公开(公告)号：CN118742172A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410297205.4

申请日：2024-03-15

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 韩基林 ,  金亿洙 ,  南润龙 ,  具素英 ,  金亨俊

IPC分类号： H10K71/70 ,  H10K59/131 ,  H10K71/00

摘要： 本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：显示区域和设置为与所述显示区域相邻的测试区域；和第一测试元件，在所述测试区域中设置在基底上。所述第一测试元件包括：第一焊盘部分，包括第一‑第一电压焊盘、第一‑第二电压焊盘、第一电流焊盘和第一接地焊盘；第一测试图案，将所述第一‑第一电压焊盘和所述第一接地焊盘电连接；以及第二测试图案，与所述第一测试图案接触并且将所述第一电流焊盘和所述第一‑第二电压焊盘电连接。在所述第一测试图案与所述第二测试图案彼此接触的区域中，流入所述第一接地焊盘中的第一电流的方向和流入所述第一‑第一电压焊盘中的第二电流的方向彼此相反。

公开(公告)号：CN118412356A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410118675.X

申请日：2024-01-29

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 具素英 ,  姜泰旭 ,  金亨度 ,  金亨俊 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  韩基林

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供一种显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：缓冲层，包括无机绝缘材料；有源图案，设置在缓冲层上并且包括沟道区和与沟道区相邻的第一导体区；栅绝缘层，设置在缓冲层和有源图案上并且包括无机绝缘材料；栅电极层，包括第一电极，第一电极包括通过沿着栅绝缘层的侧表面延伸而电接触第一导体区的第一接触部分；以及供氧层，包括设置在第一电极与栅绝缘层之间的第一图案，其中第一图案包括在平面图中从第一图案的侧表面凹陷以围绕第一接触部分的至少一部分的第一凹槽。

公开(公告)号：CN113257870A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110167819.7

申请日：2021-02-07

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 全景辰 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  金亨俊 ,  朴晙晳 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本公开涉及一种显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：基底；第一导电层，位于基底上并且包括第一信号线；绝缘层图案，位于述第一导电层上；半导体图案，位于绝缘层图案上；栅极绝缘层，位于半导体图案上；以及第二导电层，包括位于栅极绝缘层上的栅极电极、以及第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极各自位于半导体图案的至少一部分上，其中，绝缘层图案和半导体图案具有相同的平面形状，半导体图案包括与栅极电极重叠的沟道区、位于沟道区的第一侧上的第一源极/漏极区和位于沟道区的第二侧上的第二源极/漏极区，并且第一源极/漏极电极电连接第一源极/漏极区和第一信号线。

公开(公告)号：CN113161393A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110088930.7

申请日：2021-01-22

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 具素英 ,  金宰范 ,  全景辰 ,  金亿洙 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本公开涉及显示装置，根据本公开的实施例的显示装置包括：基底；第一导电层，位于所述基底上；第一绝缘层，位于所述第一导电层上；有源图案，位于所述第一绝缘层上，并且所述有源图案包括半导体材料；第二绝缘层，位于所述有源图案上；以及第二导电层，位于所述第二绝缘层上，其中，所述第一绝缘层具有暴露所述第一导电层的第一开口，所述第二绝缘层具有暴露所述第一导电层的第二开口，所述第一开口的宽度不同于所述第二开口的宽度，并且所述第一开口的侧表面和所述第二开口的侧表面被形成到所述第一导电层的顶表面。

公开(公告)号：CN114551503A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202110894831.8

申请日：2021-08-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 文然建 ,  金兑相 ,  朴晙晳 ,  孙尚佑 ,  具素英

IPC分类号： H01L27/32 ,  G09G3/3233

摘要： 本发明的一实施例提供一种显示装置，包括：基板，包括显示区域以及所述显示区域外围的周边区域；像素电路，配置于所述显示区域，并包括驱动薄膜晶体管以及开关薄膜晶体管；以及显示要件，与所述像素电路连接，所述驱动薄膜晶体管包括以单层设置的驱动半导体层，所述开关薄膜晶体管包括以氧化物半导体设置的第一层、第二层、第三层依次叠层的开关半导体层，所述第二层的电导率高于所述第一层以及所述第三层的电导率。

公开(公告)号：CN114361195A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111188082.3

申请日：2021-10-12

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 全景辰 ,  具素英 ,  金億洙 ,  金亨俊 ,  南润龙 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/15

摘要： 提供了一种显示装置及制造其的方法。该显示装置包括：第一导电层，设置在基底上；钝化层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在钝化层上；通孔层，设置在第二导电层上；第三导电层，设置在通孔层上，第三导电层包括第一电极、第二电极、连接图案，第一电极、第二电极和连接图案彼此间隔开；以及发光元件，发光元件的第一端部和第二端部分别设置在第一电极和第二电极上，其中，连接图案通过穿透通孔层和钝化层的第一接触孔将第一导电层和第二导电层电连接。

公开(公告)号：CN114171558A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111042418.5

申请日：2021-09-07

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金亨俊 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本发明公开一种显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括：第一晶体管，包括位于基板上的遮光图案、位于遮光图案上的有源图案以及位于有源图案上的栅电极；第二晶体管，被配置为响应于栅信号而将数据电压提供到第一晶体管；以及存储电容器，电连接到栅电极和遮光图案，并且包括：与遮光图案位于同一层中的第一导电图案；位于第一导电图案上并且与第一导电图案重叠的第二导电图案；与栅电极位于同一层中、与第二导电图案重叠并且电连接到第一导电图案的第三导电图案；以及位于第三导电图案上、与第三导电图案重叠并且电连接到第二导电图案的第四导电图案。

公开(公告)号：CN113972231A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110743264.6

申请日：2021-07-01

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金亨俊 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L21/77

摘要： 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底；第一半导体层，设置在基底上，其中，第一半导体层包括沟道区和掺杂区；第一栅电极，设置为与第一半导体层的沟道区叠置；中间膜，设置在第一半导体层和第一栅电极上；以及第一电极，设置在中间膜上，其中，开口被限定为穿过中间膜以与第一半导体层的掺杂区叠置，第一半导体层的掺杂区和第一电极通过开口彼此接触，并且开口的与基底平行的剖面的面积在约49μm2至约81μm2的范围内。

公开(公告)号：CN111009557A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910940709.2

申请日：2019-09-30

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 裵俊佑 ,  具素英 ,  金太熙 ,  阮成进 ,  李京垣 ,  李镕守 ,  李在燮 ,  曹奎哲

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12

摘要： 本公开涉及有机发光二极管显示器，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：基底；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基底上；第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一缓冲层上；第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上；第一栅电极和阻挡层，所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上；第二缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一栅电极上；第二半导体层，所述第二半导体层在所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上；以及第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN104756257A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380054436.2

申请日：2013-10-15

申请人： 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

发明人： 田尾博昭 ,  前田刚彰 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  具素英 ,  金建熙

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。