公开(公告)号：CN111244091A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010063437.5

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。

公开(公告)号：CN111244091B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202010063437.5

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种方法包括：在基板第一区域形成多个第一有源鳍和第一牺牲栅结构；在基板第二区域形成多个第二有源鳍和第二牺牲栅结构；在各第一牺牲栅结构侧壁上形成包括第一间隔物和第一牺牲间隔物的第一初级间隔物；第一初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第一有源鳍上部以在第一牺牲栅结构两侧形成第一凹槽区域；去除第一牺牲间隔物；在第一凹槽区域中外延生长第一嵌入源/漏区；在各第二牺牲栅结构侧壁上形成包括第二和第三间隔物和第二牺牲间隔物的第二初级间隔物；第二初级间隔物作为蚀刻掩模蚀刻第二有源鳍上部以在第二牺牲栅结构两侧形成第二凹槽区域；去除第二牺牲间隔物；在第二凹槽区域中外延生长第二嵌入源/漏区。

公开(公告)号：CN102468321A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110355291.2

申请日：2011-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  朴仁善 ,  白寅圭 ,  李炳讚 ,  姜尚范 ,  宋宇彬

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C7/18

CPC classification number: H01L27/1021 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法。一种非易失性存储器件可以包括在基板上的第一字线、在第一字线上的绝缘层和在绝缘层上的第二字线，使得绝缘层在第一字线与第二字线之间。位柱可以在关于基板的表面垂直的方向上与第一字线、绝缘层和第二字线相邻地延伸，位柱可以是导电的。此外，第一存储单元可以包括电耦接在第一字线与位柱之间的第一电阻可变元件，第二存储单元可以包括电耦接在第二字线与位柱之间的第二电阻可变元件。还讨论了相关的方法和系统。

公开(公告)号：CN100527351C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200410057442.6

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李炳讚 ,  崔时荣 ,  金泽中 ,  孙龙勋 ,  丁仁洙

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。

公开(公告)号：CN106169472B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

公开(公告)号：CN106169472A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610186038.1

申请日：2016-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李珍旭 ,  郑钟基 ,  姜明一 ,  梁光容 ,  李宽钦 ,  李炳讚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

公开(公告)号：CN1581431A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410057442.6

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李炳讚 ,  崔时荣 ,  金泽中 ,  孙龙勋 ,  丁仁洙

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构，该鳍形结构引入上区域和下区域，其中上区域形成有基本上垂直的侧壁，下区域形成有倾斜的侧壁，以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法，该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。