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公开(公告)号：CN109508467A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810937129.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种对工艺腔中的气体的流动进行仿真的计算系统及其方法。计算系统包括：存储器，被配置成存储指令及喷嘴库；以及处理器，被配置成存取所述存储器且执行所述指令。所述指令使所述计算系统：基于所述喷嘴库选择至少一个喷嘴单元作为所选择的至少一个喷嘴单元，并将所述所选择的至少一个喷嘴单元放置在对应的位置坐标处；为所述工艺腔创建多个体积网孔；以及基于所述工艺腔中的所述多个体积网孔对所述工艺腔中通过所述所选择的至少一个喷嘴单元的气体的流动进行仿真。所述喷嘴库包括关于多个喷嘴单元的信息，所述多个喷嘴单元中的每一者中形成有多个体积网孔。所述喷嘴单元具有彼此不同的形状。
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公开(公告)号：CN109508467B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201810937129.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/28
Abstract: 一种对工艺腔中的气体的流动进行仿真的计算系统及其方法。计算系统包括：存储器，被配置成存储指令及喷嘴库；以及处理器，被配置成存取所述存储器且执行所述指令。所述指令使所述计算系统：基于所述喷嘴库选择至少一个喷嘴单元作为所选择的至少一个喷嘴单元，并将所述所选择的至少一个喷嘴单元放置在对应的位置坐标处；为所述工艺腔创建多个体积网孔；以及基于所述工艺腔中的所述多个体积网孔对所述工艺腔中通过所述所选择的至少一个喷嘴单元的气体的流动进行仿真。所述喷嘴库包括关于多个喷嘴单元的信息，所述多个喷嘴单元中的每一者中形成有多个体积网孔。所述喷嘴单元具有彼此不同的形状。
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公开(公告)号：CN116187155A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211500153.3
申请日：2022-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G16C60/00 , G06F111/04
Abstract: 一种为设计模拟器生成最佳输入数据的方法，该设计模拟器响应于与输入参数有关的输入数据提供与输出参数有关的输出数据。该方法包括：生成包括样本输入数据和样本输出数据的训练数据；根据使用训练数据训练的估计模型从输入参数中选择影响多个输出参数的至少一个基本输入参数；并根据与至少一个基本输入参数对应的基本输入数据和样本输出数据生成最佳输入数据。
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公开(公告)号：CN110066988A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910034623.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于生成喷头的3D形状数据的设备、一种制造喷头的方法和一种用于制造喷头的系统。所述设备包括：数据处理器，生成包括指示晶圆的上表面与喷头之间的第一距离的值的信息、指示晶圆上的位置的信息以及关于流体流动物理量值的信息的数据集，并且确定表示各个信息之间的关系的函数；输入单元，接收状况数据和每个位置的目标流体流动物理量值；以及数据库，存储关于所述函数的信息。数据处理器获得关于每个位置处的晶圆的上表面与喷头之间的具有目标流体流动物理量值的第二距离的信息，提取喷头的下表面的空间坐标信息，并且利用空间坐标信息生成喷头的3D形状数据。
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公开(公告)号：CN118690718A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410252037.7
申请日：2024-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/398 , H04L43/0894 , G06F17/18
Abstract: 提供了一种用于估计关于产品的缺陷的核密度函数的阈值的方法、设备和系统。该方法包括：自举采样操作，通过使用根据样本数据的数量从多个带宽估计方法当中选择的带宽估计方法来为样本数据集估计最佳核带宽，基于最佳核带宽来估计与核密度函数的尾部区域相对应的阈值，以及基于多个阈值来提供用于对阈值的不确定性进行量化的定量值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117473849A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310627024.9
申请日：2023-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置仿真系统和方法。所述方法包括：使用半导体装置仿真器来生成与仿真的半导体装置相关联的网格；从与网格相关联的信息提取节点；使用与网格相关联的信息来提取连接在节点之间的边；关于节点和边生成图信息；将图信息施加到图神经网络(GNN)学习模型；以及响应于施加到仿真的半导体装置的状态信息的变化，使用GNN学习模型来预测网格的变化。
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公开(公告)号：CN106467961A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610647795.4
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括：处理室；舟皿，位于处理室中，舟皿容纳位于舟皿中的多个基底；喷嘴，向处理室供应源气体以在每个基底上形成薄膜，喷嘴包括多个T形的喷嘴管，每个T形的喷嘴管包括具有闭合端的第一管和结合到第一管的中间部的第二管。
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公开(公告)号：CN116071516A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211357538.9
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T17/20 , G06N3/0464 , G06N20/00 , G06F30/23
Abstract: 一种三维(3D)建模方法，包括：获得表示3D结构的几何数据和包括确定3D结构的属性的因素的输入参数；根据几何数据来生成网格数据；根据网格数据来顺序地生成至少一条经下采样的数据；对输入参数进行预处理来生成3D特征图；以及基于分别与至少一个级相对应的至少一个机器学习模型，根据至少一条经下采样的网格数据和3D特征图来生成属性简档数据，该属性简档数据表示3D结构中的属性的简档。
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公开(公告)号：CN110066988B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910034623.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y80/00
Abstract: 提供了一种用于生成喷头的3D形状数据的设备、一种制造喷头的方法和一种用于制造喷头的系统。所述设备包括：数据处理器，生成包括指示晶圆的上表面与喷头之间的第一距离的值的信息、指示晶圆上的位置的信息以及关于流体流动物理量值的信息的数据集，并且确定表示各个信息之间的关系的函数；输入单元，接收状况数据和每个位置的目标流体流动物理量值；以及数据库，存储关于所述函数的信息。数据处理器获得关于每个位置处的晶圆的上表面与喷头之间的具有目标流体流动物理量值的第二距离的信息，提取喷头的下表面的空间坐标信息，并且利用空间坐标信息生成喷头的3D形状数据。
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