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公开(公告)号：CN108335977B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810002048.4
申请日：2018-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 李敦权 , 维拉迪默·尼基廷 , 塞巴斯蒂安·沙费尔
Abstract: 描述了用于制造磁结的方法和磁存储器。在所述方法中，设置与磁结对应的磁阻堆叠件的第一部分。设置磁阻堆叠件的此部分的步骤包括设置用于磁结的自由层的至少一层。在设置磁阻堆叠件的第一部分的步骤之后设置磁阻堆叠件的第二部分。在设置磁阻堆叠件的第二部分的步骤之后，使磁阻堆叠件图案化以设置磁结。在设置自由层的步骤之后直到使磁阻堆叠件图案化的步骤，对于磁阻堆叠件和磁结的环境温度不超过自由层的结晶温度。在使磁阻堆叠件图案化的步骤之后，在不低于结晶温度的退火温度下对磁结退火。
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公开(公告)号：CN108333539B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201711405905.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 伊利亚·克里沃罗托夫 , 罗伯特·比奇 , 沙承岑 , 德米特罗·埃帕尔科夫 , 弗拉基米尔·弗辛亚科
Abstract: 一种确定存在于磁性结中的自由层的交换劲度的方法。所述方法包括对磁性结执行自旋转矩铁磁共振(ST‑FMR)测量。ST‑FMR测量表示与自由层中的自旋波模式对应的特征频率。所述方法也包括基于多个特征频率计算自由层的交换劲度。在一些实施例中，磁性结存在于包括用于装置的其它磁性结的晶圆上。其它磁性结可以布置为磁性存储器。经受ST‑FMR的磁性结具有与其它磁性结不同的纵横比。
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公开(公告)号：CN108333539A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711405905.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 伊利亚·克里沃罗托夫 , 罗伯特·比奇 , 沙承岑 , 德米特罗·埃帕尔科夫 , 弗拉基米尔·弗辛亚科
CPC classification number: G01R33/60 , G01N24/10 , G11C11/02 , G11C11/1675 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/24 , G11C29/50008 , G11C2029/5006 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12 , G01R33/1207 , G11C11/161
Abstract: 一种确定存在于磁性结中的自由层的交换劲度的方法。所述方法包括对磁性结执行自旋转矩铁磁共振(ST-FMR)测量。ST-FMR测量表示与自由层中的自旋波模式对应的特征频率。所述方法也包括基于多个特征频率计算自由层的交换劲度。在一些实施例中，磁性结存在于包括用于装置的其它磁性结的晶圆上。其它磁性结可以布置为磁性存储器。经受ST-FMR的磁性结具有与其它磁性结不同的纵横比。
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公开(公告)号：CN108574041B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201711385740.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 冯艮 , 王淑霞 , 维拉迪默·尼基廷 , 唐学体
Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。
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公开(公告)号：CN106876581B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201611010093.1
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 王淑霞 , 李将银
Abstract: 本发明提供了具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器。描述了一种可用于磁性装置的磁结。所述磁结具有自由层、参考层以及在参考层与自由层之间的非磁性间隔层。当写入电流经过磁结时，自由层在稳定磁状态之间是可切换的。自由层具有在第一方向上的长度、在与第一方向垂直的第二方向上的宽度、交换刚度和与长度除以宽度相等的长宽比。长宽比大于1。交换刚度不小于2×10‑6erg/cm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108574041A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711385740.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 冯艮 , 王淑霞 , 维拉迪默·尼基廷 , 唐学体
Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。
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公开(公告)号：CN108376736B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201810099861.8
申请日：2018-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑洪植 , 罗曼·凯普斯肯 , 唐学体 , 德米特罗·埃帕尔科夫
Abstract: 提供了磁装置及用于设置磁装置的方法。描述了一种包括多个磁性结和至少一个自旋轨道相互作用(SO)活性层的磁存储器。每个磁性结包括被钉扎层、自由层和位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层具有倾斜的易磁化轴和高阻尼常数中的至少一种。倾斜的易磁化轴与垂直于平面方向成非零度锐角。高阻尼常数至少为0.02。所述至少一个SO活性层与自由层相邻并且输运平面内电流。所述至少一个SO活性层由于电流而对自由层施加SO力矩。利用SO力矩使自由层是可切换的。
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公开(公告)号：CN108376736A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810099861.8
申请日：2018-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑洪植 , 罗曼·凯普斯肯 , 唐学体 , 德米特罗·埃帕尔科夫
CPC classification number: H01L43/08 , H01F10/123 , H01F10/126 , H01F10/324 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F41/303 , H01L27/222 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 提供了磁装置及用于设置磁装置的方法。描述了一种包括多个磁性结和至少一个自旋轨道相互作用(SO)活性层的磁存储器。每个磁性结包括被钉扎层、自由层和位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层具有倾斜的易磁化轴和高阻尼常数中的至少一种。倾斜的易磁化轴与垂直于平面方向成非零度锐角。高阻尼常数至少为0.02。所述至少一个SO活性层与自由层相邻并且输运平面内电流。所述至少一个SO活性层由于电流而对自由层施加SO力矩。利用SO力矩使自由层是可切换的。
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公开(公告)号：CN108335977A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810002048.4
申请日：2018-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 李敦权 , 维拉迪默·尼基廷 , 塞巴斯蒂安·沙费尔
IPC: H01L21/3065 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L21/3065 , H01L27/105
Abstract: 描述了用于制造磁结的方法和磁存储器。在所述方法中，设置与磁结对应的磁阻堆叠件的第一部分。设置磁阻堆叠件的此部分的步骤包括设置用于磁结的自由层的至少一层。在设置磁阻堆叠件的第一部分的步骤之后设置磁阻堆叠件的第二部分。在设置磁阻堆叠件的第二部分的步骤之后，使磁阻堆叠件图案化以设置磁结。在设置自由层的步骤之后直到使磁阻堆叠件图案化的步骤，对于磁阻堆叠件和磁结的环境温度不超过自由层的结晶温度。在使磁阻堆叠件图案化的步骤之后，在不低于结晶温度的退火温度下对磁结退火。
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公开(公告)号：CN106876581A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611010093.1
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 王淑霞 , 李将银
CPC classification number: H01L27/22 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01F10/3259 , H01F10/329 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了具有细长自由层的磁结及其提供方法和包括其的磁存储器。描述了一种可用于磁性装置的磁结。所述磁结具有自由层、参考层以及在参考层与自由层之间的非磁性间隔层。当写入电流经过磁结时，自由层在稳定磁状态之间是可切换的。自由层具有在第一方向上的长度、在与第一方向垂直的第二方向上的宽度、交换刚度和与长度除以宽度相等的长宽比。长宽比大于1。交换刚度不小于2×10‑6erg/cm。
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