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公开(公告)号：CN112420771A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010729414.3
申请日：2020-07-27
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括弯折区，其中，弯折区包括穿过第一层间绝缘膜和第一栅极绝缘膜的弯折外围开口以及位于弯折外围开口中并且穿过第二层间绝缘膜和缓冲层以暴露衬底的弯折开口，弯折外围开口的第一侧壁包括第一层间绝缘膜的侧表面和第一栅极绝缘膜的侧表面，第二层间绝缘膜覆盖弯折外围开口的第一侧壁，弯折开口包括第二侧壁，其中，第二侧壁包括缓冲层的侧表面和第二层间绝缘膜的与缓冲层的侧表面对齐的侧表面的部分，并且第一通过层填充弯折开口。
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公开(公告)号：CN111092103A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911004172.5
申请日：2019-10-22
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基底和设置在基底上的像素。像素包括第一晶体管、电连接到第一晶体管的第二晶体管、电连接到第一晶体管的第三晶体管以及电连接第一晶体管和第三晶体管中的至少一个的发光二极管元件。第一晶体管包括第一半导体构件和第一栅电极。第一半导体构件包括氧化物半导体材料。第一栅电极设置在第一半导体构件与基底之间。第二晶体管包括第二半导体构件和第二栅电极。第二半导体构件包括所述氧化物半导体材料。第二半导体构件设置在第二栅电极与基底之间。第三晶体管包括包含硅的第三半导体构件。
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公开(公告)号：CN115867075A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211167146.6
申请日：2022-09-23
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131 , H01L27/12
摘要： 提供一种显示装置，包括：基底；第一半导体层，设置在所述基底上并且构成多个晶体管的半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上并且构成多个晶体管的半导体层；第一数据导电层，设置在所述第二半导体层上；第一金属层，设置在所述第一数据导电层上；以及第二金属层，设置在所述第一金属层上，其中，所述第一金属层包括第一存储电极和第一输入电极，所述第二金属层包括第二存储电极和第二输入电极，所述第一存储电极和所述第二存储电极构成存储电容器，并且所述第一输入电极和所述第二输入电极构成输入电容器。
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公开(公告)号：CN113272969A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980088508.2
申请日：2019-03-06
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 一种有机发光显示装置可以包括：基板；设置在基板上的第一有源层；栅极绝缘层；第一栅电极；第一绝缘中间层和第二绝缘中间层；第一源电极，其设置在第二绝缘中间层上并经由通过去除栅极绝缘层、第一绝缘中间层和第二绝缘中间层的部分形成的接触孔接触第一有源层；保护绝缘层，设置在第一源电极上；第一漏电极，其设置在保护绝缘层上并经过有通过去除栅极绝缘层、第一绝缘中间层、第二绝缘中间层和保护绝缘层的部分的接触孔接触第一有源层；以及子像素结构，设置在第一漏电极上。
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公开(公告)号：CN112447765A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010842086.8
申请日：2020-08-20
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：基板；第一半导体层，位于基板上；第一栅极绝缘膜，位于第一半导体层上；第一导电层，位于第一栅极绝缘膜上，并且第一导电层包括第一栅电极和电容器的连接到第一栅电极的第一电极；第二半导体层，位于第一栅极绝缘膜上，并且第二半导体层位于与第一半导体层不同的层处；第二栅极绝缘膜，位于第一导电层和第二半导体层上；第二导电层，位于第二栅极绝缘膜上，并且第二导电层包括第二栅电极和电容器的第二电极；第二层间绝缘膜，位于第二导电层上；以及第三导电层，位于第二层间绝缘膜上，并且第三导电层包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极。
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公开(公告)号：CN117812944A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311260837.5
申请日：2023-09-27
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131 , H10K59/60 , H01L27/15 , H01L33/62
摘要： 公开了显示装置和包括显示装置的电子装置。显示装置包括第一像素和第二像素。第二像素的发光元件和驱动电路设置在第二区中。第一像素包括设置在第二区中的硅晶体管和氧化物晶体管。第一像素包括设置在第一区中的第一子发光元件和第二子发光元件以及设置在第二区中的第一子像素电路和第二子像素电路。将包括在第一子像素电路中的晶体管和第一子发光元件连接的第一连接布线以及将包括在第二子像素电路中的晶体管和第二子发光元件连接的第二连接布线设置在不同的层上并且包括透明导电氧化物。
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公开(公告)号：CN114649369A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111203920.X
申请日：2021-10-15
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一薄膜晶体管、第一绝缘层、第二薄膜晶体管、第二绝缘层、中间绝缘层、导电图案和显示元件，衬底包括显示区域和包括透射区域的部件区域，第一薄膜晶体管包括第一半导体层和第一栅电极，第一半导体层包括硅半导体，第一绝缘层覆盖第一栅电极，第二薄膜晶体管包括排列在第一绝缘层上的第二半导体层和第二栅电极，第二半导体层包括氧化物半导体，第二绝缘层覆盖第二栅电极并且具有与透射区域重叠的透射孔，中间绝缘层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，导电图案位于中间绝缘层与第一绝缘层之间，显示元件排列在第二绝缘层上，其中，透射孔暴露中间绝缘层的上表面。
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公开(公告)号：CN114078882A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110908698.7
申请日：2021-08-09
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底；第一晶体管，包括基底上的沟道、第一电极和第二电极以及与第一晶体管的沟道叠置的栅电极；第一层间绝缘层，在第一晶体管的第一电极和第二电极上；第二晶体管，包括设置在第一层间绝缘层上的沟道、第二晶体管的第一电极和第二电极以及与第二晶体管的沟道叠置的栅电极；第一连接电极，设置在第一层间绝缘层上，并且与第一晶体管的第一电极连接；栅极绝缘层，设置在第一层间绝缘层与第一连接电极之间；以及第二连接电极，将第一连接电极和第二晶体管的第一电极连接。
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公开(公告)号：CN112599561A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010979117.4
申请日：2020-09-17
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 公开了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：基底；第一半导体图案；第一栅极绝缘膜，覆盖第一半导体图案；第一导电层和第二半导体图案，位于第一栅极绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，位于第二半导体图案上；第三栅极绝缘膜，覆盖第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜；第二导电层，位于第三栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，覆盖第二导电层；以及第三导电层，位于层间绝缘膜上，其中，第一半导体图案和第二半导体图案分别形成第一晶体管和第二晶体管的半导体层，其中，第一导电层包括第一晶体管的栅电极和电容器的第一电极，其中，第二导电层包括第二晶体管的栅电极和电容器的第二电极。
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公开(公告)号：CN118284157A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410002964.3
申请日：2024-01-02
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/124 , H10K59/12 , H01L29/423
摘要： 本申请公开一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基板，具有显示区域，显示元件布置在显示区域中；第一薄膜晶体管，位于显示区域中并且包括第一半导体层和第一栅电极，第一半导体层包括氧化物半导体，并且第一栅电极与第一半导体层绝缘；以及第一层间绝缘层，位于第一半导体层与第一栅电极之间，其中，第一半导体层上的第一层间绝缘层在第一方向上具有第一长度，其中，第一层间绝缘层上的第一栅电极在第一方向上具有第二长度，并且其中，第一长度大于第二长度。
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