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公开(公告)号：CN106158969A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610262462.X
申请日：2016-04-25
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/0653 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/7851 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/41725
摘要： 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
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公开(公告)号：CN106169472B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610186038.1
申请日：2016-03-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。
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公开(公告)号：CN106158969B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610262462.X
申请日：2016-04-25
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/0653 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/7851
摘要： 种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第晶体生长部分和第二晶体生长部分,第二晶体生长部分与第晶体生长部分共享个平面,并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
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公开(公告)号：CN106169472A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610186038.1
申请日：2016-03-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。
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公开(公告)号：CN111244091A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010063437.5
申请日：2016-03-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。
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公开(公告)号：CN107123685A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710281354.1
申请日：2016-04-25
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/417
摘要： 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
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公开(公告)号：CN104241369A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410287476.8
申请日：2014-06-24
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66545 , H01L29/0684
摘要： 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍型有源图案，突出在器件隔离层之上；栅极电极，在器件隔离层上并交叉鳍型有源图案；抬高的源极/漏极，在栅极电极两侧的鳍型有源图案上；以及鳍间隔物，在鳍型有源图案的侧壁上，该鳍间隔物具有低介电常数并在器件隔离层和抬高的源极/漏极之间。
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公开(公告)号：CN115621282A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210559399.1
申请日：2022-05-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底上的有源图案；器件隔离层，设置在所述衬底上以限定所述有源图案；所述有源图案上的源/漏图案对；以及所述源/漏图案对之间的沟道图案，所述沟道图案包括堆叠且彼此分隔开的半导体图案；与所述沟道图案交叉的栅电极；以及所述栅电极的侧表面上的栅间隔物。位于所述器件隔离层上的栅间隔物包括具有第一厚度的上部和具有第二厚度的下部。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述栅间隔物的下部位于比所述半导体图案中最上的半导体图案低的层级。
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公开(公告)号：CN109216460B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201810688390.4
申请日：2018-06-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/165 , H01L29/04 , H01L21/336
摘要： 提供了一种半导体器件，包括：在包括负沟道场效应晶体管(nFET)区域和正沟道场效应晶体管(pFET)区域的衬底上的鳍结构；在鳍结构上的栅极结构；以及与栅极结构相邻的源极/漏极结构，其中形成在nFET区域中的源极/漏极结构是包括浓度为大约1.8×1021/cm3或更高的n型杂质的外延层，在源极/漏极结构的外部分中包括硅(Si)和锗(Ge)，并且在源极/漏极结构的内部分中包括Si但不包括Ge，其中源极/漏极结构的与最上表面接触的倾斜表面与鳍结构的顶表面形成约54.7°的角度。
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公开(公告)号：CN114582964A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110819234.9
申请日：2021-07-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/088
摘要： 一种半导体器件包括：位于衬底上的有源图案、位于所述有源图案上的源极/漏极图案、连接至所述源极/漏极图案并且包括间隔开的垂直堆叠的半导体图案的沟道图案、以及横跨所述沟道图案延伸的栅电极。所述半导体图案包括第一半导体图案和第二半导体图案。所述栅电极包括位于所述衬底与所述第一半导体图案之间的第一部分以及位于所述第一半导体图案与第二半导体图案之间的第二部分。所述第一部分的宽度随着所述第一部分的深度而变化，使得所述第一部分的中部的宽度小于所述第一部分的下部的宽度和所述第一部分的上部的宽度。
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