公开(公告)号：CN108695327B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810326639.7

申请日：2018-04-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵珉熙 ,  金俊秀 ,  金熙中 ,  安泰玧 ,  山田悟 ,  李元锡 ,  全南镐 ,  郑文泳 ,  许基宰 ,  弘载昊

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供了一种半导体器件及制造其的方法。具有衬底的半导体器件可以包括下半导体层、在下半导体层上的上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的掩埋绝缘层。第一沟槽可以在上半导体层中，具有在掩埋绝缘层之上的最下表面，凹入第一沟槽中的第一导电图案。第二沟槽可以在下半导体层、掩埋绝缘层和上半导体层中。第二导电图案可以在第二沟槽中，并且第一源极/漏极区可以在第一导电图案与第二导电图案之间的上半导体层中。

公开(公告)号：CN118678664A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311628727.X

申请日：2023-11-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李准范 ,  金俊秀 ,  崔裁炫 ,  孔东植 ,  权智惠 ,  安泰玧 ,  崔铉昇

IPC分类号： H10B12/00 ,  H10B63/00

摘要： 提供了一种半导体存储器件。半导体器件可以包括：半导体衬底，具有限定有源区的器件隔离沟槽；器件隔离层，设置在器件隔离沟槽中；栅极沟槽，沿第一方向延伸并且与半导体衬底的有源区和器件隔离层交叉；字线，分别设置在栅极沟槽中，每个栅极沟槽可以包括第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分在有源区中，第二沟槽部分在器件隔离层中，第一沟槽部分可以具有第一深度，并且第二沟槽部分可以具有大于第一深度的第二深度，器件隔离层可以包括下部和在下部上的上部，下部位于比第一沟槽部分的底表面低的水平处，并且下部可以由具有比上部的介电常数低的介电常数的介电材料形成。

公开(公告)号：CN108695327A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810326639.7

申请日：2018-04-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵珉熙 ,  金俊秀 ,  金熙中 ,  安泰玧 ,  山田悟 ,  李元锡 ,  全南镐 ,  郑文泳 ,  许基宰 ,  弘载昊

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 提供了一种半导体器件及制造其的方法。具有衬底的半导体器件可以包括下半导体层、在下半导体层上的上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的掩埋绝缘层。第一沟槽可以在上半导体层中，具有在掩埋绝缘层之上的最下表面，凹入第一沟槽中的第一导电图案。第二沟槽可以在下半导体层、掩埋绝缘层和上半导体层中。第二导电图案可以在第二沟槽中，并且第一源极/漏极区可以在第一导电图案与第二导电图案之间的上半导体层中。

公开(公告)号：CN118690718A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410252037.7

申请日：2024-03-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵相俊 ,  安泰玧 ,  柳主馨 ,  许仁 ,  车文铉 ,  崔在铭

IPC分类号： G06F30/398 ,  H04L43/0894 ,  G06F17/18

摘要： 提供了一种用于估计关于产品的缺陷的核密度函数的阈值的方法、设备和系统。该方法包括：自举采样操作，通过使用根据样本数据的数量从多个带宽估计方法当中选择的带宽估计方法来为样本数据集估计最佳核带宽，基于最佳核带宽来估计与核密度函数的尾部区域相对应的阈值，以及基于多个阈值来提供用于对阈值的不确定性进行量化的定量值。

公开(公告)号：CN115130418A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210146758.0

申请日：2022-02-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李相运 ,  全柱炫 ,  金性珍 ,  金承贤 ,  卢元基 ,  朴彻佑 ,  卞诚载 ,  安泰玧 ,  郑孝恩

IPC分类号： G06F30/39 ,  H01L21/66

摘要： 提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。