显示设备
    1.
    发明公开
    显示设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN113889510A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202110735299.5

    申请日:2021-06-30

    IPC分类号: H01L27/32 H01L27/12

    摘要: 提供了一种显示设备。所述显示设备包括:基底,具有显示区域;多个像素电路,布置在显示区域中,像素电路中的每个包括薄膜晶体管;多个显示元件,分别连接到像素电路;以及复合层,设置在像素电路与显示元件之间,复合层包括顺序堆叠的第一无机绝缘层、第一有机绝缘层和第二无机绝缘层。

    指纹传感器及包括该指纹传感器的显示装置

    公开(公告)号:CN114495182A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111037352.0

    申请日:2021-09-06

    发明人: 全祐奭

    IPC分类号: G06V40/13 H01L27/32

    摘要: 本发明涉及一种指纹传感器及包括该指纹传感器的显示装置。根据一实施例的指纹传感器包括:光感测层,包括感测电流根据入射的光而流动的光感测元件;以及准直器层,布置于所述光感测层上,其中,所述准直器层包括:第一阻光层,包括多个第一孔;第一光透射层,布置于所述第一阻光层上;以及第二阻光层,布置于所述第一光透射层上,并且包括与所述多个第一孔重叠的多个第二孔。

    用于形成发光元件图案的方法和显示装置

    公开(公告)号:CN111200083A

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201911132235.5

    申请日:2019-11-19

    发明人: 全祐奭

    IPC分类号: H01L51/56 H01L27/32

    摘要: 提供了一种用于形成发光元件图案的方法和显示装置。根据发明构思的实施例的用于形成发光元件图案的方法包括:在目标材料上形成具有开口的图案层;在与开口对应的目标材料上形成发光元件图案;以及去除图案层。这里,图案层包括设置在目标材料上的第一图案层、设置在第一图案层上的第二图案层和设置在第二图案层上的第三图案层。第二图案层具有从第三图案层的边缘凹入的底切部分。

    显示装置及制造显示装置的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114256307A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111112335.9

    申请日:2021-09-18

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/56

    摘要: 本发明提供一种显示装置及制造显示装置的方法。显示装置包括显示区和非显示区,进一步包括:包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底层,基底层在非显示区中具有穿透第一表面和第二表面的开口部;包括位于第一表面上的端子的焊盘单元,端子从第一表面延伸到开口部;连接到第一表面上的端子的连接线,连接线从非显示区延伸到显示区;覆盖端子和连接线的绝缘层;包括位于绝缘层上的半导体层的薄膜晶体管,薄膜晶体管连接到连接线;以及连接到薄膜晶体管的显示元件,显示元件位于显示区中。

    显示面板和用于制造显示面板的方法

    公开(公告)号:CN116096153A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211302756.2

    申请日:2022-10-24

    发明人: 全祐奭

    摘要: 提供了显示面板和用于制造显示面板的方法。显示面板包括发光元件以及电连接到发光元件的像素电路,其中像素电路包括晶体管。晶体管包括:栅极;第一绝缘图案,与栅极重叠并且设置在栅极之下;第二绝缘图案,包括在平面图中设置在第一绝缘图案外部的一部分;以及半导体图案,设置在第一绝缘图案和第二绝缘图案之下并且在平面图中与第一绝缘图案和第二绝缘图案重叠。

    显示装置
    9.
    发明公开
    显示装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN116805632A

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202310295859.9

    申请日:2023-03-23

    IPC分类号: H01L27/12 H10K59/121

    摘要: 本发明提供了显示装置。该显示装置包括:基板;有源图案,设置在基板上,并且包括第一区、第二区、第1‑1沟道区、第1‑2沟道区以及设置在第1‑1沟道区与第1‑2沟道区之间的第三区;第一绝缘层,设置在基板上并且覆盖有源图案;第二绝缘层,设置在第一绝缘层上,并且在第二绝缘层中限定有与第1‑2沟道区、第二区和第三区重叠的开口;第一栅电极,设置在第一绝缘层上并且分别与第1‑1沟道区和第1‑2沟道区重叠;以及高介电层,设置在第一绝缘层和第二绝缘层上、覆盖第一栅电极并且填充开口。