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公开(公告)号:CN104347822A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410217069.X
申请日:2014-05-21
申请人: 三星显示有限公司 , 首尔大学校产学协力团
CPC分类号: H01L51/5256 , H01L51/0031
摘要: 本发明提供了显示设备。显示设备包括:衬底、位于衬底上的显示面板、和用于密封显示面板的封装膜。封装膜包括至少一个有机层和/或至少一个无机层以及至少一对导电层。
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公开(公告)号:CN107768384A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710729724.3
申请日:2017-08-23
申请人: 三星显示有限公司 , 首尔大学校产学协力团
IPC分类号: H01L27/12
CPC分类号: H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要: 公开了一种薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管阵列面板包括基底、栅极绝缘层、界面层和半导体层。栅极绝缘层设置在基底上。界面层设置在栅极绝缘层上。半导体层设置在界面层上。界面层包括氟化氧化硅。半导体层包括p型氧化物半导体材料。
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公开(公告)号:CN104867977B
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201510035301.2
申请日:2015-01-23
申请人: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
摘要: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括:半导体衬底,包括III族元素和V族元素;以及栅极结构,在半导体衬底上。半导体衬底包括:第一区,接触栅极结构的底表面;以及第二区,设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度,III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。
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公开(公告)号:CN107718532B
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201710667174.7
申请日:2017-08-07
申请人: 新都有限公司 , 首尔大学校产学协力团
IPC分类号: B29C64/118 , B29C64/386 , B33Y50/00
摘要: 一种用于3D打印机的输出的填充设备和方法,其包括:单元块生成部,其通过使用彼此正交的三个平面来对3D模型进行切片以生成单元块;单元块分类部,其将单元块根据其位置分类为边界单元块和内部单元块,并根据是否包括了平屋顶区域而将边界单元块分类为平屋顶单元块和非平屋顶单元块;组合块生成部,其合并所述内部单元块并生成组合块;平屋顶点辨别部,其辨别组合块中的平屋顶点;组合块划分部,其将包括平屋顶点的组合块的部分进行划分;以及填充形状确定部,其将由组合块划分部划分出的组合块的被划分表面(或接触表面)确定为填充形状,并且在输出期间将打印材料输出到填充形状。
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公开(公告)号:CN107718532A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710667174.7
申请日:2017-08-07
申请人: 新都有限公司 , 首尔大学校产学协力团
IPC分类号: B29C64/118 , B29C64/386 , B33Y50/00
CPC分类号: B29C64/393 , B29C64/118 , B29C64/386 , B33Y10/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , G05B19/4099 , G05B2219/49007 , Y02P80/40
摘要: 一种用于3D打印机的输出的填充设备和方法,其包括:单元块生成部,其通过使用彼此正交的三个平面来对3D模型进行切片以生成单元块;单元块分类部,其将单元块根据其位置分类为边界单元块和内部单元块,并根据是否包括了平屋顶区域而将边界单元块分类为平屋顶单元块和非平屋顶单元块;组合块生成部,其合并所述内部单元块并生成组合块;平屋顶点辨别部,其辨别组合块中的平屋顶点;组合块划分部,其将包括平屋顶点的组合块的部分进行划分;以及填充形状确定部,其将由组合块划分部划分出的组合块的被划分表面(或接触表面)确定为填充形状,并且在输出期间将打印材料输出到填充形状。
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公开(公告)号:CN104867977A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510035301.2
申请日:2015-01-23
申请人: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
摘要: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括:半导体衬底,包括III族元素和V族元素;以及栅极结构,在半导体衬底上。半导体衬底包括:第一区,接触栅极结构的底表面;以及第二区,设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度,III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。
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公开(公告)号:CN114361195A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202111188082.3
申请日:2021-10-12
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L27/15
摘要: 提供了一种显示装置及制造其的方法。该显示装置包括:第一导电层,设置在基底上;钝化层,设置在第一导电层上;第二导电层,设置在钝化层上;通孔层,设置在第二导电层上;第三导电层,设置在通孔层上,第三导电层包括第一电极、第二电极、连接图案,第一电极、第二电极和连接图案彼此间隔开;以及发光元件,发光元件的第一端部和第二端部分别设置在第一电极和第二电极上,其中,连接图案通过穿透通孔层和钝化层的第一接触孔将第一导电层和第二导电层电连接。
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公开(公告)号:CN114203770A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111096616.X
申请日:2021-09-16
申请人: 三星显示有限公司
摘要: 本申请涉及显示装置及制造显示装置的方法。显示装置包括:衬底;像素电路层,在衬底上并包括薄膜晶体管;显示元件层,在像素电路层上并且包括电连接到薄膜晶体管的显示元件;滤色器层,在显示元件层上,并且包括滤色器和黑色矩阵,滤色器与显示元件重叠,黑色矩阵具有与滤色器接触的第一侧和在衬底的边缘方向上延伸的第二侧;以及阻挡层,在黑色矩阵和衬底之间,其中,阻挡层的末端与黑色矩阵的端部没有台阶差。
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公开(公告)号:CN114171558A
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN202111042418.5
申请日:2021-09-07
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L27/32
摘要: 本发明公开一种显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括:第一晶体管,包括位于基板上的遮光图案、位于遮光图案上的有源图案以及位于有源图案上的栅电极;第二晶体管,被配置为响应于栅信号而将数据电压提供到第一晶体管;以及存储电容器,电连接到栅电极和遮光图案,并且包括:与遮光图案位于同一层中的第一导电图案;位于第一导电图案上并且与第一导电图案重叠的第二导电图案;与栅电极位于同一层中、与第二导电图案重叠并且电连接到第一导电图案的第三导电图案;以及位于第三导电图案上、与第三导电图案重叠并且电连接到第二导电图案的第四导电图案。
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公开(公告)号:CN113972231A
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202110743264.6
申请日:2021-07-01
申请人: 三星显示有限公司
摘要: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括:基底;第一半导体层,设置在基底上,其中,第一半导体层包括沟道区和掺杂区;第一栅电极,设置为与第一半导体层的沟道区叠置;中间膜,设置在第一半导体层和第一栅电极上;以及第一电极,设置在中间膜上,其中,开口被限定为穿过中间膜以与第一半导体层的掺杂区叠置,第一半导体层的掺杂区和第一电极通过开口彼此接触,并且开口的与基底平行的剖面的面积在约49μm2至约81μm2的范围内。
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