公开(公告)号：CN110097906B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201910001529.8

申请日：2019-01-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 文大植 ,  车吉勋 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  崔娟圭 ,  崔桢焕 ,  河庆洙 ,  玄锡勋

IPC分类号： G11C11/4063 ,  H03K3/017

摘要： 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。

公开(公告)号：CN109994138B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201810730845.4

申请日：2018-07-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔娟圭 ,  吴起硕

IPC分类号： G11C11/4093

摘要： 本申请提供了一种半导体存储装置、存储器系统和电子装置。所述半导体存储装置被配置为：响应于模式设置命令而输入模式设置代码并设置在线数据；利用写命令处理数据位数信息以产生第一数据信号；利用读命令处理数据位数信息以产生第二数据信号；基于使用行地址和激活命令产生的字线选择信号和使用列地址和写命令或读命令产生的列选择信号来存取所选存储器单元；响应于第一数据信号，处理第一数量的数据位并将第一数量的数据位发送到所选的存储器单元，并且响应于第二数据信号，处理从所选的存储器单元接收的数据并输出第二数量的数据位。

公开(公告)号：CN106409324B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201610621144.8

申请日：2016-08-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳成宪 ,  崔钟贤 ,  孙东佑 ,  吴起硕

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C8/16

摘要： 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。

公开(公告)号：CN110097906A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910001529.8

申请日：2019-01-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 文大植 ,  车吉勋 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  崔娟圭 ,  崔桢焕 ,  河庆洙 ,  玄锡勋

IPC分类号： G11C11/4063 ,  H03K3/017

摘要： 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。

公开(公告)号：CN107402901A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710351716.X

申请日：2017-05-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金光贤 ,  吴起硕

IPC分类号： G06F15/167

CPC分类号： G11C11/40603 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0644 ,  G06F3/0673 ,  G06F12/109 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/657 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/40622 ,  Y02D10/13 ,  G06F15/167

摘要： 提供由第一处理器和第二处理器共享的公共存储设备。公共存储设备包括：存储单元阵列，包括分配用于第一处理器的第一存储区域和分配用于第二处理器的第二存储区域；刷新屏蔽信息存储电路，被配置为存储刷新屏蔽信息，刷新屏蔽信息指示对第一存储区域和第二存储区域中的至少一个是否执行刷新；以及刷新电路，被配置为根据刷新屏蔽信息对第一存储区域和第二存储区域选择性地执行刷新。

公开(公告)号：CN109840223B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201811293828.5

申请日：2018-11-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金光贤 ,  吴起硕

IPC分类号： G06F13/16

摘要： 本申请提供了一种电子装置、存储器装置和电子装置的操作方法。电子装置包括存储器和片上系统(SoC)。存储器装置包括分配给第一通道的第一存储器单元区域和分配给第二通道的第二存储器单元区域。SoC包括第一处理单元和第二处理单元。第一处理单元被构造为通过第一通道将用于访问第一存储器单元区域的第一命令发送至存储器装置。第二处理单元被构造为通过第二通道将用于访问第二存储器单元区域的第二命令发送至存储器装置。存储器装置被构造为使得第一通道的带宽和第二通道的带宽彼此不同。

公开(公告)号：CN110534140B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910339068.5

申请日：2019-04-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李东勳 ,  文大植 ,  孙宁洙 ,  孙永训 ,  吴起硕 ,  李昶教 ,  赵泫润 ,  河庆洙 ,  玄锡勳

IPC分类号： G11C7/10

摘要： 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

公开(公告)号：CN112631506A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202010759067.9

申请日：2020-07-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴起硕

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/409

摘要： 提供一种半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法。所述电子设备包括：半导体存储装置，被配置为存储工艺信息并将所述工艺信息输出到外部；以及主机，被配置为：从所述半导体存储装置读取所述工艺信息，并根据所述工艺信息选择多种操作模式中的一种操作模式以将其设置为所述半导体存储装置的操作模式。所述多种操作模式可以限定所述半导体存储装置的功耗或所述半导体存储装置的响应特性中的一者或更多者。

公开(公告)号：CN107452423A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710248135.3

申请日：2017-04-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林璇渶 ,  吴起硕 ,  徐圣镕 ,  赵永进 ,  崔仁寿

IPC分类号： G11C16/32 ,  G11C16/06 ,  G06F3/06

CPC分类号： G11C16/32 ,  G06F3/0655 ,  G11C16/06

摘要： 公开了一种操作存储设备的方法，该方法包括：将对用于内部操作的内部操作时间的请求发送到外部设备，从外部设备接收与请求相对应的内部操作命令，以及基于内部操作命令在内部操作时间期间执行内部操作。

公开(公告)号：CN118053467A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310907998.2

申请日：2023-07-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄晙夏 ,  李泳斌 ,  金刚逸 ,  宋新美 ,  吴起硕 ,  黄斗熙

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C29/42

摘要： 提供了一种存储器件、存储器件的操作方法和存储系统。所述存储器件包括：包括多个存储单元行的存储单元阵列；刷新控制电路，其被配置为输出刷新行地址以控制将对所述多个存储单元行中的至少一个存储单元行执行的刷新操作；以及控制逻辑电路，其被配置为从存储控制器接收与多个模式中的模式相对应的错误检查和清理(ECS)设定数据，将所述ECS设定数据存储在模式寄存器中，并且响应于从所述存储控制器提供的刷新命令，基于所述ECS设定数据的值向所述刷新控制电路提供要被刷新的存储单元行的目标行地址。