半导体发光器件封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN105762237B

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201610003439.9

    申请日:2016-01-04

    Inventor: 朴一雨 金政勋

    Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件封装件的方法和一种发光器件封装件。所述方法包括步骤:形成发光结构,其包括按顺序堆叠在生长衬底上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层;在与第二导电类型的半导体层的表面相对应的发光结构的第一表面上形成反射层;在第一表面上形成凸块,所述凸块电连接至第一导电类型的半导体层或第二导电类型的半导体层并且从反射层突出;将支承衬底键合至第一表面上的凸块;去除生长衬底;将涂覆有波长转换层的光透射衬底键合至已去除生长衬底的发光结构的第二表面;以及去除支承衬底。反射层覆盖发光结构的侧表面和凸块的侧表面的至少一部分。

    半导体发光器件封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN105762237A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610003439.9

    申请日:2016-01-04

    Inventor: 朴一雨 金政勋

    Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件封装件的方法和一种发光器件封装件。所述方法包括步骤:形成发光结构,其包括按顺序堆叠在生长衬底上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层;在与第二导电类型的半导体层的表面相对应的发光结构的第一表面上形成反射层;在第一表面上形成凸块,所述凸块电连接至第一导电类型的半导体层或第二导电类型的半导体层并且从反射层突出;将支承衬底键合至第一表面上的凸块;去除生长衬底;将涂覆有波长转换层的光透射衬底键合至已去除生长衬底的发光结构的第二表面;以及去除支承衬底。反射层覆盖发光结构的侧表面和凸块的侧表面的至少一部分。

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