公开(公告)号：CN1860250A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200480028627.2

申请日：2004-12-20

Applicant: 三井金属鉱业株式会社 ,  日本轻金属株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜范 ,  加藤和照

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  B23K20/12 ,  B23K103/10

CPC classification number: B23K20/122 ,  B23K2103/10 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的是提供尽量减少像气孔这样的内部缺陷、不发生翘曲的大面积铝类靶材。它是由多块铝合金靶材构成件构成的铝类靶材，具备通过搅拌摩擦焊接法接合铝合金靶材构成件的接合部。此外，该接合部为在铝母材中分散了直径10μm以下的金属间化合物析出物的组织，存在0.01～0.1个/cm2的直径500μm以下的气孔。

公开(公告)号：CN1878886A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580001261.4

申请日：2005-07-08

Applicant: 三井金属鉱业株式会社 ,  日本轻金属株式会社

Inventor： 加藤和照 ,  久保田高史 ,  木村浩 ,  松浦宜范 ,  松崎健嗣

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  B23K20/12 ,  C22C21/00 ,  C22C1/02 ,  B23K103/10

CPC classification number: C23C14/3414

Abstract: 本发明提供可尽量不产生溅镀时的电弧放电现象和喷溅现象的溅镀靶材。对溅镀靶材的用于溅镀的部分进行了摩擦搅拌处理，即使是含碳的铝类合金的溅镀靶材或大型的溅镀靶材，也可以可靠地抑制溅镀时的电弧放电现象和喷溅现象。

公开(公告)号：CN100417993C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200580000295.1

申请日：2005-03-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  池田真 ,  加藤和照

IPC: G02F1/1343 ,  H01L21/20 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有-1.2V～-0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。

公开(公告)号：CN1179061C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02118135.7

申请日：2002-04-19

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  渡边弘 ,  松前和男 ,  加藤和照

IPC: C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 提供一种铝合金靶材的制造技术。它能够容易地使铝母相中的铝-碳相无大的偏析，微细析止。在该铝中含碳的铝系合金靶材的制造方法中，将铝投入碳坩埚中，加热至1600℃-2500℃，将铝熔化，在碳坩埚中生成铝-碳合金，使该熔液冷却凝固，由此形成铝-碳相均匀微细地分散在铝母相中的铝-碳合金。或者，将该铝-碳合金再熔化，加入镁等添加元素，搅拌后进行铸造。

公开(公告)号：CN100428367C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200580000338.6

申请日：2005-02-15

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  松崎健嗣 ,  加藤和照

IPC: H01B1/02 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H05K1/09

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  H01B1/023 ,  H01L21/283 ,  H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供适用于进行500℃以上的高温热处理的低温加工的多晶硅薄膜晶体管的、高耐热和低电阻率特性良好的铝合金配线材料及靶材。所述铝合金配线材料及靶材是含有镍、钴、碳的铝合金配线材料及靶材，其特征在于，假设镍含量的原子百分比为X at%，钴含量的原子百分比为Y at%，碳含量的原子百分比为Z at%，满足0.5at%≤X≤3.0at%、4.0at%≤X+Y≤7.0at%、0.1at%≤Z≤0.5at%的关系，其余由铝构成。

公开(公告)号：CN1788322A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200580000338.6

申请日：2005-02-15

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  松崎健嗣 ,  加藤和照

IPC: H01B1/02 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H05K1/09

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  H01B1/023 ,  H01L21/283 ,  H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供适用于进行500℃以上的高温热处理的低温加工的多晶硅薄膜晶体管的、高耐热和低电阻率特性良好的铝合金配线材料及靶材。所述铝合金配线材料及靶材是含有镍、钴、碳的铝合金配线材料及靶材，其特征在于，假设镍含量的原子百分比为Xat％，钴含量的原子百分比为Yat％，碳含量的原子百分比为Zat％，满足0.5at％≤X≤3.0at％、4.0at％≤X+Y≤7.0at％、0.1at％≤Z≤0.5at％的关系，其余由铝构成。

公开(公告)号：CN1774666A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200580000295.1

申请日：2005-03-22

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  松浦宜範 ,  池田真 ,  加藤和照

IPC: G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有－1.2V～－0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。