公开(公告)号：CN114649369A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111203920.X

申请日：2021-10-15

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金宰范 ,  金明镐 ,  金连洪 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一薄膜晶体管、第一绝缘层、第二薄膜晶体管、第二绝缘层、中间绝缘层、导电图案和显示元件，衬底包括显示区域和包括透射区域的部件区域，第一薄膜晶体管包括第一半导体层和第一栅电极，第一半导体层包括硅半导体，第一绝缘层覆盖第一栅电极，第二薄膜晶体管包括排列在第一绝缘层上的第二半导体层和第二栅电极，第二半导体层包括氧化物半导体，第二绝缘层覆盖第二栅电极并且具有与透射区域重叠的透射孔，中间绝缘层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，导电图案位于中间绝缘层与第一绝缘层之间，显示元件排列在第二绝缘层上，其中，透射孔暴露中间绝缘层的上表面。

公开(公告)号：CN114434903A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111281378.X

申请日：2021-11-01

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李承俊 ,  郭诚信 ,  金善宽 ,  梁大晧 ,  崔准桓

IPC分类号： B32B17/00 ,  B32B17/06 ,  B32B7/12 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  C03C27/12 ,  G09F9/30 ,  G09F9/302

摘要： 公开一种柔性玻璃的玻璃叠层结构物及其制造方法。玻璃叠层结构物包括：载体基板，具有一定的宽度和长度以及第一厚度；叠层玻璃，层叠于载体基板上，并具备具有小于所述第一厚度的第二厚度的多个玻璃圆盘；高粘度粘合线，配置于载体基板以及各玻璃圆盘的周边部而粘合彼此相邻层叠的载体基板以及玻璃圆盘，并具备沿第一方向隔开且沿第二方向延伸的一对凹凸线和沿第二方向隔开且沿第一方向延伸的一对线型线；低粘度粘合膜，配置为面状以覆盖被凹凸线以及所述线型线所限定的所述载体基板以及各玻璃圆盘的单元区域而粘合彼此相邻层叠的载体基板以及玻璃圆盘。通过防止粘合膜质的气泡的回流，能够提高有效单元面积。

公开(公告)号：CN114078882A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110908698.7

申请日：2021-08-09

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金宰范 ,  金明镐 ,  金连洪 ,  孙暻锡 ,  李善熙 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

摘要： 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底；第一晶体管，包括基底上的沟道、第一电极和第二电极以及与第一晶体管的沟道叠置的栅电极；第一层间绝缘层，在第一晶体管的第一电极和第二电极上；第二晶体管，包括设置在第一层间绝缘层上的沟道、第二晶体管的第一电极和第二电极以及与第二晶体管的沟道叠置的栅电极；第一连接电极，设置在第一层间绝缘层上，并且与第一晶体管的第一电极连接；栅极绝缘层，设置在第一层间绝缘层与第一连接电极之间；以及第二连接电极，将第一连接电极和第二晶体管的第一电极连接。

公开(公告)号：CN112599561A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010979117.4

申请日：2020-09-17

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金宰范 ,  金明镐 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 公开了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：基底；第一半导体图案；第一栅极绝缘膜，覆盖第一半导体图案；第一导电层和第二半导体图案，位于第一栅极绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，位于第二半导体图案上；第三栅极绝缘膜，覆盖第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜；第二导电层，位于第三栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，覆盖第二导电层；以及第三导电层，位于层间绝缘膜上，其中，第一半导体图案和第二半导体图案分别形成第一晶体管和第二晶体管的半导体层，其中，第一导电层包括第一晶体管的栅电极和电容器的第一电极，其中，第二导电层包括第二晶体管的栅电极和电容器的第二电极。

公开(公告)号：CN104183530B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201310412364.6

申请日：2013-09-11

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 柳廷和 ,  李承俊

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L51/56

摘要： 公开了一种膜对准装置。根据本发明的示例性实施方式的膜对准装置包括：支承固定件和至少一个膜按压单元，其中膜位于支承固定件上，膜按压单元设置成与支承固定件邻近，从而使膜的弯曲端部与支承固定件相接触。当膜与支承固定件紧密接触并且通过上述结构膜与支承固定件之间没有间隔时，执行位置对准操作，从而精确无误地执行膜的位置对准过程。

公开(公告)号：CN103568043A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210441623.3

申请日：2012-11-07

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 许京会 ,  李承俊

IPC分类号： B26D1/06 ,  B26D7/02 ,  B26D7/27 ,  H01L51/56

CPC分类号： B26D3/00 ,  B26D1/015 ,  B26D1/105 ,  B26D3/085 ,  B26D5/007 ,  B26D7/015 ,  B26D7/20 ,  B26F1/3813 ,  H01L2251/566 ,  Y10T83/0207 ,  Y10T83/0467 ,  Y10T83/222 ,  Y10T83/533 ,  Y10T83/654 ,  Y10T83/6563

摘要： 本发明涉及将具有多个单元的显示装置用母基底按照各单元进行切割的显示装置用单元切割装置，可提高单元切割特性。本发明提供显示装置用单元切割装置及显示装置制造方法，显示装置用单元切割装置包括：固定部，形成为固定所述显示装置用母基底的状态下进行移动；切割工具，形成为对所述显示装置用母基底实施切割工序，并被配置为在实施所述切割工序的过程中朝向所述显示装置用母基底的一面；切割工具驱动部，固定所述切割工具并驱动所述切割工具；及缓冲部件，被配置为在所述显示装置用母基底面中的、朝向所述切割工具的面的相反面上，与所述切割工具相对应。

公开(公告)号：CN116329036A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211634814.1

申请日：2022-12-19

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李炅恩 ,  金洙仁 ,  金容官 ,  尹喆浩 ,  李承俊 ,  许真宁

IPC分类号： B05C13/00 ,  B05D3/06

摘要： 一种台包括：底部；多个支撑部，在第一方向上延伸，并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；多个块，分别与多个支撑部耦接；以及多个多孔膜，分别覆盖多个块的上表面。

公开(公告)号：CN115367474A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210552942.5

申请日：2022-05-19

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李承俊 ,  朴恒均 ,  韩理九

IPC分类号： B65G49/06

摘要： 本公开提供了一种窗转移方法和一种窗制造方法。所述窗转移方法包括：准备载物台；将所述载物台转移到装载部分上方，窗层装载在所述装载部分上；将所述载物台转移至与所述窗层的上表面相邻，并且允许附接到所述载物台的侧表面的多个突出部分按压滑片层的一部分，所述滑片层的一部分布置在所述窗层下面并暴露在所述窗层外部；以及将所述窗层抽吸到所述载物台的下表面以使所述窗层与所述滑片层分离。

公开(公告)号：CN112420771A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010729414.3

申请日：2020-07-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金宰范 ,  金明镐 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括弯折区，其中，弯折区包括穿过第一层间绝缘膜和第一栅极绝缘膜的弯折外围开口以及位于弯折外围开口中并且穿过第二层间绝缘膜和缓冲层以暴露衬底的弯折开口，弯折外围开口的第一侧壁包括第一层间绝缘膜的侧表面和第一栅极绝缘膜的侧表面，第二层间绝缘膜覆盖弯折外围开口的第一侧壁，弯折开口包括第二侧壁，其中，第二侧壁包括缓冲层的侧表面和第二层间绝缘膜的与缓冲层的侧表面对齐的侧表面的部分，并且第一通过层填充弯折开口。

公开(公告)号：CN111092103A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911004172.5

申请日：2019-10-22

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 孙暻锡 ,  金明花 ,  金宰范 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基底和设置在基底上的像素。像素包括第一晶体管、电连接到第一晶体管的第二晶体管、电连接到第一晶体管的第三晶体管以及电连接第一晶体管和第三晶体管中的至少一个的发光二极管元件。第一晶体管包括第一半导体构件和第一栅电极。第一半导体构件包括氧化物半导体材料。第一栅电极设置在第一半导体构件与基底之间。第二晶体管包括第二半导体构件和第二栅电极。第二半导体构件包括所述氧化物半导体材料。第二半导体构件设置在第二栅电极与基底之间。第三晶体管包括包含硅的第三半导体构件。