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公开(公告)号：CN112242120B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010672870.9
申请日：2020-07-14
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , H10K59/131 , H10K59/121
摘要： 提供了显示装置。显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素，其中，像素包括发光元件、配置成根据从数据线接收到的数据电压来控制供给到发光元件的驱动电流的驱动晶体管以及配置成根据施加到扫描线的扫描信号来将数据线的数据电压施加到驱动晶体管的第一开关晶体管，其中，驱动晶体管包括具有氧化物半导体的第一有源层以及位于第一有源层上并且包括氧化物半导体的第一氧化物层，以及其中，第一开关晶体管包括位于第一有源层上并且包括与第一氧化物层相同的氧化物半导体的第二有源层。
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公开(公告)号：CN112397550A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010742693.7
申请日：2020-07-29
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , H01L27/12 , H01L21/77 , G09G3/3233
摘要： 本发明涉及显示设备及其制造方法。该显示设备包括：基板；被布置在基板上的缓冲层；被布置在缓冲层上并且包括氧化物半导体和第一有源层的第一半导体层；被布置在第一半导体层和缓冲层上的第一栅绝缘层；被布置在第一栅绝缘层上并且包括氧化物半导体、第二有源层以及在第一有源层上的第一氧化物层的第二半导体层；被布置在第二半导体层上的第二栅绝缘层；被布置在第二栅绝缘层上的第一导电层；被布置在第一导电层上的绝缘层；被布置在绝缘层上的第二导电层；被布置在第二导电层上的钝化层；以及被布置在钝化层上的第三导电层。
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公开(公告)号：CN111599839A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010106821.9
申请日：2020-02-20
申请人： 三星显示有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 提供了一种显示装置和制造所述显示装置的方法。所述显示装置包括像素，所述像素连接到扫描线和与所述扫描线交叉的数据线，其中所述像素包括发光元件和驱动晶体管，所述驱动晶体管根据从所述数据线接收的数据电压控制向所述发光元件提供的驱动电流，其中所述驱动晶体管包括具有包含锡(Sn)的氧化物半导体的第一有源层。
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公开(公告)号：CN103855194A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN109427823B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810994061.2
申请日：2018-08-29
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123
摘要： 本发明公开了一种显示装置，包括基板、在基板上的薄膜晶体管和在基板上且与薄膜晶体管电连接的显示元件。薄膜晶体管包括在基板上方的有源层、在有源层上方的栅极、与栅极连接的栅极线以及在有源层和栅极之间的栅极绝缘膜。有源层包括与栅极交叠的沟道区以及在沟道区的各侧上的漏极区和源极区。将漏极区和源极区以最短距离连接的直线的长度可以大于平行于该直线的栅极线的宽度。
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公开(公告)号：CN113540176A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110422391.6
申请日：2021-04-20
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置可包括第一栅电极、缓冲层、第一有源图案、源图案和漏图案、绝缘层、氧供给图案、第二有源图案、绝缘图案和第二栅电极，第一栅电极位于衬底上，缓冲层位于第一栅电极上，第一有源图案位于缓冲层上，与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体，源图案和漏图案分别位于第一有源图案的端部上，绝缘层与缓冲层上的源图案和漏图案重叠，氧供给图案位于绝缘层上，与第一有源图案重叠并且将氧供给到第一有源图案，第二有源图案位于绝缘层上并且与氧供给图案间隔开，第二有源图案包括沟道区以及源区和漏区，绝缘图案位于第二有源图案的沟道区上，第二栅电极位于绝缘图案上。
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公开(公告)号：CN113540165A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110381318.9
申请日：2021-04-09
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层，设置在基底上；第一栅极绝缘层，设置在第一有源层上；氧化物层，设置在第一栅极绝缘层上，并且包括氧化物半导体；第一栅电极，设置在氧化物层上；第二栅极绝缘层，设置在第一栅电极和第二有源层上；以及第二栅电极，在基底的厚度方向上与第二有源层叠置，并且设置在第二栅极绝缘层上，其中，在厚度方向上，氧化物层与第一有源层叠置，并且不与第二有源层叠置。
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公开(公告)号：CN113257870A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110167819.7
申请日：2021-02-07
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本公开涉及一种显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：基底；第一导电层，位于基底上并且包括第一信号线；绝缘层图案，位于述第一导电层上；半导体图案，位于绝缘层图案上；栅极绝缘层，位于半导体图案上；以及第二导电层，包括位于栅极绝缘层上的栅极电极、以及第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极各自位于半导体图案的至少一部分上，其中，绝缘层图案和半导体图案具有相同的平面形状，半导体图案包括与栅极电极重叠的沟道区、位于沟道区的第一侧上的第一源极/漏极区和位于沟道区的第二侧上的第二源极/漏极区，并且第一源极/漏极电极电连接第一源极/漏极区和第一信号线。
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公开(公告)号：CN112652632A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011084620.X
申请日：2020-10-12
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本发明涉及显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括：基板；在基板上的第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层；在第一有源层上的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上的第一栅电极；在第二有源层上的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上的第二栅电极，其中第一栅绝缘层的氢浓度低于第二栅绝缘层的氢浓度。
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公开(公告)号：CN109427823A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810994061.2
申请日：2018-08-29
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示装置，包括基板、在基板上的薄膜晶体管和在基板上且与薄膜晶体管电连接的显示元件。薄膜晶体管包括在基板上方的有源层、在有源层上方的栅极、与栅极连接的栅极线以及在有源层和栅极之间的栅极绝缘膜。有源层包括与栅极交叠的沟道区以及在沟道区的各侧上的漏极区和源极区。将漏极区和源极区以最短距离连接的直线的长度可以大于平行于该直线的栅极线的宽度。
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