y≤11.00、y+0.25x≥1.00、y+1.15x≤11.50各式，其余部分含有氮。

公开(公告)号：CN100564560C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680001532.0

申请日：2006-03-30

申请人： 三井金属鉱业株式会社

发明人： 占部宏成 ,  松浦宜範 ,  久保田高史

IPC分类号： C22C21/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请的发明提供在具备薄膜晶体管及透明电极层的显示器件中，能够与ITO或IZO等的透明电极层直接接合，同时还能够与n+-Si等半导体层直接接合的Al系合金布线材料。本申请的发明的Al合金布线材料中，将镍含量设为镍的原子百分率Xat%，硼含量设为硼的原子百分率Yat%时，所述含量在满足下述各式的区域的范围内，余分为铝，式0.5≤X≤10.0；0.05≤Y≤11.0；Y+0.25X≥1.0；Y+1.15X≤11.5。

公开(公告)号：CN101506954A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780030471.5

申请日：2007-10-11

申请人： 三井金属鉱业株式会社

发明人： 久保田高史 ,  松浦宜范

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C23C14/06 ,  G02F1/1343

CPC分类号： H01L29/4908 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28008 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供可以实现更低电阻的配线用电路形成技术，特别是提出即使是大型化的液晶显示器也可以可靠地将配线电阻低电阻化的配线用层叠膜。本发明涉及配线用层叠膜，其特征在于，层叠有低电阻金属层和含有0.5at％～10.0at％的Ni的Al－Ni类合金层。该低电阻金属层包含Au、Ag、Cu、Al中的至少一种以上的元素，电阻率值在3μΩ·cm以下。

公开(公告)号：CN100499137C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610114890.4

申请日：2006-08-16

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1-6原子%的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。

公开(公告)号：CN103579180B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310297938.X

申请日：2013-07-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杨智超 ,  S·M·盖茨

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5252 ,  G11C17/165 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种反熔丝结构，在该反熔丝结构中，在设置于互连电介质材料中的多个开口中的一个开口内嵌入反熔丝材料衬里。该反熔丝材料衬里位于同样存在于所述开口内的第一导电金属和第二导电金属之间。扩散阻挡衬里将所述第一导电金属与所述互连电介质材料的任何部分分开。所述反熔丝结构与互连结构横向邻近，该互连结构形成在与所述反熔丝结构相同的互连电介质材料中。

公开(公告)号：CN103069042B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180041104.1

申请日：2011-09-26

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 奥野博行 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H05K1/0298 ,  C22C21/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/023 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/12542 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种技术，在薄膜晶体管基板、反射膜、反射阳极电极、触摸屏传感器等的制造工序中，能够有效防止氯化钠溶液的浸渍下的Al合金表面的腐蚀和针孔腐蚀(黑点)等的腐蚀，耐腐蚀性优异，而且能够防止小丘的生成且耐热性也优异的Al合金膜。本发明的Al合金膜，是用于配线膜或反射膜的Al合金膜，其中，含有Ta和/或Ti：0.01～0.5原子％、稀土类元素：0.05～2.0原子％。