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公开(公告)号：CN108335977B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810002048.4
申请日：2018-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 李敦权 , 维拉迪默·尼基廷 , 塞巴斯蒂安·沙费尔
Abstract: 描述了用于制造磁结的方法和磁存储器。在所述方法中，设置与磁结对应的磁阻堆叠件的第一部分。设置磁阻堆叠件的此部分的步骤包括设置用于磁结的自由层的至少一层。在设置磁阻堆叠件的第一部分的步骤之后设置磁阻堆叠件的第二部分。在设置磁阻堆叠件的第二部分的步骤之后，使磁阻堆叠件图案化以设置磁结。在设置自由层的步骤之后直到使磁阻堆叠件图案化的步骤，对于磁阻堆叠件和磁结的环境温度不超过自由层的结晶温度。在使磁阻堆叠件图案化的步骤之后，在不低于结晶温度的退火温度下对磁结退火。
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公开(公告)号：CN108335977A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810002048.4
申请日：2018-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 李敦权 , 维拉迪默·尼基廷 , 塞巴斯蒂安·沙费尔
IPC: H01L21/3065 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L21/3065 , H01L27/105
Abstract: 描述了用于制造磁结的方法和磁存储器。在所述方法中，设置与磁结对应的磁阻堆叠件的第一部分。设置磁阻堆叠件的此部分的步骤包括设置用于磁结的自由层的至少一层。在设置磁阻堆叠件的第一部分的步骤之后设置磁阻堆叠件的第二部分。在设置磁阻堆叠件的第二部分的步骤之后，使磁阻堆叠件图案化以设置磁结。在设置自由层的步骤之后直到使磁阻堆叠件图案化的步骤，对于磁阻堆叠件和磁结的环境温度不超过自由层的结晶温度。在使磁阻堆叠件图案化的步骤之后，在不低于结晶温度的退火温度下对磁结退火。
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公开(公告)号：CN108574041B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201711385740.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 冯艮 , 王淑霞 , 维拉迪默·尼基廷 , 唐学体
Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。
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公开(公告)号：CN108574041A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711385740.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 冯艮 , 王淑霞 , 维拉迪默·尼基廷 , 唐学体
Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。
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