发光元件
    5.
    发明公开
    发光元件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118281127A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311419866.1

    申请日:2023-10-30

    IPC分类号: H01L33/20 H01L33/02 H01L33/00

    摘要: 提供了一种发光元件,所述发光元件包括:第一半导体层;第二半导体层;活性层,位于第一半导体层与第二半导体层之间;以及第一绝缘层,围绕第一半导体层、第二半导体层和活性层,并且围绕第一半导体层的第一绝缘层的第一厚度与围绕第二半导体层的第一绝缘层的第二厚度不同。

    发光二极管和包括该发光二极管的显示装置

    公开(公告)号:CN116583961A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202180083679.3

    申请日:2021-10-26

    IPC分类号: H01L33/12

    摘要: 根据本发明的发光二极管包括:第一端和第二端,彼此相对;电流阻挡层、第一半导体层、活性层和第二半导体层;以及绝缘膜,覆盖第一半导体层、活性层和第二半导体层的外周表面,并且在第二端处暴露电流阻挡层的至少一部分和第一半导体层的至少一部分。电流阻挡层、第一半导体层、活性层和第二半导体层在从第二端至第一端的方向上顺序地布置。

    发光元件和包括其的显示装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113454784A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201980092656.1

    申请日:2019-08-20

    摘要: 一种发光元件可以包括发射堆叠图案,发射堆叠图案包括在一个方向上堆叠的第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层。这里,活性层可以包括在发射堆叠图案的纵向方向上与第一导电半导体层接触的第一表面以及与第二导电半导体层接触并同时与第一表面相对的第二表面。第一导电半导体层可以包括至少一个n型半导体层,并且第二导电半导体层可以包括至少一个p型半导体层。此外,第一活性层的第一表面在发射堆叠图案内在发射堆叠图案的纵向方向上可以位于与发射堆叠图案的总长度的一半的‑20%至+20%对应的点处。

    显示装置及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113169211A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980079037.9

    申请日:2019-05-30

    摘要: 显示装置可以包括:基底,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在显示区域中并且多个像素中的每个具有多个子像素。子像素中的每个可以包括像素电路部分和包括用于发射光的至少一个发光元件的显示元件层。在此,显示元件层包括:第一电极,设置在像素电路部分上;第二电极,设置在第一电极上并且与第一电极电绝缘;发光元件,包括连接到第一电极的第一端部和连接到第二电极的第二端部,并且设置在第一电极与第二电极之间;中间层,围绕发光元件的至少一个区域并且设置在第一电极上;以及连接布线,与第一电极设置在同一表面上并且电连接到第二电极。在此,第二电极可以布置在中间层上。

    发光器件结构和制造该发光器件结构的方法

    公开(公告)号:CN113056824A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201980073064.5

    申请日:2019-05-27

    摘要: 提供了一种发光器件结构和用于制造该发光器件结构的方法。发光器件结构可以包括:基底;一个或更多个发光元件,设置在基底上,彼此间隔开,并且具有在与基底垂直的方向上延伸的形式;辅助层,设置在基底上,以暴露基底的上表面的至少一部分,并且围绕发光元件的外表面;电流扩展层,设置在辅助层上,并且与发光元件的一端接触;第一垫,电连接到发光元件的一端,并且设置在电流扩展层上以便不与发光元件叠置;以及第二垫,电连接到发光元件的另一端,并且设置在暴露的基底的上表面上,与辅助层间隔开。