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公开(公告)号：CN113342255B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202011229786.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置的坏块检测方法以及测试系统。所述测试系统包括：非易失性存储器装置，包括在多平面模式下进行操作的多个存储器块；以及测试机，检测非易失性存储器装置的坏块。非易失性存储器装置生成基于用于坏块的检测的擦除循环是否进行的就绪/忙碌信号。当从在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块检测到至少一个正常块时，非易失性存储器装置生成具有第一忙碌间隔的就绪/忙碌信号。当在多平面模式下进行操作的平面中包括的所述多个存储器块全部被检测为坏块时，非易失性存储器装置生成具有比第一忙碌间隔短的第二忙碌间隔的就绪/忙碌信号。
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公开(公告)号：CN108986861B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201710412107.0
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。
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公开(公告)号：CN114255815A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111011803.3
申请日：2021-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/02
Abstract: 公开了一种非易失性存储器设备和存储设备。该非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，包括单元串；行解码器，通过接地选择线与单元串中的每个单元串的接地选择晶体管连接，通过字线与单元串中的每个单元串的存储器单元连接，并通过串选择线与单元串中的每个单元串的串选择晶体管连接；以及页面缓冲器，通过位线与单元串连接。在检查操作的第一时段中，页面缓冲器向位线施加第一偏置电压，并且行解码器向接地选择线施加关断电压，向串选择线施加导通电压，并且向字线施加第一检查电压。在检查操作的第二时段中，页面缓冲器感测位线的电压的第一改变。
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公开(公告)号：CN106997778B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201610998616.1
申请日：2016-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备包括每个均包括在基板上垂直地形成的单元串的存储块。单元串耦合到多个位线。单元串每个均包括连接到串选择晶体管的存储单元。一种操作非易失性存储器设备的方法包括：响应于擦除命令来对存储块中的第一存储块执行擦除操作，对第一存储块的存储单元执行擦除验证操作，对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出操作，以及至少基于第一读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块。第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案。
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公开(公告)号：CN108986861A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710412107.0
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102810332A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210182593.9
申请日：2012-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器装置包括在操作期间选择字线的访问电路，访问电路在操作期间选择字线、将被选字线电压施加到被选字线、将未被选字线电压施加到字线中的未被选择的字线并将虚设字线电压施加到虚设字线。当被选字线不与虚设字线相邻时，虚设字线电压是第一虚设字线电压，当被选字线与虚设字线相邻时，虚设字线电压是与第一虚设字线电压不同的第二虚设字线电压。
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公开(公告)号：CN116072193A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211132043.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储装置的操作方法，包括：对第一字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第一时间戳，对第二字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第二时间戳，基于第一时间戳和第二时间戳计算延迟时间，确定延迟时间是否大于或等于阈值，基于延迟时间将与第一字线相关联的至少一个2级验证电压从第一电压电平调整为第二电压电平，以及对第一字线执行2级编程步骤和2级验证步骤。至少一个1级验证电压的电平低于第二电压电平，并且第二电压电平低于第一电压电平。
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公开(公告)号：CN113241109A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110072029.0
申请日：2021-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：存储器块，具有连接到虚设单元的未用线以及连接到常规单元的在用线；以及控制器，在擦除操作期间将擦除电压施加到存储器块、将未用线擦除电压施加到未用线并将字线擦除电压施加到在用线。在对常规单元进行编程的编程操作期间不对虚设单元进行编程，未用线擦除电压在第一时间点从第一电压转变为浮置电压，并且控制器读取虚设单元，并基于读取虚设单元的结果来控制第一电压的大小和第一时间点中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103093818B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210436459.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1016 , G06F11/08 , G06F11/10 , G06F11/1008 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G06F11/1076 , G06F11/108 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3418 , H03M13/151 , H03M13/1525 , H03M13/1545
Abstract: 一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。
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公开(公告)号：CN103106924A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210375708.6
申请日：2012-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C2211/563
Abstract: 一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。
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