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公开(公告)号：CN103094351B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210247010.6
申请日：2012-07-17
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/26
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。
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公开(公告)号：CN111092105B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201911016248.6
申请日：2019-10-24
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/121
摘要： 公开了一种有机发光二极管显示器。所述有机发光二极管显示器包括：基底；叠置层，位于基底上；半导体层，位于叠置层上；第一栅极导体，位于半导体层上；第二栅极导体，位于第一栅极导体上；数据导体，位于第二栅极导体上；驱动晶体管，位于叠置层上；以及有机发光二极管，与驱动晶体管连接。驱动晶体管在半导体层中包括第一电极、第二电极并且沟道位于第一电极与第二电极之间。第一栅极导体的栅电极与沟道叠置。叠置层与驱动晶体管的沟道和第一电极的至少一部分叠置。第二栅极导体的存储线通过数据导体中的驱动电压线接收驱动电压。叠置层接收恒定电压。
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公开(公告)号：CN109148513B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810614869.3
申请日：2018-06-14
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/12
摘要： 提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于有源图案上。有源图案包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置。另外，第二栅电极位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置。有源保护图案与第二栅电极位于同一层中，并且穿过第二绝缘层以接触PMOS区域。第三绝缘层位于有源保护图案和第二栅电极上。数据金属电极穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。
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公开(公告)号：CN110970459A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910923371.X
申请日：2019-09-27
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L27/12 , H01L29/423
摘要： 本公开的示例性实施方式提供了一种显示装置，包括衬底、半导体层、第一晶体管、发光二极管和第一层，半导体层布置在衬底上；第一晶体管包括布置在半导体层上的第一栅电极；发光二极管与第一晶体管连接；并且第一层布置在衬底与半导体层之间，其中，半导体层包括第一电极、第二电极和布置在第一电极与第二电极之间的沟道，沟道包括杂质，并且第一层与第一晶体管重叠。
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公开(公告)号：CN109148475A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810618241.0
申请日：2018-06-15
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括公共有源图案、第一栅电极和第二栅电极。公共有源图案包括NMOS区、PMOS区以及与NMOS区和PMOS区在同一层中的硅化物区。硅化物区将NMOS区电连接到PMOS区。NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区。PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区。第一栅电极与第一沟道区叠置，第二栅电极与第二沟道区叠置。
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公开(公告)号：CN111009557A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910940709.2
申请日：2019-09-30
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本公开涉及有机发光二极管显示器，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：基底；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基底上；第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一缓冲层上；第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上；第一栅电极和阻挡层，所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上；第二缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一栅电极上；第二半导体层，所述第二半导体层在所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上；以及第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN104078468B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410119693.6
申请日：2014-03-27
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , G02F1/136
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。
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公开(公告)号：CN104078468A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410119693.6
申请日：2014-03-27
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1288
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。
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公开(公告)号：CN103367455A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210554742.X
申请日：2012-12-19
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/10 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 一种多半导体氧化物TFT(sos-TFT)在电荷-载流子迁移率和/或阈值电压变化性方面提供了改进的电功能性。sos-TFT可以用来形成用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。示例sos-TFT包括：绝缘的栅极；第一半导体氧化物层，具有含有第一半导体氧化物的组分；第二半导体氧化物层，具有也包含半导体氧化物的不同组分。第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层具有各自的沟道区，所述沟道区受到施加到栅极的控制电压的电容性影响。在一个实施例中，第二半导体氧化物层包含第一半导体氧化物层中不含有的至少一种添加元素，其中，添加元素是镓(Ga)、硅(Si)、铌(Nb)、铪(Hf)和锗(Ge)中的一种。
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