公开(公告)号：CN112838160B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202010735660.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊克提亚 ,  郑在佑 ,  穆罕默德·陶菲克·考瑞比 ,  唐雪缇

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

Abstract: 描述了磁性结、磁性装置和用于提供磁性结的方法。所述磁性结包括自由层以及位于自由层上的氧化物夹层。氧化物夹层包括至少一种玻璃形成剂。在某些方面，磁性结还包括参考层以及位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层位于非磁性间隔层与氧化物夹层之间。

公开(公告)号：CN114765245A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111564093.7

申请日：2021-12-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 德米特罗·阿帕科夫 ,  伊克提亚 ,  郑在佑 ,  奇拉格·加格 ,  马赫什·萨曼特 ,  帕纳约蒂斯·夏利劳斯·菲利波 ,  雅里·费兰特

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 描述了磁性结构、包含所述磁性结构的磁性器件以及用于提供所述磁性结构的方法。所述磁性结构包括磁性层、模板结构和电阻插入层。磁性层包括赫斯勒化合物并具有超过平面外退磁能的垂直磁各向异性能。模板结构具有被构造为对赫斯勒化合物和电阻插入层中的至少一者进行模板化的晶体结构。磁性层在模板结构上。电阻插入层被构造为减小赫斯勒化合物的磁阻尼并允许对赫斯勒化合物的模板化。

公开(公告)号：CN112838160A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202010735660.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊克提亚 ,  郑在佑 ,  穆罕默德·陶菲克·考瑞比 ,  唐雪缇

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 描述了磁性结、磁性装置和用于提供磁性结的方法。所述磁性结包括自由层以及位于自由层上的氧化物夹层。氧化物夹层包括至少一种玻璃形成剂。在某些方面，磁性结还包括参考层以及位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层位于非磁性间隔层与氧化物夹层之间。