公开(公告)号：CN108574041B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201711385740.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 ,  冯艮 ,  王淑霞 ,  维拉迪默·尼基廷 ,  唐学体

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。

公开(公告)号：CN106876581B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201611010093.1

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 ,  王淑霞 ,  李将银

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供了具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器。描述了一种可用于磁性装置的磁结。所述磁结具有自由层、参考层以及在参考层与自由层之间的非磁性间隔层。当写入电流经过磁结时，自由层在稳定磁状态之间是可切换的。自由层具有在第一方向上的长度、在与第一方向垂直的第二方向上的宽度、交换刚度和与长度除以宽度相等的长宽比。长宽比大于1。交换刚度不小于2×10‑6erg/cm。

公开(公告)号：CN108574041A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711385740.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 ,  冯艮 ,  王淑霞 ,  维拉迪默·尼基廷 ,  唐学体

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。

公开(公告)号：CN106876581A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611010093.1

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 ,  王淑霞 ,  李将银

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/329 ,  H01L27/222 ,  H01L27/224 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器。描述了一种可用于磁性装置的磁结。所述磁结具有自由层、参考层以及在参考层与自由层之间的非磁性间隔层。当写入电流经过磁结时，自由层在稳定磁状态之间是可切换的。自由层具有在第一方向上的长度、在与第一方向垂直的第二方向上的宽度、交换刚度和与长度除以宽度相等的长宽比。长宽比大于1。交换刚度不小于2×10‑6erg/cm。