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公开(公告)号：CN116528582A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211709125.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；以及硅坝结构，在边界区域中。硅坝结构可以包括包含在倾斜方向上延伸的沟槽线的硅坝图案和在沟槽线中的坝隔离图案。
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公开(公告)号：CN103811554B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201310572089.4
申请日：2013-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN118742026A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311700611.2
申请日：2023-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相邻的单元块区域和外围区域；第一有源图案和第二有源图案，其在所述单元块区域上在不同于所述第一方向的第二方向上彼此相邻；第一位线，其在所述第一有源图案上在所述第一方向上延伸；第二位线，其在所述第二有源图案上在所述第一方向上延伸；位线连接件，其将所述第一位线与所述第二位线彼此连接并且与所述外围区域相邻；内部间隔物，其位于所述位线连接件的内表面上；以及外部间隔物，其位于所述位线连接件的外表面上。所述内部间隔物在所述位线连接件的所述内表面上延伸(例如，覆盖其)，并且延伸到(例如，连续地延伸到)所述第一位线的内表面和所述第二位线的内表面上。
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公开(公告)号：CN116367533A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211609459.2
申请日：2022-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，由器件隔离区限定在基底中；沟槽，在第一方向上延伸以与有源区交叉；掩埋栅极结构，分别掩埋在沟槽中，并且具有位于比有源区的上表面的水平低的水平上的上表面；缓冲结构，覆盖有源区、器件隔离区和掩埋栅极结构；位线结构，在有源区上在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且连接到有源区；存储节点接触件，位于位线结构之间，穿过缓冲结构，并且与有源区接触；以及电容器结构，与存储节点接触件的上表面接触。
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公开(公告)号：CN114256268A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111137185.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其包括沟槽；沟槽中的直接接触件，直接接触件的宽度小于沟槽的宽度；直接接触件上的位线结构，位线结构的宽度小于沟槽的宽度；第一间隔件，其包括第一部分和第二部分，第一部分沿着直接接触件的整个侧表面延伸，第二部分沿着沟槽延伸；第一间隔件上的第二间隔件，第二间隔件填充沟槽；第二间隔件上的第三间隔件；以及第三间隔件上的空气间隔件，空气间隔件通过第三间隔件与第二间隔件间隔开，其中，第一间隔件包括氧化硅。
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公开(公告)号：CN111048469B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911347524.7
申请日：2013-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN111326512A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910757773.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供一种集成电路(IC)装置，所述IC装置包括：线结构，包括形成在基底上的导线以及覆盖导线的绝缘盖图案；绝缘间隔件，覆盖线结构的侧壁；导电插塞，在第一水平方向上与导线分隔开，绝缘间隔件位于导电插塞与导线之间；导电接合垫，布置在导电插塞上，以与导电插塞竖直叠置；以及盖层，包括位于导电接合垫与绝缘盖图案之间的第一部分，其中，盖层的第一部分具有位于导电接合垫与绝缘盖图案之间的其中第一水平方向上的宽度随着距基底的距离的增大而逐渐增大的形状。
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公开(公告)号：CN103811554A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310572089.4
申请日：2013-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN111326512B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201910757773.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种集成电路(IC)装置，所述IC装置包括：线结构，包括形成在基底上的导线以及覆盖导线的绝缘盖图案；绝缘间隔件，覆盖线结构的侧壁；导电插塞，在第一水平方向上与导线分隔开，绝缘间隔件位于导电插塞与导线之间；导电接合垫，布置在导电插塞上，以与导电插塞竖直叠置；以及盖层，包括位于导电接合垫与绝缘盖图案之间的第一部分，其中，盖层的第一部分具有位于导电接合垫与绝缘盖图案之间的其中第一水平方向上的宽度随着距基底的距离的增大而逐渐增大的形状。
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