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公开(公告)号：CN114067869A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110640877.7
申请日：2021-06-09
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了非易失性存储器设备和包括非易失性存储器设备的存储设备。该非易失性存储器设备包括通过相同的通道连接到控制器的第一存储器芯片和第二存储器芯片。第一存储器芯片基于从控制器接收的时钟信号从第一内部时钟信号生成第一信号。第二存储器芯片基于该时钟信号从第二内部时钟信号生成第二信号，并且通过基于第一信号和第二信号之间的相位差延迟第二内部时钟信号，来基于第一信号的相位对第二信号执行相位校准操作。
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公开(公告)号：CN102483766A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080040714.5
申请日：2010-09-13
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G06F17/30864 , G06F17/30899
摘要： 提供了一种用于提供预览信息的搜索方法、设备和系统。该搜索方法包括：从服务器实时地接收搜索结果项目的列表以及预览信息，并输出所述列表和预览信息。因此，搜索时间可被有效地减小，这使得用户能够更加快速地获得想要的搜索结果。
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公开(公告)号：CN118280400A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311428960.3
申请日：2023-10-31
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C7/10
摘要： 提供了执行ZQ校准的半导体存储器装置及其校准方法。所述半导体存储器装置可包括：阻抗调整垫；虚设下拉驱动器和外部电阻器，并联连接在阻抗调整垫与地之间；递归码生成电路，被配置为在所述半导体存储器装置的阻抗校准操作中通过使用外部电阻器和虚设下拉驱动器作为参考电阻来递归地生成与目标电阻对应的上拉码和下拉码；码寄存器，被配置为存储生成的上拉码和下拉码；以及校准控制逻辑电路，被配置为在调整虚设下拉驱动器的电阻值的同时在阻抗校准操作中的多个步长期间控制递归码生成电路。
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公开(公告)号：CN116166184A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211496264.1
申请日：2022-11-23
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种存储器系统，包括：多个存储器件，均连接到分别包括内部数据通道和内部控制通道的内部通道，并且均被配置为基于第一接口协议执行通信；控制器，连接到包括外部数据通道和外部控制通道的外部通道，并且被配置为基于第二接口协议执行通信；以及接口电路，将外部通道连接到每个内部通道。接口电路被配置为通过以下操作来执行通道转换：将通过外部数据通道从控制器接收的并行数据信号串行化并将串行化的信号输出到内部通道中的第一内部通道中所包括的内部控制通道，或者将通过外部控制通道接收的信号并行化并将并行化的信号输出到内部通道中的第一内部通道中所包括的内部数据通道。
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公开(公告)号：CN114822623A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210028051.X
申请日：2022-01-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C7/22
摘要： 一种存储设备包括多个存储器芯片和芯片。多个存储器芯片包括被配置成基于第一时钟信号产生第一信号的第一存储器芯片，以及被配置成基于第二时钟信号产生第二信号的第二存储器芯片。该芯片被配置成接收第一和第二信号并且基于第一和第二信号的占空比产生并输出第一和第二比较信号。第一存储器芯片还被配置成基于第一比较信号通过调节第一时钟信号的占空比来产生第一经校正信号，并且第二存储器芯片还被配置成基于第二比较信号通过调节第二时钟信号的占空比来产生第二经校正信号。
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公开(公告)号：CN113625940A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110356638.9
申请日：2021-04-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了存储装置和存储装置的重新训练方法。所述存储装置包括NVM封装件和控制器，控制器通过通道连接到NVM封装件，并且控制NVM封装件的操作。NVM封装件包括接口芯片、第一NVM装置和第二NVM装置，第一NVM装置通过第一内部通道连接到接口芯片，第二NVM装置通过第二内部通道连接到接口芯片。接口芯片响应于从控制器接收的操作请求来选择第一内部通道，并且将第一内部通道连接到所述通道。接口芯片还确定是否需要与第二内部通道有关的重新训练，并且在需要重新训练时将重新训练请求发送到控制器。
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公开(公告)号：CN117728835A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311214982.X
申请日：2023-09-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H03M1/10 , G11C11/4078
摘要： 提供了ZQ校准电路、ZQ校准电路的ZQ校准方法和存储器装置。所述ZQ校准电路包括：ZQ控制器，被配置为检测其中ZQ校准被支持的多个接口模式之中的一个接口模式的结束，并且响应于所述一个接口模式结束而指示到另一接口模式的切换；ZQ引擎，被配置为通过多参考电压生成器生成与所述一个接口模式对应的第一参考电压，响应于到所述另一接口模式的切换被指示而生成与所述另一接口模式对应的第二参考电压，基于第一参考电压或第二参考电压执行ZQ校准，并且输出校准码；以及ZQ驱动器，被配置为基于校准码通过输入/输出垫输出输出信号。
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公开(公告)号：CN116230040A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211546157.5
申请日：2022-12-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C7/22
摘要： 一种存储器封装包括多个存储器芯片以及对控制器和多个存储器芯片之间的通信进行中继并从多个存储器芯片接收多个信号的接口芯片。接口芯片包括基于多个信号输出数据信号和原始时钟信号的接收器、通过将与数据信号的一个单位间隔的1/2相对应的偏移延迟以及附加延迟施加到原始时钟信号来输出延迟时钟信号的延迟电路、以及与时钟信号同步地对数据信号进行采样的采样器。当延迟时钟信号与数据信号具有与数据信号的一个单位间隔相对应的相位差时，延迟电路输出通过从延迟时钟信号中去除偏移延迟而生成的时钟信号。
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公开(公告)号：CN114333946A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111107361.2
申请日：2021-09-22
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种存储器件包括存储单元阵列、页面缓冲器、控制逻辑电路、多个输入/输出引脚、数据总线反转(DBI)引脚和接口电路。所述页面缓冲器连接到所述存储单元阵列。所述控制逻辑电路被配置为控制所述存储单元阵列的操作。所述多个输入/输出引脚从所述控制器接收多个数据信号。所述DBI引脚从所述控制器接收DBI信号。所述接口电路对来自所述数据信号和DBI信号的具有逻辑值1的位的第一数量和具有逻辑值0的位的第二数量进行计数，并且基于所述第一数量和所述第二数量向所述页面缓冲器或所述控制逻辑电路提供所述数据信号。
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